公开(公告)号：CN119028905A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410532402.X

申请日：2024-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡源 ,  具奉珍 ,  金硕壎 ,  朴志镐 ,  柳相赫 ,  河龙湖 ,  穆萨拉特·哈桑

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成衬底，该衬底包括具有第一区域和暴露第一区域的接触孔的结构；将衬底装载到工艺室中；在工艺室内在金属‑半导体化合物形成温度或更高温度下重复地执行沉积工艺和浸泡工艺两次或更多次，该沉积工艺包括重复地在第一持续时间内向工艺气体施加射频(RF)等离子体功率和在第二持续时间内不向工艺气体施加RF等离子体功率，该浸泡工艺不使用等离子体，从而形成第一区域上的金属‑半导体化合物层、接触孔的侧壁上的侧壁材料层、以及所述结构上的上材料层；在工艺室中执行去除侧壁材料层的至少一部分的去除工艺；以及在执行去除工艺之后从工艺室卸载衬底。