公开(公告)号：CN119947238A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411013029.3

申请日：2024-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  李正韩 ,  千宽永 ,  李广默

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 公开了一种三维半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源部分，在第一区域上并且包括第一下沟道图案和第一下源/漏图案；第二有源部分，在第一有源部分上并且包括第一上沟道图案和第一上源/漏图案；第三有源部分，在第二区域上并且包括第二下沟道图案和第二下源/漏图案；第四有源部分，在第三有源部分上并且包括第二上沟道图案和第二上源/漏图案；以及栅电极，在第一下沟道图案和第二下沟道图案以及第一上沟道图案和第二上沟道图案上。第一下沟道图案在第一方向上的第一宽度大于第二下沟道图案在第一方向上的第二宽度。

公开(公告)号：CN117913075A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311341903.1

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  姜秉柱 ,  李正韩 ,  林载炯

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，穿过包括彼此相反的第一和第二表面的衬底的一部分形成对准标记，所述部分与衬底的第二表面相邻。在衬底的第二表面上形成包括栅极结构和源极/漏极层的晶体管。去除衬底的与衬底的第一表面相邻的部分以暴露对准标记。接触插塞穿过衬底的与衬底的第一表面相邻的部分形成，以电连接到源极/漏极层。电源轨形成在衬底的第一表面上以电连接到接触插塞。

公开(公告)号：CN117855248A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311216465.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志授 ,  姜明一 ,  权智旭 ,  李正韩 ,  崔秀斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上的第一片图案；栅电极，在衬底上并且围绕第一片图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别连接到第一片图案的第一端和第二端；接触阻挡图案，在第二源/漏图案的下侧上；第一源/漏接触部，沿第一方向延伸并且连接到第一源/漏图案；以及第二源/漏接触部，连接到第二源/漏图案并且沿第一方向延伸以接触接触阻挡图案的上表面。从栅电极的上表面到第一源/漏接触部的最下部分的深度可以大于从栅电极的上表面到接触阻挡图案的上表面的深度。