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公开(公告)号：CN119521734A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410449365.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上，沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，其电连接到多个半导体图案；内部栅电极，其位于多个半导体图案中的相邻的第一半导体图案与第二半导体图案之间；内部栅极绝缘层，其位于内部栅电极与第一半导体图案和第二半导体图案之间；内部高k电介质层，其位于内部栅电极与内部栅极绝缘层之间；以及内部间隔件，其位于内部栅极绝缘层与源极/漏极图案之间。由于内部栅极绝缘层包括内部栅极间隔件，因此内部栅电极可以稳定地填充内部栅极空间。结果，可以改善半导体装置的电特性。
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公开(公告)号：CN101203914A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022028.9
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/135
CPC classification number: G11B7/0909 , G11B7/00718 , G11B7/1353 , G11B7/1381
Abstract: 一种光学拾取器，包括：光源；物镜，用于将从光源发出的光聚焦以在光学信息存储介质上形成光斑；光学路径改变器，用于改变光的光学路径；光电检测器，用于接收被光学信息存储介质反射/衍射的光并检测信息信号和/或误差信号；以及光学元件阻止部分，其布置在光的中央区域中，用于阻止光的中央区域的一部分被光电检测器接收到，所述光是被光学信息存储介质反射/衍射的并且向着光电检测器传播的。
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公开(公告)号：CN119677094A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410495600.3
申请日：2024-04-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H10B12/00 , H01L23/528 , G11C5/06
Abstract: 公开了信号信道、包括信号信道的模块基板和半导体系统。根据本公开的实施例的信号信道包括：多条信号线，设置在第一方向上彼此间隔开的多个层上并且将第一点和第二点彼此连接。多个区段在第一点与第二点之间被定义。设置在所述多个区段中的第一区段中的所述多个层中的第一层上的第一信号线电连接到设置在所述多个区段中的第二区段中的所述多个层中的第二层上的第二信号线。
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公开(公告)号：CN119069512A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410654551.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/12
Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：设置在基板上的有源图案；在有源图案上的源极/漏极图案；沟道图案，配置为电连接源极/漏极图案并包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开的堆叠的半导体图案；栅极图案，配置为在沟道图案上在平行于基板的上表面的第二方向上在源极/漏极图案之间并具有主栅极部分和子栅极部分；以及在子栅极部分和源极/漏极图案之间的内栅极间隔物。相邻源极/漏极图案之间沿着子栅极部分中的给定一个的在第二方向上的第一距离大于所述相邻源极/漏极图案之间穿过半导体图案的在第二方向上的第二距离。
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公开(公告)号：CN118631290A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410254524.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 提供了通信系统、发送器和接收器。该通信系统包括：发送器，其将多个数据流中的每一个的二进制比特编码为多个符号，并将多个符号转换为分别与多个信道对应的多个输出信号，转换基于由第一矩阵定义的发送规则；以及接收器，其组合通过多个信道接收的多个输出信号，组合基于由第二矩阵定义的接收规则，组合恢复多个符号，并且接收器将多个符号解码为二进制比特。第一矩阵和第二矩阵基于将多个信道中的相邻信道之间的串扰效应进行建模的第三矩阵被确定，以减少串扰效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1917054A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115757.0
申请日：2006-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0943 , G11B7/131 , G11B7/13927
Abstract: 提供一种光学拾取设备，包括：光源，发射光；物镜，通过聚焦从光源发出的光来在光学记录介质上形成光点；分光单元，布置在光源和物镜之间，用于将从光源发出的光分为主光束和两个副光束，以在光学记录介质上形成一个主光点和两个副光点，所述分光单元具有第一区域和围绕第一区域的第二区域；检测器，检测从光学记录介质反射的主光束的光的量以及各个副光束的光的量；分束器，布置在光源和物镜之间，用于使从光学记录介质反射的光被引导向检测器；信号产生电路，分别产生循轨误差信号(TES)、聚焦误差信号(FES)和球面像差信号(SAS)；球面像差补偿单元，布置在物镜和分束器之间，利用信号产生电路所产生的SAS来补偿球面像差。
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公开(公告)号：CN1841531A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066859.8
申请日：2006-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0903 , G11B7/0912
Abstract: 提供一种光学拾取器和一种采用该光学拾取器的光学记录和/或再现设备，其中，该光学拾取器包括：光源；物镜，用于聚集入射光束，并且将所述入射光束聚焦在信息存储介质上；全息光栅，用于通过衍射将由光源发射的光分为主光束以及第一和第二副光束，并且在所述第一和第二副光束中提供或产生连续变化的波前，以减小所述第一和第二副光束的副推挽(SPP)信号的交流(AC)分量的振幅；和光电检测器，用于接收聚焦在信息存储介质上并从信息存储介质反射的所述主光束以及第一和第二副光束，以获得所述主光束的主推挽(MPP)信号以及所述第一和第二副光束的SPP信号。
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公开(公告)号：CN1831981A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610007471.0
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/24038 , G11B7/268
Abstract: 一种防止由于在记录层之间可能产生的镜面效应导致的信号特性恶化的多层记录介质，以及一种制造该多层记录介质的方法，该多层记录介质具有至少两个记录层，其中，相邻记录层之间至少一个隔离层的厚度与其它隔离层的厚度不同，从而防止聚焦在记录层上的光束由于反射聚焦在与镜面层对应的另一记录层上。在所述多层记录介质中，镜面效应被大大降低。另外，仅改变对镜面效应施加最重要影响的隔离层的厚度以防止由于镜面效应导致的信号质量恶化，因此，多层记录介质的结构被简化。
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公开(公告)号：CN118693093A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410329494.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出并且在第一水平方向上延伸；多个纳米片，设置在鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此分开；栅极线，在第二水平方向上延伸并围绕鳍型有源区上的所述多个纳米片，并且包括在所述多个纳米片之间的各个次栅极部分和在所述多个纳米片的最上面的层上方的主栅极部分；源极/漏极区，设置在鳍型有源区上，与栅极线相邻，并且连接到所述多个纳米片；以及多个内间隔物，插置在栅极线和源极/漏极区之间。面对次栅极部分的第一内间隔物的形状不同于面对主栅极部分的第二内间隔物的形状。
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公开(公告)号：CN101203913A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680021979.4
申请日：2006-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/135
CPC classification number: G02B5/32 , G02B3/12 , G02B5/189 , G11B7/1353 , G11B7/1369 , G11B7/13925
Abstract: 一种主动补偿装置、以及使用该主动补偿装置的一种兼容光拾取器和一种光学记录和/或再现设备，兼容指定不同厚度和具有相同波长的光的信息存储介质标准。该主动补偿装置包括：两个透明衬底；被插入透明衬底之间的材料层，其具有根据被施加到材料层的电压而主动转变的折射率；以及在所述透明衬底的至少一个的表面上、与材料层相邻形成的全息图样，用于通过根据材料层的折射率而无衍射地传输入射光或衍射入射光来控制入射光的发散角。
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