公开(公告)号：CN110391121B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN110391121A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910025780.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世真 ,  姜泰钧 ,  金有信 ,  金载益 ,  牟燦滨 ,  成德镛 ,  安昇彬 ,  印杰 ,  全允珖

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体基底测量设备以及使用其的等离子体处理设备，该半导体基底测量设备包括产生包括第一波段的光和第二波段的光的照射光的光源单元。光学单元将照射光照射到测量对象上，并且会聚反射光。分光单元将在光学单元中会聚的反射光分束到第一光路和第二光路中。第一检测单元设置在第一光路上并且检测反射光中的在第一波段中的第一干涉光。第二检测单元设置在第二光路上并且检测反射光中的在第二波段中的第二干涉光。控制单元计算测量对象的表面形状和厚度中的至少一种。控制单元计算测量对象的温度。

公开(公告)号：CN115274390A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210291022.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贵玹 ,  南象基 ,  徐权相 ,  张圣虎 ,  高廷旼 ,  金南均 ,  金泰铉 ,  白承翰 ,  安昇彬 ,  梁正模 ,  李昌宪 ,  全康民

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。