公开(公告)号：CN119342810A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410178977.6

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玟州 ,  金钟珉 ,  朴相在 ,  朴素贤 ,  李基硕

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案，包括第一边缘部分以及在第一方向上与第一边缘部分间隔开的第二边缘部分；第一字线，在第一边缘部分和第二边缘部分之间并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，在第一边缘部分上并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；以及存储节点接触部，在第二边缘部分上，其中，第一边缘部分包括第一顶表面和第二顶表面，并且第一边缘部分的第二顶表面比第一边缘部分的第一顶表面更靠近第二边缘部分。

公开(公告)号：CN118450699A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410095371.6

申请日：2024-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  高承甫 ,  金钟珉 ,  金熙中 ,  朴相在 ,  朴台镇 ,  尹灿植 ,  李明东 ,  李泓浚 ,  姜玟州 ,  金根楠

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上布置的第一和第二有源图案，第一和第二有源图案中的每个包括在第一方向上彼此间隔开的第一和第二边缘部分；顺序提供在第一有源图案的第一边缘部分上的第一存储节点焊盘和第一存储节点接触；以及顺序提供在第二有源图案的第二边缘部分上的第二存储节点焊盘和第二存储节点接触。第一存储节点接触和第二存储节点接触中的每个包括金属材料。