半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113223977A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110022696.8

    申请日:2021-01-08

    Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括:形成下模制件,下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构;形成上模制件,上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构;去除上模制件以使下模制件的上表面暴露;从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像;将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像;以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。

    用于检测晶片上的缺陷的设备和方法

    公开(公告)号:CN114388380A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111170392.2

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 公开了一种晶片缺陷推断系统,其包括处理电路,该处理电路被配置为:组合第一图像和第二图像以生成组合图像,第一图像包括在半导体晶片上形成的电路图案的成像,并且第二图像包括用于在半导体晶片上实现电路图案的掩模的布局图像的成像;基于组合图像,通过执行机器学习来推断与在半导体晶片上形成的电路图案相关联的缺陷;并且基于机器学习生成包括关于缺陷的信息的输出图像。

    检测SEM设备的测量误差的方法及对准SEM设备的方法

    公开(公告)号:CN115704783A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210645955.7

    申请日:2022-06-08

    Abstract: 提供一种通过将设计图像与SEM图像进行比较和对准来准确地检测SEM设备的测量误差的方法以及基于检测到的测量误差准确地对准SEM设备的方法。检测SEM设备的测量误差的方法包括:获取测量目标的SEM图像;对所述SEM图像以及与所述SEM图像对应的设计图像执行预处理;从所述SEM图像之中选择训练SEM图像;通过使用所述训练SEM图像以及训练设计图像执行训练,以生成所述SEM图像与所述设计图像之间的转换模型;通过使用所述转换模型将所述SEM图像转换为转换设计图像;通过将所述转换设计图像与所述设计图像进行比较和对准来提取对准坐标值;以及基于所述对准坐标值确定所述SEM设备的测量误差。

    支持半导体器件的制造的电子设备和该电子设备的操作方法

    公开(公告)号:CN119008438A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202410011796.4

    申请日:2024-01-02

    Abstract: 公开了一种电子设备的操作方法,该电子设备包括处理器并且支持半导体器件的制造。该操作方法包括:在处理器处,接收用于制造半导体器件的布局图像和通过拍摄实际制造的半导体器件而生成的拍摄图像;在处理器处,基于凸显布局图像和拍摄图像的边缘和拐角的结果来对齐布局图像和拍摄图像;以及在处理器处,基于对齐的布局图像和对齐的拍摄图像执行学习,使得根据布局图像生成第一修改后的布局图像,并且半导体器件是基于根据布局图像生成的第二修改后的布局图像来制造的。

    基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法

    公开(公告)号:CN114063383A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110355528.0

    申请日:2021-04-01

    Abstract: 本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括:通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像;通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像;基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中第二图像对应于所述第一图像;以及基于深度学习,在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。

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