公开(公告)号：CN101315942B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN101494220A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN1519939A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成分比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。

公开(公告)号：CN101494220B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN101315942A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN100377355C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。