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公开(公告)号：CN105976349B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201610135002.0
申请日：2016-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像的晶粒分析方法和系统。所述方法涉及分析纳米晶粒，包括：接收HRTEM图像，针对HRTEM图像设置每个具有预定大小的局部窗口，对通过局部窗口确定的像素数据执行至少一次快速傅里叶变换以计算局部转换数据，基于局部转换数据分析晶粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811079B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201310560306.8
申请日：2013-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。
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公开(公告)号：CN106531744A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610809546.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件，包括：交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极；在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案；在沟道图案和衬底之间的半导体图案；以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案。导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。
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公开(公告)号：CN106531744B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610809546.0
申请日：2016-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件，包括：交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极；在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案；在沟道图案和衬底之间的半导体图案；以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案。导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。
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公开(公告)号：CN103811079A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310560306.8
申请日：2013-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/40 , G11C29/50 , G11C29/56
Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。
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