公开(公告)号：CN1776891A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510087568.2

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  赵薰英 ,  金桢雨 ,  朴赞真 ,  吴钟守 ,  赵起贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 公开了一种使用离子注入制造的非易失性存储器件以及制造该器件的方法。在半导体衬底上形成介电层，并且通过使用Si或Ge的离子注入来形成离子注入层，该离子注入层用作电荷俘获地点。然后，执行退火工艺。接着，执行用于在介电层上形成晶体管的工艺。