公开(公告)号：CN100479219C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510074362.6

申请日：2005-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋胤宗 ,  黄荣南 ,  南相敦 ,  赵性来 ,  高宽协 ,  李忠满 ,  具奉珍 ,  河龙湖 ,  李秀渊 ,  郑椙旭 ,  李智惠 ,  柳庚昶 ,  李世昊 ,  安洙珍 ,  朴淳五 ,  李将银

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。

公开(公告)号：CN1702883A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074362.6

申请日：2005-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋胤宗 ,  黄荣南 ,  南相敦 ,  赵性来 ,  高宽协 ,  李忠满 ,  具奉珍 ,  河龙湖 ,  李秀渊 ,  郑椙旭 ,  李智惠 ,  柳庚昶 ,  李世昊 ,  安洙珍 ,  朴淳五 ,  李将银

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。