公开(公告)号：CN118553716A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311487028.8

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金昊炫 ,  罗睿真 ,  刘俊埴 ,  尹泰景 ,  郑有真 ,  崔溶俊

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/04 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。

公开(公告)号：CN117133633A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310489410.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂荣 ,  郑宇陈 ,  河淳穆 ,  刘俊埴 ,  李丞敎

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了一种形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，在氧化硅层上形成第二光刻胶图案。