公开(公告)号：CN118553716A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311487028.8

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金昊炫 ,  罗睿真 ,  刘俊埴 ,  尹泰景 ,  郑有真 ,  崔溶俊

IPC: H01L23/528 ,  H01L29/04 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。

公开(公告)号：CN111180517B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201911086122.6

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金东赞 ,  金旲炫 ,  金依珠 ,  李智修

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括交叉有源区域的栅极沟槽以及在栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的内壁上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上并部分地填充栅极沟槽的栅电极、设置在栅电极上的栅极盖绝缘层、以及设置在栅极沟槽中并设置在栅极盖绝缘层上的间隙填充绝缘层。栅极盖绝缘层包括通过氧化栅电极的一部分、氮化栅电极的一部分、或者氧化和氮化栅电极的一部分而形成的材料。

公开(公告)号：CN118338672A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311557144.2

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑有真 ,  许廷焕

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有由隔离层限定的有源区；字线，所述字线跨过所述有源区并且在所述衬底内在字线沟槽内部在第一水平方向上延伸，所述字线沟槽形成在所述衬底中并且包括第一子字线沟槽和第二子字线沟槽。所述第一子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二子字线沟槽的下表面在所述第一水平方向上的宽度，并且所述第一子字线沟槽的下表面与所述有源区的上表面之间的第一距离小于所述第二子字线沟槽的下表面和所述有源区的上表面之间的第二距离。

公开(公告)号：CN111180517A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911086122.6

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许廷焕 ,  金东赞 ,  金旲炫 ,  金依珠 ,  李智修

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括交叉有源区域的栅极沟槽以及在栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的内壁上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上并部分地填充栅极沟槽的栅电极、设置在栅电极上的栅极盖绝缘层、以及设置在栅极沟槽中并设置在栅极盖绝缘层上的间隙填充绝缘层。栅极盖绝缘层包括通过氧化栅电极的一部分、氮化栅电极的一部分、或者氧化和氮化栅电极的一部分而形成的材料。