公开(公告)号：CN110021668A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811619564.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  朴成哲 ,  李允逸 ,  金并基 ,  全英敏 ,  河大元 ,  黄寅灿 ,  朴宰贤 ,  申宇哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：多个栅电极，在衬底上交叉有源图案并沿第二方向延伸，所述多个栅电极在第一方向上彼此间隔开；栅极分隔图案，具有在第一方向上的长轴并且在所述多个栅电极中的两个栅电极之间，所述多个栅电极中的所述两个栅电极在第二方向上彼此相邻；以及多个栅极间隔物，覆盖所述多个栅电极中的相应栅电极的侧壁，栅极间隔物交叉栅极分隔图案并沿第二方向延伸。栅极分隔图案包括沿第一方向延伸的下部、从下部突出并具有第一宽度的中间部分、以及在两个相邻的栅极间隔物之间并从中间部分突出的上部，上部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN117393564A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310834108.X

申请日：2023-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金允贞 ,  全英敏 ,  张惠元

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/08 ,  H01L23/538 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，具有：有源区，包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此平行，并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸；场区域，限定有源区；第一绝缘结构，在场区域上在第一水平方向上延伸；栅极结构，在第二水平方向上延伸以与有源区和第一绝缘结构相交；源/漏区，设置在栅极结构的至少一侧，源/漏区包括在第一有源区上的第一源/漏区和在第二有源区上的第二源/漏区；以及公共接触插塞，在栅极结构的第一侧，并且连接到彼此相对的第一源/漏区和第二源/漏区。第一绝缘结构包括在竖直方向上与栅极结构重叠的第一部分。

公开(公告)号：CN109935587B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811176477.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金东铉 ,  金竝基 ,  南润锡 ,  全英敏 ,  朴成哲 ,  河大元

IPC: H01L27/092

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN109935587A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811176477.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金东铉 ,  金竝基 ,  南润锡 ,  全英敏 ,  朴成哲 ,  河大元

IPC: H01L27/092

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。