公开(公告)号：CN115588627A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210768303.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  金沅槿 ,  严明彻

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了制造半导体装置的方法和分离衬底的方法。制造半导体装置的方法包括：在载体衬底和装置衬底的第一表面之间提供脱模层，以将装置衬底附着于载体衬底；用紫外线辐射载体衬底，以将载体衬底从脱模层分离并且暴露出脱模层的一个表面；以及对脱模层的一个表面执行清洁处理，以暴露出装置衬底的第一表面。脱模层包括芳香族聚合单元和硅氧烷聚合单元。

公开(公告)号：CN110117445A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910101169.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 严明彻 ,  李惠卿 ,  姜昌根 ,  金宰贤 ,  吴敬日 ,  吴承根 ,  李治焕

IPC: C09D133/10 ,  C09D133/14 ,  H01L27/146

Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。

公开(公告)号：CN115763297A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210676861.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  严明彻 ,  陈华日

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括使用粘合构件将载体基板接合到器件晶片上，其中，粘合构件包括：基膜；器件粘合膜，设置在基膜的下表面上，并接触器件晶片；以及载体粘合膜，设置在基膜的上表面上，并接触载体基板。器件粘合膜包括气体发泡剂，并且载体粘合膜可以不包括气体发泡剂。

公开(公告)号：CN117659879A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311147312.0

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴天一 ,  严明彻

IPC: C09J7/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及晶片临时胶粘带、晶片堆叠结构体和加工半导体晶片的方法。晶片临时胶粘带包括：配置为附着至器件晶片的器件胶粘层，在所述器件胶粘层上的基础层，以及在所述基层上且配置为附着至载体晶片的载体胶粘层，其中所述基础层包括可通过吸收激光束而化学分解的激光分解性材料层。

公开(公告)号：CN115831869A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211104779.2

申请日：2022-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  金沅槿 ,  严明彻

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜。所述方法包括：制备包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层的保护膜；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。

公开(公告)号：CN119875526A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411465900.3

申请日：2024-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘韩率 ,  严明彻

IPC: C09J7/30 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  C09J201/00 ,  C09J11/08

Abstract: 本发明涉及芯片附接膜、包括其的半导体封装体、和制造半导体封装体的方法。芯片附接膜包括粘合剂层、和分散于所述粘合剂层中并且包括有机材料的填料，其中所述粘合剂层的厚度为约0.5μm至约3μm，和其中所述填料的平均颗粒直径等于或大于所述粘合剂层的厚度的约0.8倍且小于所述粘合剂层的厚度的约1倍。

公开(公告)号：CN117878063A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311316581.5

申请日：2023-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈炯佑 ,  严明彻

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：下部结构，包括设置在其上表面上的第一下导电焊盘；第一半导体芯片，设置在下部结构上，第一半导体芯片包括设置在其下表面上的第一芯片导电焊盘；焊球，连接第一下导电焊盘和第一芯片导电焊盘；光敏绝缘层，填充下部结构和第一半导体芯片之间的空间；以及第一有机绝缘层，覆盖第一芯片导电焊盘的侧表面。

公开(公告)号：CN117672982A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311140163.5

申请日：2023-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铣浩 ,  严明彻

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体封装体包括缓冲器裸片、设置在所述缓冲器裸片上的第一核心裸片、以及设置在所述缓冲器裸片和所述第一核心裸片之间使得所述缓冲器裸片和所述第一核心裸片彼此结合的非导电膜(NCF)，其中所述NCF包括基于二苯并环辛二烯(DBCOD)的化合物。

公开(公告)号：CN110117445B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201910101169.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 严明彻 ,  李惠卿 ,  姜昌根 ,  金宰贤 ,  吴敬日 ,  吴承根 ,  李治焕

IPC: C09D133/10 ,  C09D133/14 ,  H01L27/146

Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。