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公开(公告)号：CN104837582A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380064002.0
申请日：2013-11-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/025 , B22F1/0007 , B22F1/0014 , H01B1/02
Abstract: 银包镍粒子是将银覆盖于含有镍的芯粒子的表面而成的。银包镍粒子在遍及其表面的整个区域，形成有多个凸部，由此所述表面呈凹凸形状。在俯视图中的所述凸部的大小为0.05μm～1μm。银包镍粒子中的银的覆盖率为50％以上。由激光衍射散射式粒度分布测定法测得的累计体积在50容量％下的体积累积粒径D50优选为0.5μm～100μm。
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公开(公告)号：CN110546299B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880027424.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少。另外，通过溅射，能够成膜成具有高的膜电阻率和高的蚀刻加工性的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN110546300B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880027441.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计大于25.0质量％且为82.0质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为15.0质量％以上且65.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为3.0质量％以上且小于10.0质量％。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，通过溅射，能够形成具有高的膜电阻率和高耐化学试剂性的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN110546300A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027441.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计大于25.0质量％且为82.0质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为15.0质量％以上且65.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为3.0质量％以上且小于10.0质量％。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，通过溅射，能够形成具有高的膜电阻率和高耐化学试剂性的透明导电膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546299A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027424.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少。另外，通过溅射，能够成膜成具有高的膜电阻率和高的蚀刻加工性的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN105451914A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043903.6
申请日：2014-08-01
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/10 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B5/00 , H01B13/00
Abstract: 本发明的复合铜粒子是扁平状铜粒子与比该扁平状铜粒子更微细的多个无机氧化物粒子复合化而成的。无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面不均匀地存在。利用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的累积体积50体积％下的体积累积粒径D50优选为0.1μm以上且10μm以下。以板面的长径d与厚度t之比即d/t表示的长宽比还优选为5以上且30以下。无机氧化物还优选与铜相比为高硬度。
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公开(公告)号：CN105073306A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480016455.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: B22F1/02 , B22F1/0011 , B22F1/0055 , H01B1/16
Abstract: 本发明的复合铜粒子是扁平状铜粒子与比该扁平状铜粒子更微细的多个无机氧化物粒子复合化而成的。无机氧化物粒子在扁平状铜粒子的表面均匀地存在。利用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的累积体积50体积％下的体积累积粒径D50优选为0.1μm以上且10μm以下。以板面的长径d与厚度t之比即d/t表示的长宽比还优选为5以上30以下。
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公开(公告)号：CN104703732A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052185.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B05D7/14 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F2999/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , Y10T428/12181 , B22F9/24
Abstract: 本发明提供一种具有由铜构成的芯粒子和位于该芯粒子表面上的银包覆层的银包铜粉。在将银包铜粉的BET比表面积规定为S1(m2/g)、将从通过显微镜观察银包铜粉并进行图像解析而求得的粒径D50算出的BET比表面积规定为S2(m2/g)、将银包覆层的厚度规定为t(nm)时，满足(S1/S2)≤0.005×t+1.45。由激光衍射散射式粒度分布测定法测得的累积体积50容量％下的体积累积粒径D50优选为0.1～20μm。
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公开(公告)号：CN104470657A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035784.5
申请日：2013-06-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B22F1/025 , B22F9/24 , C22C9/02 , H01B1/22 , H01B13/0026 , Y10T428/12181
Abstract: 本发明的复合铜粒子具有由铜构成的芯粒子和配置在该芯粒子的表面的由铜与锡的合金构成的被覆层，所述复合铜粒子的累积体积50容量％下的体积累积粒径D50为0.1～10.0μm。上述合金优选为CuSn。还优选含有3.0～12.0质量％的锡。该复合铜粒子适宜通过将含有由铜构成的芯粒子及锡源的化合物的水性浆料与锡的还原剂混合，在该芯粒子的表面形成由铜与锡的合金构成的被覆层来制造。
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