发明授权
- 专利标题: 半导体器件和形成半导体器件的方法
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申请号: CN201910912553.7申请日: 2019-09-25
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公开(公告)号: CN110957229B公开(公告)日: 2021-08-24
- 发明人: 江宗宪 , 黄育智 , 郭婷婷 , 戴志轩 , 吴邦立 , 曾英诚 , 赖季晖 , 刘家宏 , 蔡豪益 , 刘重希 , 余振华
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权: 62/737,282 20180927 US 16/266,276 20190204 US
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/31 ; H01L21/60
摘要:
在实施例中,半导体器件包括:传感器管芯,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域;密封剂,至少横向地密封传感器管芯;导电通孔,延伸穿过密封剂;以及前侧再分布结构,位于传感器管芯的第一表面上,前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯,前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域,前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
公开/授权文献
- CN110957229A 半导体器件和形成半导体器件的方法 公开/授权日:2020-04-03
IPC分类: