公开(公告)号：US20120012817A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13200363

申请日：2011-09-23

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A semiconductor device and methods of manufacturing and operating the semiconductor device may be disclosed. The semiconductor device may comprise different nanostructures. The semiconductor device may have a first element formed of nanowires and a second element formed of nanoparticles. The nanowires may be ambipolar carbon nanotubes (CNTs). The first element may be a channel layer. The second element may be a charge trap layer. In this regard, the semiconductor device may be a transistor or a memory device.

摘要翻译： 可以公开半导体器件以及制造和操作半导体器件的方法。 半导体器件可以包括不同的纳米结构。 半导体器件可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米粒子形成的第二元件。 纳米线可以是双极碳纳米管（CNTs）。 第一元件可以是沟道层。 第二元件可以是电荷陷阱层。 在这方面，半导体器件可以是晶体管或存储器件。

公开(公告)号：US08558303B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13200363

申请日：2011-09-23

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A semiconductor device and methods of manufacturing and operating the semiconductor device may be disclosed. The semiconductor device may comprise different nanostructures. The semiconductor device may have a first element formed of nanowires and a second element formed of nanoparticles. The nanowires may be ambipolar carbon nanotubes (CNTs). The first element may be a channel layer. The second element may be a charge trap layer. In this regard, the semiconductor device may be a transistor or a memory device.

摘要翻译： 可以公开半导体器件以及制造和操作半导体器件的方法。 半导体器件可以包括不同的纳米结构。 半导体器件可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米粒子形成的第二元件。 纳米线可以是双极碳纳米管（CNTs）。 第一元件可以是沟道层。 第二元件可以是电荷陷阱层。 在这方面，半导体器件可以是晶体管或存储器件。

公开(公告)号：US08063430B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12289055

申请日：2008-10-20

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A semiconductor device and methods of manufacturing and operating the semiconductor device may be disclosed. The semiconductor device may comprise different nanostructures. The semiconductor device may have a first element formed of nanowires and a second element formed of nanoparticles. The nanowires may be ambipolar carbon nanotubes (CNTs). The first element may be a channel layer. The second element may be a charge trap layer. In this regard, the semiconductor device may be a transistor or a memory device.

摘要翻译： 可以公开半导体器件以及制造和操作半导体器件的方法。 半导体器件可以包括不同的纳米结构。 半导体器件可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米粒子形成的第二元件。 纳米线可以是双极碳纳米管（CNTs）。 第一元件可以是沟道层。 第二元件可以是电荷陷阱层。 在这方面，半导体器件可以是晶体管或存储器件。

公开(公告)号：US20090101962A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12289055

申请日：2008-10-20

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Jiwoon Im ,  Minbaek Lee

IPC分类号： H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A semiconductor device and methods of manufacturing and operating the semiconductor device may be disclosed. The semiconductor device may comprise different nanostructures. The semiconductor device may have a first element formed of nanowires and a second element formed of nanoparticles. The nanowires may be ambipolar carbon nanotubes (CNTs). The first element may be a channel layer. The second element may be a charge trap layer. In this regard, the semiconductor device may be a transistor or a memory device.

摘要翻译： 可以公开半导体器件以及制造和操作半导体器件的方法。 半导体器件可以包括不同的纳米结构。 半导体器件可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米粒子形成的第二元件。 纳米线可以是双极碳纳米管（CNTs）。 第一元件可以是沟道层。 第二元件可以是电荷陷阱层。 在这方面，半导体器件可以是晶体管或存储器件。

公开(公告)号：US08350602B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US13089206

申请日：2011-04-18

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

IPC分类号： H03K3/01

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

摘要： A reconfigurable semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate, a first insulating material formed on the substrate, two channels having different polarities, a plurality of terminal electrodes formed on the insulating material and coupled in common with the channels at their opposite ends, a second insulating material formed on the terminal electrodes, and a control gate formed on the second insulating material. The channels have different polarity and a charge storage layer is formed inside the second insulating material. The control gate is applied with a forward bias or a reverse bias and then the bias is cut off. The voltage-current characteristics of the semiconductor device are changed according to an electrical charge created in the charge storage layer.

摘要翻译： 公开了可重新配置的半导体器件。 该半导体器件包括基板，形成在基板上的第一绝缘材料，具有不同极性的两个通道，形成在绝缘材料上的多个端子电极，并在其相对端与通道共同地连接，第二绝缘材料形成在 端子电极和形成在第二绝缘材料上的控制栅极。 通道具有不同的极性，并且在第二绝缘材料内形成电荷存储层。 控制栅极被施加正向偏压或反向偏压，然后偏压被切断。 半导体器件的电压 - 电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而改变。

公开(公告)号：US07968935B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12197961

申请日：2008-08-25

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

摘要： A reconfigurable semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate, a first insulating material formed on the substrate, two channels having different polarities, a plurality of terminal electrodes formed on the insulating material and coupled in common with the channels at their opposite ends, a second insulating material formed on the terminal electrodes, and a control gate formed on the second insulating material. The channels have different polarity and a charge storage layer is formed inside the second insulating material. The control gate is applied with a forward bias or a reverse bias and then the bias is cut off. The voltage-current characteristics of the semiconductor device are changed according to an electrical charge created in the charge storage layer.

摘要翻译： 公开了可重新配置的半导体器件。 该半导体器件包括基板，形成在基板上的第一绝缘材料，具有不同极性的两个通道，形成在绝缘材料上的多个端子电极，并在其相对端与通道共同地连接，第二绝缘材料形成在 端子电极和形成在第二绝缘材料上的控制栅极。 通道具有不同的极性，并且在第二绝缘材料内形成电荷存储层。 控制栅极被施加正向偏压或反向偏压，然后偏压被切断。 半导体器件的电压 - 电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而改变。

公开(公告)号：US20100044777A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12197961

申请日：2008-08-25

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

摘要： A reconfigurable semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate, a first insulating material formed on the substrate, two channels having different polarities, a plurality of terminal electrodes formed on the insulating material and coupled in common with the channels at their opposite ends, a second insulating material formed on the terminal electrodes, and a control gate formed on the second insulating material. The channels have different polarity and a charge storage layer is formed inside the second insulating material. The control gate is applied with a forward bias or a reverse bias and then the bias is cut off. The voltage-current characteristics of the semiconductor device are changed according to an electrical charge created in the charge storage layer.

摘要翻译： 公开了可重新配置的半导体器件。 该半导体器件包括基板，形成在基板上的第一绝缘材料，具有不同极性的两个通道，形成在绝缘材料上的多个端子电极，并在其相对端与通道共同地连接，第二绝缘材料形成在 端子电极和形成在第二绝缘材料上的控制栅极。 通道具有不同的极性，并且在第二绝缘材料内形成电荷存储层。 控制栅极被施加正向偏压或反向偏压，然后偏压被切断。 半导体器件的电压 - 电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而改变。

公开(公告)号：US20110210765A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13089206

申请日：2011-04-18

申请人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

发明人： Seunghun Hong ,  Sung Myung ,  Kwang Heo

IPC分类号： H03K3/01

CPC分类号： H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

摘要： A reconfigurable semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate, a first insulating material formed on the substrate, two channels having different polarities, a plurality of terminal electrodes formed on the insulating material and coupled in common with the channels at their opposite ends, a second insulating material formed on the terminal electrodes, and a control gate formed on the second insulating material. The channels have different polarity and a charge storage layer is formed inside the second insulating material. The control gate is applied with a forward bias or a reverse bias and then the bias is cut off. The voltage-current characteristics of the semiconductor device are changed according to an electrical charge created in the charge storage layer.

摘要翻译： 公开了可重新配置的半导体器件。 该半导体器件包括基板，形成在基板上的第一绝缘材料，具有不同极性的两个通道，形成在绝缘材料上的多个端子电极，并在其相对端与通道共同地连接，第二绝缘材料形成在 端子电极和形成在第二绝缘材料上的控制栅极。 通道具有不同的极性，并且在第二绝缘材料内形成电荷存储层。 控制栅极被施加正向偏压或反向偏压，然后偏压被切断。 半导体器件的电压 - 电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而改变。

公开(公告)号：US20100035186A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12210991

申请日：2008-09-15

申请人： Seunghun Hong ,  Juntae Koh

发明人： Seunghun Hong ,  Juntae Koh

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01B1/04 ,  H01B1/24 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01B1/24 ,  H01B1/04

摘要： Techniques for manufacturing a graphene structure solution and a graphene device are provided. A uniform graphene nanostructure solution is produced by applying anisotropic etching on a multi-layered graphene using an oxide nanowire as a mask. A graphene device is manufactured by dipping a substrate with a pattern of a molecule layer in a graphene nanostructure solution so that graphenes are aligned on the substrate with the pattern.

摘要翻译： 提供了用于制造石墨烯结构溶液和石墨烯装置的技术。 通过使用氧化物纳米线作为掩模在多层石墨烯上施加各向异性蚀刻来制造均匀的石墨烯纳米结构溶液。 通过将具有分子层图案的衬底浸渍在石墨烯纳米结构溶液中来制造石墨烯器件，使得石墨烯与图案在衬底上对准。

公开(公告)号：US07446324B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US10951031

申请日：2004-09-28

申请人： Chad A. Mirkin ,  Richard Piner ,  Seunghun Hong

发明人： Chad A. Mirkin ,  Richard Piner ,  Seunghun Hong

IPC分类号： G21G5/00

CPC分类号： B82B3/00 ,  B05D1/007 ,  B05D1/185 ,  B05D1/26 ,  G01Q80/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/165 ,  Y10S977/849 ,  Y10S977/853 ,  Y10S977/854 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/86 ,  Y10S977/88 ,  Y10S977/884 ,  Y10S977/885 ,  Y10S977/886 ,  Y10S977/895 ,  Y10T428/24802

摘要： The invention provides a lithographic method referred to as “dip pen” nanolithography (DPN). DPN utilizes a scanning probe microscope (SPM) tip (e.g., an atomic force microscope (AFM) tip) as a “pen,” a solid-state substrate (e.g., gold) as “paper,” and molecules with a chemical affinity for the solid-state substrate as “ink.” Capillary transport of molecules from the SPM tip to the solid substrate is used in DPN to directly write patterns consisting of a relatively small collection of molecules in submicrometer dimensions, making DPN useful in the fabrication of a variety of microscale and nanoscale devices. The invention also provides substrates patterned by DPN, including submicrometer combinatorial arrays, and kits, devices and software for performing DPN. The invention further provides a method of performing AFM imaging in air. The method comprises coating an AFM tip with a hydrophobic compound, the hydrophobic compound being selected so that AFM imaging performed using the coated AFM tip is improved compared to AFM imaging performed using an uncoated AFM tip. Finally, the invention provides AFM tips coated with the hydrophobic compounds.

摘要翻译： 本发明提供了称为“浸笔”纳米光刻（DPN）的光刻方法。 DPN使用扫描探针显微镜（SPM）尖端（例如，原子力显微镜（AFM）尖端）作为“笔”，固态基底（例如，金）作为“纸”，并且具有化学亲和力的分子 固态基板为“墨水”。 在DPN中使用分子从SPM尖端到固体基质的毛细管传输，以直接写入由亚微米尺寸的相对小的分子集合组成的图案，使得DPN可用于制造各种微尺寸和纳米尺寸的器件。 本发明还提供由DPN图案化的衬底，包括亚微米组合阵列，以及用于执行DPN的试剂盒，装置和软件。 本发明还提供了一种在空气中进行AFM成像的方法。 该方法包括用疏水性化合物涂覆AFM尖端，选择疏水性化合物，使得与使用未涂覆的AFM尖端进行的AFM成像相比，使用涂覆的AFM尖端进行的AFM成像得到改善。 最后，本发明提供涂覆有疏水化合物的AFM尖端。