公开(公告)号：US08828814B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13685729

申请日：2012-11-27

申请人： Semiconductor Manufacturing International Corp.

发明人： Wenbo Wang ,  Weihai Bu

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7833

摘要： A method is provided for fabricating an integrated semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first active region, a second active region and a plurality of isolation regions; forming a first gate dielectric layer on one surface of the semiconductor substrate; and forming a plurality of substituted gate electrodes, a layer of interlayer dielectric and sources/drains. The method also includes forming a first trench and a second trench; and covering the first gate dielectric layer on the bottom of the first trench. Further, the method includes removing the first dielectric layer on the bottom of the second trench; subsequently forming a second gate dielectric layer on the bottom of the second trench; and forming metal gates by filling the first trench and second trench using a high-K dielectric layer, followed by completely filling the first trench and the second trench using a gate metal layer.

摘要翻译： 提供了一种用于制造集成半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一有源区，第二有源区和多个隔离区的半导体衬底; 在所述半导体衬底的一个表面上形成第一栅极电介质层; 以及形成多个取代的栅极电极，层间电介质层和源极/漏极。 该方法还包括形成第一沟槽和第二沟槽; 并覆盖第一沟槽底部的第一栅介质层。 此外，该方法包括去除第二沟槽的底部上的第一介电层; 随后在所述第二沟槽的底部上形成第二栅极电介质层; 以及通过使用高K电介质层填充所述第一沟槽和第二沟槽来形成金属栅极，随后使用栅极金属层完全填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。

公开(公告)号：US08901675B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13714452

申请日：2012-12-14

申请人： Semiconductor Manufacturing International Corp.

发明人： Weihai Bu ,  Wenbo Wang ,  Shaofeng Yu ,  Hanming Wu

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823842

摘要： A method is provided for fabricating a CMOS device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first active region and a second active region. The method also includes forming a first trench on the first active region using a first barrier layer and a second substitute gate electrode layer to protect a gate region on the second active region, followed by forming a first work function layer and a first metal gate in the first trench. Further, the method includes forming a second trench on the second active region using a second barrier layer to protect the first metal gate structure, followed by forming a second work function layer and a second metal gate in the second trench.

摘要翻译： 提供了一种制造CMOS器件的方法。 该方法包括提供具有第一有源区和第二有源区的半导体衬底。 该方法还包括使用第一势垒层和第二替代栅极电极层在第一有源区上形成第一沟槽，以保护第二有源区上的栅极区，随后在第一有源区中形成第一功函数层和第一金属栅极 第一个沟槽。 此外，该方法包括使用第二阻挡层在第二有源区上形成第二沟槽，以保护第一金属栅极结构，随后在第二沟槽中形成第二功函数层和第二金属栅极。

公开(公告)号：US09129994B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13777142

申请日：2013-02-26

申请人： Semiconductor Manufacturing International Corp.

发明人： Wenbo Wang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/785

摘要： A fin field effect transistor (FET) including a fin structure and a method for forming the fin FET are provided. In an exemplary method, the fin FET can be formed by forming at least one fin seed, including a top surface and sidewalls, on a substrate. A first semiconductor layer can then be formed at least on the sidewalls of the at least one fin seed. A second semiconductor layer can be formed on the first semiconductor layer. The second semiconductor layer and the at least one fin seed can be made of a same material. The first semiconductor layer can be removed to form a fin structure including the at least one fin seed and the second semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了包括翅片结构的翅片场效应晶体管（FET）和用于形成鳍式FET的方法。 在一种示例性方法中，翅片FET可以通过在衬底上形成包括顶表面和侧壁的至少一个翅片种子来形成。 然后可以至少在至少一个翅片种子的侧壁上形成第一半导体层。 可以在第一半导体层上形成第二半导体层。 第二半导体层和至少一个翅片种子可以由相同的材料制成。 可以去除第一半导体层以形成包括至少一个翅片种子和第二半导体层的翅片结构。