公开(公告)号：US20140001625A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13933398

申请日：2013-07-02

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： HAUK HAN ,  Ho-Ki LEE ,  HyunSeok LIM ,  Kihyun YUN ,  MYOUNGBUM LEE ,  Jeonggil LEE ,  Tai-Soo LIM

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L23/49 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device may include a contact mold layer on a substrate, the contact mold layer defining first and second contact portions on the substrate, a wire mold layer on the contact mold layer, and first and second wires penetrating the wire mold layer and extending in a first direction, the first and second wires contacting the respective first and second contact portions and the contact mold layer. The first and second wires may be arranged in an alternating manner, and the first and second contact portions may be arranged to have a zigzag configuration. Each of the first and second contact portions may include a conductive pattern and a barrier pattern, and the barrier pattern may have a top surface lower than a top surface of the contact mold layer.

Abstract translation: 半导体器件可以包括在基板上的接触模制层，接触模具层限定基板上的第一和第二接触部分，接触模具层上的线模层，以及穿过线模层的第一和第二导线 第一方向，第一和第二线接触相应的第一和第二接触部分和接触模具层。 第一和第二导线可以以交替的方式布置，并且第一和第二接触部分可以被布置成具有锯齿形构造。 第一和第二接触部分中的每一个可以包括导电图案和阻挡图案，并且阻挡图案可以具有比接触模制层的顶表面低的顶表面。