公开(公告)号：US20220162128A1

公开(公告)日：2022-05-26

申请号：US17329001

申请日：2021-05-24

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/56 ,  C04B35/571 ,  C04B35/64 ,  C08G77/20 ,  C04B35/515 ,  C08L83/04 ,  C08G77/50 ,  C01B32/907

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US20210009430A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：US16825162

申请日：2020-03-20

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Mark S. Land ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  C04B35/56 ,  C04B35/571 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C01B32/977 ,  C08L83/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US20180201546A1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：US15924141

申请日：2018-03-16

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Mark S. Land ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C04B35/571 ,  C08L83/04 ,  C01B32/956 ,  C08L83/00 ,  C04B35/56 ,  C04B35/80 ,  C08G77/20 ,  C08G77/00 ,  C08G77/12

CPC分类号： C04B35/571 ,  C01B32/956 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08G77/80 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US12030819B2

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：US17367380

申请日：2021-07-04

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B32/956 ,  C01B32/977 ,  C04B35/515 ,  C04B35/56 ,  C04B35/571 ,  C04B35/80 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C08G77/00 ,  C08G77/12

CPC分类号： C04B35/571 ,  C01B32/956 ,  C01B32/977 ,  C04B35/515 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/80 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C08G77/12 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  C08L83/00

摘要： Materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC. Doped SiOC and SiC materials for providing semiconductor properties to SiC wafers, including p- and n-type properties.

公开(公告)号：US20230089735A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：US17687735

申请日：2022-03-07

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B32/907 ,  C04B35/571 ,  C04B35/56 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C04B35/80

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US20220002207A1

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：US17367380

申请日：2021-07-04

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C04B35/571 ,  C04B35/56 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C01B32/977 ,  C04B35/80 ,  C04B35/515 ,  C01B32/956 ,  C08L83/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US11820666B2

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：US17396687

申请日：2021-08-07

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Ashish P. Diwanji ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B33/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/571 ,  C08G77/50 ,  C04B35/56 ,  C08L83/04 ,  C08G77/20 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C01B32/977 ,  C04B35/80 ,  C08G77/12 ,  C09K8/80 ,  C08G77/00

CPC分类号： C01B32/956 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C01B32/977 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/571 ,  C04B35/80 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C08G77/12 ,  C08G77/80 ,  C09K8/80 ,  C08L83/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US11365124B2

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：US16825162

申请日：2020-03-20

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Mark S. Land ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B32/977 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  C04B35/56 ,  C04B35/571 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C04B35/80 ,  C08L83/00 ,  C08G77/12 ,  C08G77/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US10322974B2

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：US15924141

申请日：2018-03-16

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Mark S. Land ,  Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B32/956 ,  C04B35/571 ,  C04B35/56 ,  C04B35/80 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  C08L83/00 ,  C08G77/12 ,  C08G77/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

公开(公告)号：US20180290893A1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：US15939423

申请日：2018-03-29

申请人： Pallidus, Inc.

发明人： Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Andrew R. Hopkins ,  Isabel Burlingham ,  Mark S. Land

IPC分类号： C01B32/963 ,  C30B29/36 ,  C30B29/66 ,  C30B25/16

摘要： Volumetric shapes of SiC starting materials for boule growth. Methods of controlling vapor deposition growth of SiC boules, and providing directional flux. Methods of increase the number of wafers, the number of electronic components and the number of operable devices from a single boule growth cycle.