公开(公告)号：US09355886B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US14074596

申请日：2013-11-07

申请人： Novellus Systems, Inc.

发明人： Shankar Swaminathan ,  Bart van Schravendijk ,  Adrien LaVoie ,  Sesha Varadarajan ,  Jason Daejin Park ,  Michal Danek ,  Naohiro Shoda

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

摘要： A method and apparatus for conformally depositing a dielectric oxide in high aspect ratio gaps in a substrate is disclosed. A substrate is provided with one or more gaps into a reaction chamber where each gap has a depth to width aspect ratio of greater than about 5:1. A first dielectric oxide layer is deposited in the one or more gaps by CFD. A portion of the first dielectric oxide layer is etched using a plasma etch, where etching the portion of the first dielectric oxide layer occurs at a faster rate near a top surface than near a bottom surface of each gap so that the first dielectric oxide layer has a tapered profile from the top surface to the bottom surface of each gap. A second dielectric oxide layer is deposited in the one or more gaps over the first dielectric oxide layer via CFD.

摘要翻译： 公开了一种用于在衬底中的高纵横比间隙中共形沉积介电氧化物的方法和装置。 衬底在反应室中具有一个或多个间隙，其中每个间隙具有大于约5:1的深宽比。 第一电介质氧化物层通过CFD沉积在一个或多个间隙中。 使用等离子体蚀刻蚀刻第一电介质氧化物层的一部分，其中蚀刻第一电介质氧化物层的部分以比在每个间隙的底表面附近的顶表面附近以更快的速率发生，使得第一电介质氧化物层具有 从每个间隙的顶表面到底表面的锥形轮廓。 第二电介质氧化物层通过CFD沉积在第一电介质氧化物层上的一个或多个间隙中。

公开(公告)号：US20140134827A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US14074596

申请日：2013-11-07

申请人： Novellus Systems, Inc.

发明人： Shankar Swaminathan ,  Bart van Schravendijk ,  Adrien Lavoie ,  Sesha Varadarajan ,  Jason Daejin Park ,  Michal Danek ,  Naohiro Shoda

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

摘要： A method and apparatus for conformally depositing a dielectric oxide in high aspect ratio gaps in a substrate is disclosed. A substrate is provided with one or more gaps into a reaction chamber where each gap has a depth to width aspect ratio of greater than about 5:1. A first dielectric oxide layer is deposited in the one or more gaps by CFD. A portion of the first dielectric oxide layer is etched using a plasma etch, where etching the portion of the first dielectric oxide layer occurs at a faster rate near a top surface than near a bottom surface of each gap so that the first dielectric oxide layer has a tapered profile from the top surface to the bottom surface of each gap. A second dielectric oxide layer is deposited in the one or more gaps over the first dielectric oxide layer via CFD.

摘要翻译： 公开了一种用于在衬底中的高纵横比间隙中共形沉积介电氧化物的方法和装置。 衬底在反应室中具有一个或多个间隙，其中每个间隙具有大于约5:1的深宽比。 第一电介质氧化物层通过CFD沉积在一个或多个间隙中。 使用等离子体蚀刻蚀刻第一电介质氧化物层的一部分，其中蚀刻第一电介质氧化物层的部分以比在每个间隙的底表面附近的顶表面附近以更快的速率发生，使得第一电介质氧化物层具有 从每个间隙的顶表面到底表面的锥形轮廓。 第二电介质氧化物层通过CFD沉积在第一电介质氧化物层上的一个或多个间隙中。