公开(公告)号：US07768031B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11677251

申请日：2007-02-21

申请人： Naho Itagaki ,  Tomoyuki Oike ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

发明人： Naho Itagaki ,  Tomoyuki Oike ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

IPC分类号： H01L33/26 ,  H05B33/14

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/642 ,  C09K11/883

摘要： To provide a DC drive type inorganic light emitting device excellent in luminous efficiency, provided is a light emitting device, including: a substrate; and a first layer and a second layer laminated on the substrate, in which the second layer is formed of a first portion containing Zn and at least one element chosen from S and Se as its constituent elements; and a second portion containing at least one element chosen from Cu and Ag and at least one element chosen from S and Se as its constituent elements; the first layer is made of a light emitting layer formed of at least one element chosen from S and Se and of Zn; and, in the second layer, the second portion has a cross section parallel to the substrate which tapers toward the first layer.

摘要翻译： 为了提供发光效率优异的直流驱动型无机发光装置，提供了一种发光装置，包括：基板; 以及层叠在所述基板上的第一层和第二层，其中所述第二层由包含Zn的第一部分和选自S和Se的至少一种元素作为其构成元素形成; 和含有选自Cu和Ag中的至少一种元素的第二部分和选自S和Se的至少一种元素作为其组成元素; 第一层由由至少一种选自S和Se的元素和Zn形成的发光层制成; 并且在第二层中，第二部分具有平行于基板的横截面朝向第一层逐渐变细的横截面。

公开(公告)号：US20100109002A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12532185

申请日：2008-04-23

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/247

摘要： Provided is an oxynitride semiconductor comprising a metal oxynitride. The metal oxynitride contains Zn and at least one element selected from the group consisting of In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W, and Al. The metal oxynitride has an atomic composition ratio of N, N/(N+O), of 7 atomic percent or more to 80 atomic percent or less.

摘要翻译： 提供了包含金属氮氧化物的氧氮化物半导体。 金属氮氧化物含有Zn和选自In，Ga，Sn，Mg，Si，Ge，Y，Ti，Mo，W和Al中的至少一种元素。 金属氮氧化物的原子组成比为N，N /（N + O），为7原子％以上且在80原子％以下。

公开(公告)号：US20090189153A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12064302

申请日：2006-09-05

申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den ,  Naho Itagaki

发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den ,  Naho Itagaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed herein is a field-effect transistor comprising a channel comprised of an oxide semiconductor material including In and Zn. The atomic compositional ratio expressed by In/(In+Zn) is not less than 35 atomic % and not more than 55 atomic %. Ga is not included in the oxide semiconductor material or the atomic compositional ratio expressed by Ga/(In+Zn+Ga) is set to be 30 atomic % or lower when Ga is included therein. The transistor has improved S-value and field-effect mobility.

摘要翻译： 本文公开了一种场效应晶体管，其包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道。 In /（In + Zn）表示的原子组成比为35原子％以上55原子％以下。 Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包含Ga时，由Ga /（In + Zn + Ga）表示的原子组成比设定为30原子％以下。 晶体管具有改善的S值和场效应迁移率。

公开(公告)号：US20090269880A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12447199

申请日：2007-11-09

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

IPC分类号： H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor containing an channel layer 11 having indium oxide, including forming an indium oxide film as an channel layer and subjecting the formed indium oxide film to an annealing in an oxidizing atmosphere.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管含有具有氧化铟的沟道层11，包括形成氧化铟膜作为沟道层，并使所形成的氧化铟膜在氧化气氛中进行退火。

公开(公告)号：US08274078B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12532185

申请日：2008-04-23

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/247

摘要： Provided is an oxynitride semiconductor comprising a metal oxynitride. The metal oxynitride contains Zn and In and at least one element selected from the group consisting of Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W, and Al. The metal oxynitride has an atomic composition ratio of N, N/(N+O), of 7 atomic percent or more to 80 atomic percent or less.

摘要翻译： 提供了包含金属氮氧化物的氧氮化物半导体。 金属氮氧化物含有Zn和In以及选自Ga，Sn，Mg，Si，Ge，Y，Ti，Mo，W和Al中的至少一种元素。 金属氮氧化物的原子组成比为N，N /（N + O），为7原子％以上且在80原子％以下。

公开(公告)号：US08084307B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12447199

申请日：2007-11-09

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor containing an channel layer 11 having indium oxide, including forming an indium oxide film as an channel layer and subjecting the formed indium oxide film to an annealing in an oxidizing atmosphere.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管含有具有氧化铟的沟道层11，包括形成氧化铟膜作为沟道层，并使所形成的氧化铟膜在氧化气氛中进行退火。

公开(公告)号：US20100140611A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12597934

申请日：2008-05-22

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/247

摘要： In a field effect transistor, a channel layer of the field effect transistor is composed of an amorphous oxide including In, Zn, N and O, an atomic composition ratio of N to N and O (N/(N+O)) in the amorphous oxide is equal to or larger than 0.01 atomic percent and equal to or smaller than 3 atomic percent, and the amorphous oxide does not include Ga, or, in a case where the amorphous oxide includes Ga, the number of Ga atoms contained in the amorphous oxide is smaller than the number of N atoms.

摘要翻译： 在场效应晶体管中，场效应晶体管的沟道层由包括In，Zn，N和O的无定形氧化物，N与N的原子组成比和O（N /（N + O））的原子组成比组成 无定形氧化物等于或大于0.01原子％且等于或小于3原子％，并且非晶氧化物不包括Ga，或者在非晶氧化物包括Ga的情况下，包含在 无定形氧化物小于N原子数。

公开(公告)号：US08164090B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12573381

申请日：2009-10-05

申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki

发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78618

摘要： A field effect transistor has a gate electrode, gate-insulating layer, a channel and a source and drain electrodes connected electrically to the channel, the channel comprising an oxide semiconductor, the source electrode or the drain electrode comprising an oxynitride.

摘要翻译： 场效应晶体管具有栅极电极，栅极绝缘层，沟道以及与沟道电连接的源极和漏极，所述沟道包括氧化物半导体，源电极或漏电极包括氧氮化物。

公开(公告)号：US20100084655A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12573381

申请日：2009-10-05

申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki

发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Naho Itagaki

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78618

摘要： A field effect transistor has a gate electrode, gate-insulating layer, a channel and a source and drain electrodes connected electrically to the channel, the channel comprising an oxide semiconductor, the source electrode or the drain electrode comprising an oxynitride.

摘要翻译： 场效应晶体管具有栅极电极，栅极绝缘层，沟道以及与沟道电连接的源极和漏极，所述沟道包括氧化物半导体，源电极或漏电极包括氧氮化物。

公开(公告)号：US08679650B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US12571499

申请日：2009-10-01

申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Katsuyuki Hoshino

发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Katsuyuki Hoshino

IPC分类号： B32B9/04 ,  C23C14/34

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403

摘要： A laminated structure comprises a first layer comprising a crystal with six-fold symmetry, and a second layer comprising a metal oxynitride crystal formed on the first layer The second layer comprises at least one element selected from the group consisting of In, Ga, Si, Ge and Al, N, O and Zn, as main elements, and has in-plane orientation.

摘要翻译： 叠层结构包括第一层，其包含具有六重对称性的晶体，第二层包括在第一层上形成的金属氧氮化物晶体。第二层包括选自In，Ga，Si， Ge和Al，N，O和Zn作为主要元素，并具有面内取向。