公开(公告)号：US20140312356A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：US14223296

申请日：2014-03-24

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Tony Vanhoucke ,  Viet Thanh Dinh ,  Anco Heringa ,  Dirk Claasen ,  Evelyne Gridelet ,  Jan Willem Slotboom

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/737 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6628 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/739

Abstract: A semiconductor device and a method of making the same. The device includes a semiconductor substrate. The device also includes a bipolar transistor on the semiconductor substrate. The bipolar transistor includes an emitter. The bipolar transistor also includes a base located above the emitter. The bipolar transistor further includes a laterally extending collector located above the base. The collector includes a portion that extends past an edge of the base.

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法。 该器件包括半导体衬底。 该器件还包括半导体衬底上的双极晶体管。 双极晶体管包括发射极。 双极晶体管还包括位于发射极之上的基极。 双极晶体管还包括位于基极上方的横向延伸的收集器。 收集器包括延伸经过基座边缘的部分。