公开(公告)号：US20100023146A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12497349

申请日：2009-07-02

申请人： Masayuki HATANO ,  Tetsuro NAKASUGI

发明人： Masayuki HATANO ,  Tetsuro NAKASUGI

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/31265 ,  G05B2219/32196 ,  Y02P90/22

摘要： A control method for a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: generating, as log data, a history of operation states of the semiconductor manufacturing apparatus when a wafer is processed by the semiconductor manufacturing apparatus; specifying, based on the log data, processing results in which operation states of the semiconductor manufacturing apparatus are abnormal states out of processing results after the processing of the wafer processed by the semiconductor manufacturing apparatus as abnormal processing results; creating control data for the semiconductor manufacturing apparatus based on the processing results and the abnormal processing results; and controlling the processing by the semiconductor manufacturing apparatus using the control data.

摘要翻译： 一种半导体制造装置的控制方法，包括：当半导体制造装置处理晶片时，产生作为对数数据的半导体制造装置的工作状态的历史; 基于对数数据，指定在由半导体制造装置处理的晶片处理之后的处理结果中作为异常处理结果的半导体制造装置的操作状态为异常状态的处理结果; 基于处理结果和异常处理结果创建半导体制造装置的控制数据; 以及使用控制数据来控制半导体制造装置的处理。

公开(公告)号：US20090246709A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12407142

申请日：2009-03-19

申请人： Tetsuro NAKASUGI ,  Takashi SATO ,  Kazutaka ISHIGO

发明人： Tetsuro NAKASUGI ,  Takashi SATO ,  Kazutaka ISHIGO

IPC分类号： G03F7/20 ,  B28B11/08

CPC分类号： H01L23/544 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A manufacturing method of a semiconductor device includes preparing a first circuit pattern original plate including a first pattern part of a mark pattern, preparing a second circuit pattern original plate including a second pattern part of the mark pattern, transferring the first pattern part to a mask film on an underlying area to form a first transfer pattern part in the mask film, transferring the second pattern part to the mask film to form a second transfer pattern part in the mask film, and patterning the underlying area by using the mask film including a transfer mark pattern, which is obtained by combining the first transfer pattern part and the second transfer pattern part, as a mask to form an underlying mark pattern in the underlying area.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法包括：制备包括标记图案的第一图案部分的第一电路图案原版，制备包括标记图案的第二图案部分的第二电路图案原版，将第一图案部分转印到掩模 在掩模膜上形成第一转印图案部分，将第二图案部分转印到掩模膜上，以在掩模膜中形成第二转印图案部分，并通过使用掩模膜对其下面的区域进行图案化 转印标记图案，其通过组合第一转印图案部分和第二转印图案部分而获得，作为掩模，以在下面的区域中形成下面的标记图案。

公开(公告)号：US20090206280A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12363123

申请日：2009-01-30

申请人： Takeshi KOSHIBA ,  Tetsuro NAKASUGI ,  Ryoichi INANAMI ,  Takumi OTA ,  Hiroyuki MIZUNO

发明人： Takeshi KOSHIBA ,  Tetsuro NAKASUGI ,  Ryoichi INANAMI ,  Takumi OTA ,  Hiroyuki MIZUNO

IPC分类号： A61N5/00 ,  H01J3/14

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： The first charged-beam optical system, which is one of the charged-beam optical systems, detects first marks provided on the chips formed in the wafer. The positions of the chips made in the wafer are calculated from position data about the first marks detected. The charged-beam optical systems detect the second mark provided on a stage. The position of the beam generated by each charged-beam optical system is adjusted in accordance with position data about the second mark detected. The charged-beam optical systems are used in accordance with the positions of the chips, to thereby draw a pattern.

摘要翻译： 作为带电光束光学系统之一的第一带电束光学系统检测在晶片上形成的芯片上提供的第一标记。 根据关于检测到的第一标记的位置数据计算在晶片中制造的芯片的位置。 带电光束光学系统检测在舞台上提供的第二标记。 根据检测到的第二标记的位置数据来调整由每个带电束光学系统产生的光束的位置。 根据芯片的位置使用带电束光学系统，从而绘制图案。