公开(公告)号：US09123769B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13915810

申请日：2013-06-12

申请人： Magnachip Semiconductor, Ltd.

发明人： Ho Hyun Kim ,  Seung Bae Hur ,  Seung Wook Song ,  Jeong Hwan Park ,  Ha Yong Yang ,  In Su Kim

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： Provided is a power semiconductor device and a fabrication method thereof are provided. The power semiconductor device includes: a first epitaxial layer; a collector layer formed on one side of the first epitaxial layer; and a second epitaxial layer formed on another side of the first epitaxial layer, the first epitaxial layer having a higher doping concentration than the second epitaxial layer.

摘要翻译： 提供了功率半导体器件及其制造方法。 功率半导体器件包括：第一外延层; 集电极层，形成在所述第一外延层的一侧上; 以及形成在所述第一外延层的另一侧上的第二外延层，所述第一外延层具有比所述第二外延层更高的掺杂浓度。