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1.发明授权High frequency and voltage transistor with added region for punch-through protection 失效高频和高压晶体管，附加区域用于穿通保护
公开(公告)号：US3404295A
公开(公告)日：1968-10-01
申请号：US41452564
申请日：1964-11-30
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L27/0761 , H01L29/00 , H01L29/0821 , Y10S148/037 , Y10S148/145
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2.发明授权High gain amplifier employing cascaded opposite conductivity field effect transistors 失效采用级联反向导电场效应晶体管的高增益放大器
公开(公告)号：US3359503A
公开(公告)日：1967-12-19
申请号：US45676065
申请日：1965-05-18
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M
IPC: H03F3/345
CPC classification number: H03F3/3455
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：US3255364A
公开(公告)日：1966-06-07
申请号：US29409663
申请日：1963-07-10
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M
IPC: H03H11/42
CPC classification number: H03H11/42
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公开(公告)号：US3360698A
公开(公告)日：1967-12-26
申请号：US39167364
申请日：1964-08-24
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M , KONNAN YEHUDA A
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0229
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5.发明授权Logic elements using field-effect transistors in source follower configuration 失效在源跟随器配置中使用场效应晶体管的逻辑元件
公开(公告)号：US3299291A
公开(公告)日：1967-01-17
申请号：US34566764
申请日：1964-02-18
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M , GEZA CSANKY
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H03K19/09407
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公开(公告)号：US3223904A
公开(公告)日：1965-12-14
申请号：US44586465
申请日：1965-03-31
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M , ONODERA GEORGE C , CORRIGAN WILFRED J
IPC: H01L21/205 , H01L29/00 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/808 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/00 , Y10S148/003 , Y10S148/018 , Y10S148/085 , Y10S148/145
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公开(公告)号：US3303413A
公开(公告)日：1967-02-07
申请号：US30241063
申请日：1963-08-15
Applicant: MOTOROLA INC
Inventor： WARNER JR RAYMOND M , CARLSON FRANK R
IPC: G05F3/18
CPC classification number: G05F3/185
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