公开(公告)号：US20070037078A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11463826

申请日：2006-08-10

Applicant: Kun-Gu LEE ,  Ki-Ho SEONG ,  Yoo-Mi LEE

Inventor： Kun-Gu LEE ,  Ki-Ho SEONG ,  Yoo-Mi LEE

IPC: G03C5/00

CPC classification number: G01R31/318511 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/3193

Abstract: A reference wafer for calibrating a laser and a camera and checking laser accuracy and spot size. The reference wafer may include a light absorption layer on a semiconductor substrate and a light reflection layer pattern on the light absorption layer. The light reflection layer pattern may include a first pattern for checking the laser accuracy and spot size and a second pattern for calibrating the laser and camera. A first anti-reflective layer may be introduced between the light absorption layer and the semiconductor substrate, and a second anti-reflective layer may be introduced between the light absorption layer and the light reflection layer pattern.

Abstract translation: 用于校准激光和相机的参考晶片，并检查激光精度和光斑尺寸。 参考晶片可以包括半导体衬底上的光吸收层和光吸收层上的光反射层图案。 光反射层图案可以包括用于检查激光精度和光斑尺寸的第一图案和用于校准激光和照相机的第二图案。 可以在光吸收层和半导体衬底之间引入第一抗反射层，并且可以在光吸收层和光反射层图案之间引入第二抗反射层。

公开(公告)号：US20090302418A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12478365

申请日：2009-06-04

Applicant: Hyun-Soo CHUNG ,  Dong-Ho LEE ,  Dong-Hyeon JANG ,  Eun-Chul AHN ,  Kun-Gu LEE ,  Chang-Woo SHIN

Inventor： Hyun-Soo CHUNG ,  Dong-Ho LEE ,  Dong-Hyeon JANG ,  Eun-Chul AHN ,  Kun-Gu LEE ,  Chang-Woo SHIN

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided is a fuse structure of a semiconductor device. The fuse structure may include an insulating layer pattern structure, a fuse and a protecting layer pattern. The insulating layer pattern structure may be formed on a substrate. The insulating layer pattern structure may have an opening. The fuse may be formed in the opening. The protecting layer pattern may be formed in the opening of the insulating layer pattern structure to cover the fuse.

Abstract translation: 提供半导体器件的熔丝结构。 熔丝结构可以包括绝缘层图案结构，熔丝和保护层图案。 绝缘层图案结构可以形成在基板上。 绝缘层图案结构可以具有开口。 保险丝可以形成在开口中。 保护层图案可以形成在绝缘层图案结构的开口中以覆盖保险丝。

公开(公告)号：US20090236688A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12478583

申请日：2009-06-04

Applicant: Tai-Heui CHO ,  Kun-Gu LEE

Inventor： Tai-Heui CHO ,  Kun-Gu LEE

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a fuse region and an interconnection region, a first insulating layer formed in the fuse region and the interconnection region, a fuse pattern formed on the first insulating layer in the fuse region, the fuse pattern including a first conductive pattern and a first capping pattern, an interconnection pattern formed on the first insulating layer in the interconnection region, including a second conductive pattern and a second capping pattern, and having a thickness greater than the thickness of the fuse pattern, and a second insulating layer formed on the first insulating layer and covering the fuse pattern.

Abstract translation: 半导体器件包括具有熔丝区域和互连区域的半导体衬底，形成在熔丝区域和互连区域中的第一绝缘层，形成在熔丝区域中的第一绝缘层上的熔丝图案，熔丝图案包括第一 导电图案和第一封盖图案，形成在互连区域中的第一绝缘层上的互连图案，包括第二导电图案和第二封盖图案，并且具有大于熔丝图案的厚度的厚度，以及第二绝缘体 层，形成在第一绝缘层上并覆盖熔丝图案。