公开(公告)号：US08322828B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12499415

申请日：2009-07-08

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Eiji Osawa

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Eiji Osawa

IPC分类号： B41J2/045 ,  H02N2/00 ,  H01L41/187 ,  C04B35/00

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03

摘要： A liquid jet head includes: a nozzle plate having a nozzle opening; a pressure chamber substrate having a pressure chamber communicating with the nozzle opening and formed above the nozzle plate; a vibration formed on one side of the pressure chamber substrate; and a piezoelectric element formed above the vibration plate and provided at a position corresponding to the pressure chamber, wherein the piezoelectric element includes two electrodes, a piezoelectric layer provided between the electrodes, and an orientation layer that is provided between one of the electrodes closer to the vibration plate and the piezoelectric layer, wherein the orientation layer includes a mixed crystal of lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate included in the mixed crystal is expressed by a formula LaxNiyOz, where x is an integer of any of 1 to 3, y is 1 or 2, and z is an integer of any of 2 to 7.

摘要翻译： 液体喷射头包括：具有喷嘴开口的喷嘴板; 压力室基板，其具有与喷嘴开口连通并形成在喷嘴板上方的压力室; 形成在压力室基板的一侧的振动; 以及压电元件，其形成在所述振动板的上方并且设置在与所述压力室对应的位置处，其中，所述压电元件包括​​两个电极，设置在所述电极之间的压电层，以及设置在所述电极之间的更接近 所述振动板和所述压电层，其中所述取向层包括镍酸镧的混合晶体，并且所述混合晶体中包含的所述镍酸镧由式LaxNiyOz表示，其中x是1至3中任一项的整数，y是 1或2，z为2〜7任意的整数。

公开(公告)号：US07710004B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12400859

申请日：2009-03-10

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/047

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US07622850B2

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US11304937

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/047

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/20 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176

摘要： A piezoelectric device includes: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including at least one buffer layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum-based layered perovskite compound; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 压电装置包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧基层状钙钛矿化合物形成的至少一个缓冲层; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US07291960B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/047

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镍酸镧形成的导电氧化物层和具有氧缺陷的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。

公开(公告)号：US20070170053A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11655957

申请日：2007-01-19

申请人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

发明人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/088 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3. The insulating target material includes: an oxide of an element A; an oxide of an element B; an oxide of an element X; and at least one of an Si compound and a Ge compound, the element A being at least one element selected from La, Ca, Sr, Mn, Ba, and Re, the element B being at least one element selected from Ti, V, Sr, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ru, Ir, Pb, and Nd, and the element X being at least one element selected from Nb, Ta, and V.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO 3 3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料。 绝缘靶材料包括：元素A的氧化物; 元素B的氧化物; 元素X的氧化物; 以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种，元素A为选自La，Ca，Sr，Mn，Ba和Re中的至少一种元素，元素B为选自Ti，V， Sr，Cr，Fe，Co，Ni，Cu，Ru，Ir，Pb和Nd，元素X为选自Nb，Ta和V中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20060139414A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304937

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B41J2/045

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  H01L27/20 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/176

摘要： A piezoelectric device includes: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including at least one buffer layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum-based layered perovskite compound; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

公开(公告)号：US07707701B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11358836

申请日：2006-02-20

申请人： Setsuya Iwashita ,  Koji Ohashi ,  Takamitsu Higuchi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Koji Ohashi ,  Takamitsu Higuchi

IPC分类号： H01L41/22 ,  H01L41/00 ,  B41J2/045

CPC分类号： H01L41/319 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1646 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/29 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49401

摘要： A method for manufacturing a piezoelectric element includes the steps of forming a first electrode above a substrate, forming above the first electrode a piezoelectric layer composed of a piezoelectric material having a perovskite structure, and forming a second electrode above the piezoelectric layer, wherein the step of forming the first electrode includes forming a lanthanum nickelate layer that is oriented to a cubic (100) by a sputter method, and a ratio of nickel to lanthanum (Ni/La) in a target used for the sputter method is greater than 1 but smaller than 1.5.

摘要翻译： 一种制造压电元件的方法包括以下步骤：在基板上形成第一电极，在第一电极上方形成由具有钙钛矿结构的压电材料构成的压电层，并在压电层上方形成第二电极，其中步骤 形成第一电极包括通过溅射法形成定向为立方（100）的镍酸镧层，并且用于溅射法的靶中的镍与镧（Ni / La）的比例大于1，但是 小于1.5。

公开(公告)号：US07524451B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B28B1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US20070040243A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO 3 3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物的绝缘靶材料，以及元素B的至少一种 Si化合物和Ge化合物。

公开(公告)号：US20060138906A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11304938

申请日：2005-12-15

申请人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

发明人： Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： B41J2/14233 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973

摘要： A piezoelectric device including: a substrate; a first conductive layer formed over the substrate, the first conductive layer including a conductive oxide layer formed of a (001) preferentially oriented lanthanum nickelate, and the lanthanum nickelate having oxygen deficiency; a piezoelectric layer formed over the first conductive layer and including a piezoelectric having a perovskite structure; and a second conductive layer electrically connected with the piezoelectric layer.

摘要翻译： 一种压电装置，包括：基板; 形成在所述基板上的第一导电层，所述第一导电层包括由（001）优先取向的镧镍酸盐形成的导电氧化物层和所述镍缺乏的所述镍酸镧; 形成在所述第一导电层上并包括具有钙钛矿结构的压电体的压电层; 以及与压电层电连接的第二导电层。