公开(公告)号：US06844751B2

公开(公告)日：2005-01-18

申请号：US09965452

申请日：2001-09-26

申请人： Andrew Marshall ,  George E. Harris

发明人： Andrew Marshall ,  George E. Harris

IPC分类号： G01R31/28 ,  G01R31/3185 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G01R31/26

CPC分类号： G01R31/318505 ,  G01R31/318511 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A test selector that multiplexes different test structures (202) to an adjacent probe pad (206) in dependence on the probe voltage. In addition, a scribeline test circuit is disclosed that includes a test selector circuit located in a single scribeline portion between two adjacent die locations. Multiple test structures and at least one probe pad also are located in the single scribeline portion. The test selector circuit makes an electrical connection from the probe pad to a selected one of the test structures depending upon a voltage applied at the probe pad.

摘要翻译： 测试选择器，其根据探针电压将不同的测试结构（202）复用到相邻探针焊盘（206）。 此外，公开了一种划线测试电路，其包括位于两个相邻管芯位置之间的单个划线部分中的测试选择器电路。 多个测试结构和至少一个探针垫也位于单个划线部分中。 测试选择器电路根据在探针焊盘上施加的电压，从探针焊盘到所选择的一个测试结构进行电连接。

公开(公告)号：US06350673B1

公开(公告)日：2002-02-26

申请号：US09373215

申请日：1999-08-12

申请人： David L. Larkin ,  George E. Harris ,  William D. Smith

发明人： David L. Larkin ,  George E. Harris ,  William D. Smith

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/51 ,  Y10S438/958

摘要： A method for decreasing CHC degradation is provided. The method includes providing a semiconductor device (10) having at least one metal layer (28) completed. Then, a planarizing dielectric layer (30) is added to the semiconductor device (10). The semiconductor device (10) is heated in a hydrogen rich environment until hydrogen completely saturates the semiconductor device (10).

摘要翻译： 提供了降低CHC降解的方法。 该方法包括提供具有完成的至少一个金属层（28）的半导体器件（10）。 然后，将平坦化介电层（30）加入到半导体器件（10）中。 半导体器件（10）在富含氢气的环境中被加热，直到氢完全饱和半导体器件（10）。

公开(公告)号：US4533555A

公开(公告)日：1985-08-06

申请号：US608591

申请日：1984-05-09

申请人： George E. Harris

发明人： George E. Harris

IPC分类号： B29C33/00 ,  B29C51/08 ,  H01H13/702 ,  B29C17/00

CPC分类号： H01H13/702 ,  B29C51/082 ,  B29C33/0022 ,  B29L2031/3443 ,  H01H2229/05 ,  H01H2229/058 ,  Y10S425/048

摘要： An apparatus is provided for thermoforming a plurality of protrusions in a plastic sheet. The thermoforming apparatus comprises a pneumatic press having a pair of male and female die plates with respective projections and cavities. One of the die plates is heated. The other die plate is cooled. The cooled die plate is provided with vacuum to ensure that the thermoformed plastic sheet is held against the cooled die plate upon the opening of the press to, in turn, ensure the cooling of the plastic sheet prior to its removal.

摘要翻译： 提供了一种用于在塑料片中热成型多个突起的装置。 热成型设备包括具有一对具有相应凸起和空腔的阳模和阴模板的气动压力机。 其中一个模板被加热。 另一个模板被冷却。 冷却的模板被提供真空，以确保热成型塑料片在打开压机时被保持抵靠冷却的模板，从而确保在其移除之前塑料片的冷却。

公开(公告)号：US06968287B2

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US10816246

申请日：2004-04-01

申请人： George E. Harris ,  Randy L. Brown, II

发明人： George E. Harris ,  Randy L. Brown, II

IPC分类号： G01K7/00 ,  G01R31/28 ,  G01R31/30 ,  G06F11/30

CPC分类号： G01R31/3008 ,  G01R31/2879

摘要： According to one embodiment of the invention, a method for predicting burn-in conditions includes identifying a baseline IDDQ, a baseline temperature, and a baseline IDDQ current density based on a plurality of existing burn-in data for one or more existing devices, determining a theoretical IDDQ current density for a device, determining a ratio of the theoretical IDDQ current density to the baseline IDDQ current density, determining a theoretical process metric for the device at the baseline temperature based on the ratio and the baseline IDDQ, measuring a process metric for an actual device, comparing the process metric for the actual device and the theoretical process metric for the device, and determining an actual burn-in temperature for the actual device based on the comparison.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，一种用于预测老化条件的方法包括基于用于一个或多个现有设备的多个现有老化数据来识别基线IDDQ，基线温度和基线IDDQ电流密度，确定 确定器件的理论IDDQ电流密度，确定理论IDDQ电流密度与基线IDDQ电流密度的比率，基于比率和基线IDDQ确定器件在基线温度下的理论工艺度量，测量过程度量 对于实际设备，比较实际设备的过程度量和设备的理论过程度量，并且基于比较来确定实际设备的实际老化温度。

公开(公告)号：US06297990B1

公开(公告)日：2001-10-02

申请号：US09407216

申请日：1999-09-28

申请人： George E. Harris ,  Tim Coffman

发明人： George E. Harris ,  Tim Coffman

IPC分类号： G11C1606

CPC分类号： G11C16/28

摘要： A floating-gate memory which uses a skewed reference for sensing. The skewed reference preferably has a substantially different VT implant dose than the array cells, and can also have different sizing.

摘要翻译： 浮动栅极存储器，其使用偏斜参考用于感测。 倾斜的参考优选地具有与阵列细胞基本上不同的VT注入剂量，并且也可以具有不同的尺寸。

公开(公告)号：US06597035B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09615134

申请日：2000-07-13

申请人： George E. Harris

发明人： George E. Harris

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/115

摘要： A robust reference sensing cell for FLASH memory is formed. The cell utilizes floating gate transistors with a drain transition region concentration gradient that is less than the drain transition region concentration gradient of the floating gate transistors used to form the FLASH memory cell array.

摘要翻译： 形成用于闪存的鲁棒的参考感测单元。 电池利用具有小于用于形成闪存单元阵列的浮栅晶体管的漏极过渡区浓度梯度的漏极过渡区浓度梯度的浮栅晶体管。