公开(公告)号：US20120201735A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13392269

申请日：2010-08-26

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36 ,  B01J19/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63496 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72

摘要： Disclosed herein is a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method and system. That is, a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method of the present invention includes the step of producing a mixture consisting of silicon sources and carbon sources in a mixer; and the step of synthesizing silicon carbide (SiC) pulverulent body by heating the mixture at a vacuum degree of larger than 0.03 torr and equal to and less than 0.5 torr and at a temperature of equal to or larger than 1300° C. and equal to and less than 1900° C.

摘要翻译： 本文公开了一种高纯度碳硅粉体制造方法和系统。 也就是说，本发明的高纯度碳硅粉末体制造方法包括在混合器中制造由硅源和碳源组成的混合物的步骤; 以及通过以大于0.03托和等于或小于0.5托的真空度和等于或大于1300℃的温度加热混合物来合成碳化硅（SiC）粉末体的步骤，并且等于或等于 低于1900°C

公开(公告)号：US20130129599A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813026

申请日：2011-07-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/956 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/36

摘要： Disclosed are a silicon carbide and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing silicon carbide includes mixing a silicon source with a carbon source, and heating a mixture of the silicon and carbon sources to form the silicon carbide. At least one of the silicon source and the carbon source has an average grain size of about 10 nm to about 100 nm.

摘要翻译： 公开了一种碳化硅及其制造方法。 制造碳化硅的方法包括将硅源与碳源混合，并加热硅和碳源的混合物以形成碳化硅。 硅源和碳源中的至少一个具有约10nm至约100nm的平均晶粒尺寸。

公开(公告)号：US09846084B2

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：US14130251

申请日：2012-06-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： F27D7/06 ,  G01K1/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B17/00 ,  F27D21/00 ,  F27B5/14 ,  F27D19/00

CPC分类号： G01K1/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B17/0016 ,  F27B2005/143 ,  F27D7/06 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0025

摘要： A vacuum heat treatment apparatus according to the embodiment comprises a chamber; a thermal insulator in the chamber; a reaction container in the thermal insulator; a heating member between the reaction container and the the thermal insulator for heating the reaction container; and a temperature measuring member in or on a surface of the reaction container, wherein the temperature measuring member comprises a thermocouple and a protective tube surrounding the thermocouple, and the protective tube comprises tungsten (W), tantalum (Ta), or silicon carbide (SiC).

公开(公告)号：US09254589B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14239750

申请日：2012-08-17

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C04B35/52 ,  B29C43/56 ,  B28B3/00 ,  B29C70/00 ,  F27B5/04

CPC分类号： B29C43/56 ,  B28B3/00 ,  B29C70/00 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B38/0022 ,  C04B2111/00948 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77 ,  F27B5/04 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： Disclose are a reaction container and a vacuum heat treatment apparatus. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite mixture by mixing first and second graphite powders having particle sizes different from each other, preparing a graphite molded body by pressing the graphite mixture, and processing the graphite molded body. The density of the graphite molded body is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite molded body by pressing graphite powders, and processing the graphite molded body to prepare the reaction container. A carbon source is impregnated into the graphite molded body or the reaction container, and density of the reaction container is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3.

摘要翻译： 透明的是反应容器和真空热处理装置。 制备反应容器的方法包括通过混合具有彼此不同的粒径的第一和第二石墨粉末来制备石墨混合物，通过压制石墨混合物制备石墨模制体，以及加工石墨模制体。 石墨模制体的密度在1.8g / cm 3至2.1g / cm 3的范围内。 制备反应容器的方法包括通过压制石墨粉制备石墨模制体，并加工石墨模塑体以制备反应容器。 将碳源浸渍在石墨成型体或反应容器中，反应容器的密度为1.8g / cm 3〜2.1g / cm 3。

公开(公告)号：US09102543B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14236813

申请日：2012-08-01

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C04B2235/3826

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并使所述混合物反应，其中所述碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内。

公开(公告)号：US20140209838A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14241934

申请日：2012-08-08

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim ,  Gun Young Gil

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim ,  Gun Young Gil

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B32/956 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/626 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a solid carbon source or a carbon source comprising an organic carbon compound; supplying binder into the mixture to granulate the mixture; and reacting the granulated mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括通过将包含硅的硅源与固体碳源或包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物的步骤; 向混合物中供应粘合剂以使混合物成粒; 并使造粒的混合物反应。

公开(公告)号：US09416012B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14129219

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/00 ,  C01B31/36 ,  C04B35/573 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon, a silicon carbide source and a carbone source comprising at least one of a solid carbon and a organic compound; and reacting the mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合包含硅，碳化硅源和包含至少一种固体碳和有机化合物的碳源的硅源来制备混合物; 并使该混合物反应。

公开(公告)号：US09409782B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14129222

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/36 ,  C01B31/30 ,  C01B33/00 ,  C04B35/573 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a carbon source comprising a solid carbon source or an organic carbon compound; reacting the mixture; and controlling the reacting of the mixture, wherein the step of controlling the reacting comprises a step of supplying process gas or reaction product gas.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过将包含硅的硅源与包含固体碳源或有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 使混合物反应; 并控制混合物的反应，其中控制反应的步骤包括提供工艺气体或反应产物气体的步骤。

公开(公告)号：US20140127512A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14129219

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon, a silicon carbide source and a carbone source comprising at least one of a solid carbon and a organic compound; and reacting the mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合包含硅，碳化硅源和包含至少一种固体碳和有机化合物的碳源的硅源来制备混合物; 并使该混合物反应。

公开(公告)号：US20140178285A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US14236813

申请日：2012-08-01

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C04B2235/3826

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并使所述混合物反应，其中所述碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内。