发明申请
- 专利标题： METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE
- 专利标题（中）： 制造碳化硅的方法
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申请号： US14236813申请日： 2012-08-01
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公开(公告)号： US20140178285A1公开(公告)日： 2014-06-26
- 发明人: Jung Eun Han , Byung Sook Kim
- 申请人： Jung Eun Han , Byung Sook Kim
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： LG INNOTEK CO., LTD.
- 当前专利权人： LG INNOTEK CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 优先权： KR10-2011-0076752 20110801
- 国际申请： PCT/KR2012/006123 WO 20120801
- 主分类号： C01B31/36
- IPC分类号： C01B31/36
摘要：
A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.
公开/授权文献
- US09102543B2 Method of fabricating silicon carbide 公开/授权日：2015-08-11
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