公开(公告)号：US09709334B2

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：US13519050

申请日：2010-12-24

申请人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

发明人： Byung Sook Kim ,  Min Sung Kim ,  Kyoung Hoon Chai

IPC分类号： F27D7/06 ,  C01B31/36 ,  F27B5/04 ,  F27B5/16

CPC分类号： F27D7/06 ,  C01B32/956 ,  F27B5/04 ,  F27B5/16

摘要： Provided is a heat treatment container for a vacuum heat treatment apparatus. The heat treatment container includes a bottom and a sidewall. An exhaust passage is defined in an upper portion of the sidewall.

公开(公告)号：US09416012B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14129219

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/00 ,  C01B31/36 ,  C04B35/573 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon, a silicon carbide source and a carbone source comprising at least one of a solid carbon and a organic compound; and reacting the mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合包含硅，碳化硅源和包含至少一种固体碳和有机化合物的碳源的硅源来制备混合物; 并使该混合物反应。

公开(公告)号：US09409782B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14129222

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/36 ,  C01B31/30 ,  C01B33/00 ,  C04B35/573 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a carbon source comprising a solid carbon source or an organic carbon compound; reacting the mixture; and controlling the reacting of the mixture, wherein the step of controlling the reacting comprises a step of supplying process gas or reaction product gas.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过将包含硅的硅源与包含固体碳源或有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 使混合物反应; 并控制混合物的反应，其中控制反应的步骤包括提供工艺气体或反应产物气体的步骤。

公开(公告)号：US20140205704A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US14239750

申请日：2012-08-17

申请人： Byung Sook KIM ,  Jung Eun HAN

发明人： Byung Sook KIM ,  Jung Eun HAN

IPC分类号： B29C43/56

CPC分类号： B29C43/56 ,  B28B3/00 ,  B29C70/00 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B38/0022 ,  C04B2111/00948 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77 ,  F27B5/04 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： Disclose are a reaction container and a vacuum heat treatment apparatus. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite mixture by mixing first and second graphite powders having particle sizes different from each other, preparing a graphite molded body by pressing the graphite mixture, and processing the graphite molded body. The density of the graphite molded body is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite molded body by pressing graphite powders, and processing the graphite molded body to prepare the reaction container. A carbon source is impregnated into the graphite molded body or the reaction container, and density of the reaction container is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3.

摘要翻译： 透明的是反应容器和真空热处理装置。 制备反应容器的方法包括通过混合具有彼此不同的粒径的第一和第二石墨粉末来制备石墨混合物，通过压制石墨混合物制备石墨模制体，以及加工石墨模制体。 石墨模制体的密度在1.8g / cm 3至2.1g / cm 3的范围内。 制备反应容器的方法包括通过压制石墨粉制备石墨模制体，并加工石墨模塑体以制备反应容器。 将碳源浸渍在石墨成型体或反应容器中，反应容器的密度为1.8g / cm 3〜2.1g / cm 3。

公开(公告)号：US20140127512A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14129219

申请日：2012-06-25

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon, a silicon carbide source and a carbone source comprising at least one of a solid carbon and a organic compound; and reacting the mixture.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过混合包含硅，碳化硅源和包含至少一种固体碳和有机化合物的碳源的硅源来制备混合物; 并使该混合物反应。

公开(公告)号：US09254589B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14239750

申请日：2012-08-17

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： C04B35/52 ,  B29C43/56 ,  B28B3/00 ,  B29C70/00 ,  F27B5/04

CPC分类号： B29C43/56 ,  B28B3/00 ,  B29C70/00 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B38/0022 ,  C04B2111/00948 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/77 ,  F27B5/04 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： Disclose are a reaction container and a vacuum heat treatment apparatus. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite mixture by mixing first and second graphite powders having particle sizes different from each other, preparing a graphite molded body by pressing the graphite mixture, and processing the graphite molded body. The density of the graphite molded body is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3. A method of preparing a reaction container comprises preparing a graphite molded body by pressing graphite powders, and processing the graphite molded body to prepare the reaction container. A carbon source is impregnated into the graphite molded body or the reaction container, and density of the reaction container is in a range of 1.8 g/cm3 to 2.1 g/cm3.

摘要翻译： 透明的是反应容器和真空热处理装置。 制备反应容器的方法包括通过混合具有彼此不同的粒径的第一和第二石墨粉末来制备石墨混合物，通过压制石墨混合物制备石墨模制体，以及加工石墨模制体。 石墨模制体的密度在1.8g / cm 3至2.1g / cm 3的范围内。 制备反应容器的方法包括通过压制石墨粉制备石墨模制体，并加工石墨模塑体以制备反应容器。 将碳源浸渍在石墨成型体或反应容器中，反应容器的密度为1.8g / cm 3〜2.1g / cm 3。

公开(公告)号：US20120201735A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13392269

申请日：2010-08-26

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han ,  Sang Myung Kim

IPC分类号： C01B31/36 ,  B01J19/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/573 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/63408 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/63496 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/72

摘要： Disclosed herein is a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method and system. That is, a high-purity carbon silicon pulverulent body manufacturing method of the present invention includes the step of producing a mixture consisting of silicon sources and carbon sources in a mixer; and the step of synthesizing silicon carbide (SiC) pulverulent body by heating the mixture at a vacuum degree of larger than 0.03 torr and equal to and less than 0.5 torr and at a temperature of equal to or larger than 1300° C. and equal to and less than 1900° C.

摘要翻译： 本文公开了一种高纯度碳硅粉体制造方法和系统。 也就是说，本发明的高纯度碳硅粉末体制造方法包括在混合器中制造由硅源和碳源组成的混合物的步骤; 以及通过以大于0.03托和等于或小于0.5托的真空度和等于或大于1300℃的温度加热混合物来合成碳化硅（SiC）粉末体的步骤，并且等于或等于 低于1900°C

公开(公告)号：US20140242531A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14342104

申请日：2012-08-31

申请人： Byung Sook Kim

发明人： Byung Sook Kim

IPC分类号： F27B14/08 ,  F27B14/04

CPC分类号： F27B14/08 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/604 ,  F27B14/04 ,  F27B2014/045 ,  F27B2014/0843

摘要： A method of fabricating a reaction container according to the disclosure comprises putting graphite power in a molded member; and pressing the molded member, wherein the graphite powder comprises first graphite powder and second graphite powder having different particle sizes. A vacuum heat treatment apparatus comprises a chamber, a reaction container in the chamber, and a heat member heating the reaction container in the chamber, in which the reaction container comprises graphite, and the reaction container has a concentration in the range of 1.8 to 2.0.

摘要翻译： 根据本公开的制造反应容器的方法包括将石墨动力放入模制构件中; 并压制所述模制件，其中所述石墨粉末包括具有不同粒径的第一石墨粉末和第二石墨粉末。 一种真空热处理装置，其特征在于，包括室，室内的反应容器和加热室内的反应容器的加热构件，反应容器中含有石墨，反应容器的浓度为1.8〜2.0 。

公开(公告)号：US20140178285A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US14236813

申请日：2012-08-01

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C04B2235/3826

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并使所述混合物反应，其中所述碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内。

公开(公告)号：US20140127635A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14130251

申请日：2012-06-28

申请人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

发明人： Byung Sook Kim ,  Jung Eun Han

IPC分类号： G01K1/12 ,  F27D21/00 ,  F27D7/06

CPC分类号： G01K1/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/773 ,  F27B5/04 ,  F27B5/06 ,  F27B17/0016 ,  F27B2005/143 ,  F27D7/06 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0025

摘要： A vacuum heat treatment apparatus according to the embodiment comprises a chamber; a thermal insulator in the chamber; a reaction container in the thermal insulator; a heating member between the reaction container and the the thermal insulator for heating the reaction container; and a temperature measuring member in or on a surface of the reaction container, wherein the temperature measuring member comprises a thermocouple and a protective tube surrounding the thermocouple, and the protective tube comprises tungsten (W), tantalum (Ta), or silicon carbide (SiC).

摘要翻译： 根据实施例的真空热处理装置包括室; 腔室中的绝热体; 热绝缘体中的反应容器; 反应容器和用于加热反应容器的绝热体之间的加热构件; 和温度测量部件，其中所述温度测量部件包括热电偶和围绕所述热电偶的保护管，所述保护管包括钨（W），钽（Ta）或碳化硅（ SiC）。