公开(公告)号：US08582251B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12727670

申请日：2010-03-19

申请人： Kaizhong Gao ,  Lei Wang ,  Jiaoming Qiu ,  Yonghua Chen

发明人： Kaizhong Gao ,  Lei Wang ,  Jiaoming Qiu ,  Yonghua Chen

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3932

摘要： Various embodiments generally relate to a magnetic sensor, and more specifically to a magnetoresistive read head sensor. In one such exemplary embodiment, a magnetic sensor comprises a sensor stack and magnetic bias elements positioned adjacent opposite sides of the sensor stack. At least one of the bias elements has a non-rectangular shape, such as substantially trapezoidal or parallelogram shapes having non-perpendicular corners.

摘要翻译： 各种实施例通常涉及磁传感器，更具体地涉及磁阻读头传感器。 在一个这样的示例性实施例中，磁传感器包括传感器堆叠和邻近传感器堆叠的相对侧定位的磁偏置元件。 至少一个偏置元件具有非矩形形状，例如具有非垂直角的大致梯形或平行四边形。

公开(公告)号：US20130126645A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813353

申请日：2011-08-12

申请人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Haisong Peng ,  Jianmin Chen

发明人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Haisong Peng ,  Jianmin Chen

IPC分类号： B05B1/18

CPC分类号： B05B1/18 ,  B05B1/044 ,  B05B1/1636 ,  E03C1/0404 ,  E03C2201/30

摘要： The present invention discloses a multi-function outlet mechanism, it comprises a fixed unit, a rotary assembly and two outlet terminals, the fixed unit is provided with an inlet end; the rotary assembly comprises a handle and a control part, the handle is mounted to the fixed unit in a rotating manner, and the control part is arranged in the fixed unit; the outlet terminals are arranged on the fixed unit respectively, and water comes out of the outlet terminals simultaneously or separately along with the relative rotation between the rotary assembly and the fixed unit, the outlet effect of one of the outlet terminals is waterfall water. The present multi-function outlet mechanism integrates multiple outlet terminals into one body, the structure is compact, and the function is various, and the applicability is strong.

摘要翻译： 本发明公开了一种多功能出口机构，包括固定单元，旋转组件和两个出口端子，固定单元设有入口端; 旋转组件包括手柄和控制部件，手柄以旋转方式安装到固定单元上，并且控制部件布置在固定单元中; 出口端子分别设置在固定单元上，并且水从出口端子同时或分开地与旋转组件和固定单元之间的相对旋转一起流出，其中一个出口端子的出口效应是瀑布式水。 本多功能插座机构将多个出线端子整合成一体，结构紧凑，功能多样，适用性强。

公开(公告)号：US08318030B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12502180

申请日：2009-07-13

申请人： Xilin Peng ,  Stacey C. Wakeham ,  Yifan Zhang ,  Zhongyan Wang ,  Konstantin R. Nikolaev ,  Mark Henry Ostrowski ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

发明人： Xilin Peng ,  Stacey C. Wakeham ,  Yifan Zhang ,  Zhongyan Wang ,  Konstantin R. Nikolaev ,  Mark Henry Ostrowski ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967

摘要： A method of fabricating a magnetic device is described. A mask removing layer is formed on a layered sensing stack and a hard mask layer is formed on the mask removing layer. A first reactive ion etch is performed with a non-oxygen-based chemistry to define the hard mask layer using an imaged layer formed on the hard mask layer as a mask. A second reactive ion etch is performed with an oxygen-based chemistry to define the mask removing stop layer using the defined hard mask layer as a mask. A third reactive ion etch is performed to define the layered sensing stack using the hard mask layer as a mask. The third reactive ion etch includes an etching chemistry that performs at a lower etching rate on the hard mask layer than on the layered sensing stack.

摘要翻译： 描述制造磁性装置的方法。 在层叠感测堆叠上形成掩模移除层，并且在掩模移除层上形成硬掩模层。 使用非氧基化学法进行第一反应离子蚀刻，以使用形成在硬掩模层上的成像层作为掩模来限定硬掩模层。 使用氧基化学法进行第二反应离子蚀刻，以使用限定的硬掩模层作为掩模来限定掩模去除停止层。 执行第三反应离子蚀刻以使用硬掩模层作为掩模来定义分层感测堆叠。 第三反应离子蚀刻包括蚀刻化学品，其在硬掩模层上的蚀刻速率低于分层感测叠层。

公开(公告)号：US20120295131A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13556983

申请日：2012-07-24

申请人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

发明人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  H01L43/10

摘要： In some embodiments, a current perpendicular to the plane giant magneto-resistance (CPP GMR) read sensor may include a reference layer and/or a free layer that includes a plurality of sub-layers. For example, at least one of the reference layer or free layer may include a first ferromagnetic sub-layer, a second ferromagnetic sub-layer, and a Heusler alloy layer located between the first ferromagnetic sub-layer and the second ferromagnetic sub-layer. In some embodiments, a CPP GMR read sensor may include a current closed path (CCP) spacer layer between the reference layer and the free layer. The CCP spacer layer may include Ag and Al2O3. In further embodiments, a CPP GMR read sensor may include a Heusler alloy free layer, a Heusler alloy reference layer, and a CCP spacer layer.

摘要翻译： 在一些实施例中，垂直于平面巨磁阻（CPP GMR）读取传感器的电流可以包括参考层和/或包括多个子层的自由层。 例如，参考层或自由层中的至少一个可以包括位于第一铁磁子层和第二铁磁子层之间的第一铁磁子层，第二铁磁子层和Heusler合金层。 在一些实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括参考层和自由层之间的当前封闭路径（CCP）间隔层。 CCP间隔层可以包括Ag和Al 2 O 3。 在另外的实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括Heusler合金自由层，Heusler合金参考层和CCP间隔层。

公开(公告)号：US08294228B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13465182

申请日：2012-05-07

申请人： Xilin Peng ,  Konstantin Nikolaev ,  Taras Pokhil ,  Victor Sapazhnikov ,  Yonghua Chen

发明人： Xilin Peng ,  Konstantin Nikolaev ,  Taras Pokhil ,  Victor Sapazhnikov ,  Yonghua Chen

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic tunnel junction includes an amorphous ferromagnetic reference layer having a first reference layer side and an opposing second reference layer side. The first reference layer side has a greater concentration of boron than the second reference layer side. A magnesium oxide tunnel barrier layer is disposed on the second side of the amorphous ferromagnetic reference layer. The magnesium oxide tunnel barrier layer has a crystal structure. An amorphous ferromagnetic free layer is disposed on the magnesium oxide tunnel barrier layer.

公开(公告)号：US08238063B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12498859

申请日：2009-07-07

申请人： Jiaoming Qiu ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen

发明人： Jiaoming Qiu ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3912 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1193

摘要： A magnetic sensor assembly including first and second shields, and a sensor stack between the first and second shields. The sensor stack includes a seed layer adjacent the first shield, a cap layer adjacent the second shield, and a magnetic sensor between the seed layer and the cap layer, wherein at least one of the seed layer and the cap layer has a synthetic antiferromagnetic structure.

摘要翻译： 包括第一和第二屏蔽的磁性传感器组件，以及在第一和第二屏蔽之间的传感器堆叠。 传感器堆叠包括邻近第一屏蔽的种子层，与第二屏蔽相邻的盖层和种子层与盖层之间的磁传感器，其中种子层和盖层中的至少一个具有合成的反铁磁结构 。

公开(公告)号：US08238062B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12491838

申请日：2009-06-25

申请人： Yonghua Chen ,  Jiaoming Qiu ,  Xilin Peng ,  Kaizhong Gao

发明人： Yonghua Chen ,  Jiaoming Qiu ,  Xilin Peng ,  Kaizhong Gao

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G01R33/098 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3916 ,  G11B5/398 ,  H01L43/08

摘要： In some embodiments, a magnetic reader comprises first and second shields extending from an air bearing surface (ABS), a magnetoresistive stack is located between the first and second shields, and a flux guide is separated from the magnetoresistive stack while connecting the first and second shields. The flux guide magnetically couples the distal end of the magnetoresistive stack to the first shield.

摘要翻译： 在一些实施例中，磁读取器包括从空气轴承表面（ABS）延伸的第一和第二屏蔽，磁阻堆叠位于第一和第二屏蔽之间，并且磁通引导件与磁阻堆叠分离，同时连接第一和第二屏蔽 盾牌 磁通引导件将磁阻堆叠的远端磁耦合到第一屏蔽层。

公开(公告)号：US08183653B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12501535

申请日：2009-07-13

申请人： Xilin Peng ,  Konstantin Nikolaev ,  Taras Pokhil ,  Victor Sapazhnikov ,  Yonghua Chen

发明人： Xilin Peng ,  Konstantin Nikolaev ,  Taras Pokhil ,  Victor Sapazhnikov ,  Yonghua Chen

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic tunnel junction includes an amorphous ferromagnetic reference layer having a first reference layer side and an opposing second reference layer side. The first reference layer side has a greater concentration of boron than the second reference layer side. A magnesium oxide tunnel barrier layer is disposed on the second side of the amorphous ferromagnetic reference layer. The magnesium oxide tunnel barrier layer has a crystal structure. An amorphous ferromagnetic free layer is disposed on the magnesium oxide tunnel barrier layer.

摘要翻译： 磁性隧道结包括具有第一参考层侧和相对的第二参考层侧的非晶铁磁参考层。 第一参考层侧具有比第二参考层侧更高的硼浓度。 氧化镁隧道势垒层设置在非晶铁磁参考层的第二侧上。 氧化镁隧道势垒层具有晶体结构。 非晶铁磁自由层设置在氧化镁隧道势垒层上。

公开(公告)号：US20110200845A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12706644

申请日：2010-02-16

申请人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

发明人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  H01L43/10

摘要： In some embodiments, a current perpendicular to the plane giant magneto-resistance (CPP GMR) read sensor may include a reference layer and/or a free layer that includes a plurality of sub-layers. For example, at least one of the reference layer or free layer may include a first ferromagnetic sub-layer, a second ferromagnetic sub-layer, and a Heusler alloy layer located between the first ferromagnetic sub-layer and the second ferromagnetic sub-layer. In some embodiments, a CPP GMR read sensor may include a current closed path (CCP) spacer layer between the reference layer and the free layer. The CCP spacer layer may include Ag and Al2O3. In further embodiments, a CPP GMR read sensor may include a Heusler alloy free layer, a Heusler alloy reference layer, and a CCP spacer layer.

摘要翻译： 在一些实施例中，垂直于平面巨磁阻（CPP GMR）读取传感器的电流可以包括参考层和/或包括多个子层的自由层。 例如，参考层或自由层中的至少一个可以包括位于第一铁磁子层和第二铁磁子层之间的第一铁磁子层，第二铁磁子层和Heusler合金层。 在一些实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括参考层和自由层之间的当前封闭路径（CCP）间隔层。 CCP间隔层可以包括Ag和Al 2 O 3。 在另外的实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括Heusler合金自由层，Heusler合金参考层和CCP间隔层。

公开(公告)号：US20110194213A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12702045

申请日：2010-02-08

申请人： Kaizhong Gao ,  Xilin Peng ,  Zhongyan Wang ,  Yonghua Chen

发明人： Kaizhong Gao ,  Xilin Peng ,  Zhongyan Wang ,  Yonghua Chen

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/398 ,  G11B5/3912 ,  H01L43/08

摘要： In some examples, a system comprising a data storage member including a magnetic storage medium, the magnetic storage medium having a plurality of magnetic bit domains aligned on at least one data track, where a transition boundary between respective magnetic bit domains defines a transition curvature. The system may further comprise a magnetic read head including a first shield layer, a second shield layer, and a read sensor stack provided proximate to the first and second shield layers, where the magnetic read head senses a magnetic field of each of the plurality of magnetic bit domains according to a read playback sensitivity function. In some examples, the shield layers and read sensor stack may be configured to provide a reader playback sensitivity function that substantially corresponds to the shape of the respective magnetic bit domains.

摘要翻译： 在一些示例中，包括包括磁存储介质的数据存储构件的系统，所述磁存储介质具有在至少一个数据轨道上对准的多个磁位域，其中各个磁位域之间的过渡边界限定了转变曲率。 该系统还可以包括磁读取头，其包括靠近第一和第二屏蔽层设置的第一屏蔽层，第二屏蔽层和读取传感器堆叠，其中磁性读取头感测多个 根据读取播放灵敏度功能的磁性位域。 在一些示例中，屏蔽层和读取传感器堆叠可以被配置为提供基本对应于各个磁性位域的形状的读取器重放灵敏度功能。