公开(公告)号：US08461051B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13059340

申请日：2009-08-10

申请人： Kunihiko Koike ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino ,  Shuhei Azuma ,  Jiro Matsuo ,  Toshio Seki ,  Satoshi Ninomiya

发明人： Kunihiko Koike ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino ,  Shuhei Azuma ,  Jiro Matsuo ,  Toshio Seki ,  Satoshi Ninomiya

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L23/20 ,  G21G5/00 ,  C23C14/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B1/00 ,  H01L21/76898

摘要： A method for processing a sample using an electrically neutral reactive cluster is provided. The surface of a sample is processed by jetting out a mixed gas that is composed of a reactive gas and a gas with a boiling point lower than that of the reactive gas from a gas jetting part of a vacuum process room in which the sample is placed by a pressure in a range in which the mixed gas is not liquefied, in a predetermined direction, while adiabatically-expanding the mixed gas, thereby generating a reactive cluster and jetting the reactive cluster against the sample in the vacuum process room.

摘要翻译： 提供了使用电中性反应簇处理样品的方法。 通过从其中放置样品的真空处理室的气体喷射部分喷射由反应性气体和沸点低于反应气体的气体的混合气体喷射样品的表面 通过在混合气体未液化的范围内的压力沿预定方向，同时绝热膨胀混合气体，由此产生反应性簇并将反应性簇相对于真空处理室中的样品喷射。

公开(公告)号：US20110147896A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US13059340

申请日：2009-08-10

申请人： Kunihiko Koike ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino ,  Shuhei Azuma ,  Jiro Matsuo ,  Toshio Seki ,  Satoshi Ninomiya

发明人： Kunihiko Koike ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino ,  Shuhei Azuma ,  Jiro Matsuo ,  Toshio Seki ,  Satoshi Ninomiya

IPC分类号： H01L29/06 ,  C23F1/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/467 ,  C23F1/04 ,  B29D11/00 ,  H05K3/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B1/00 ,  H01L21/76898

摘要： A method for processing a sample using an electrically neutral reactive cluster is provided. The surface of a sample is processed by jetting out a mixed gas that is composed of a reactive gas and a gas with a boiling point lower than that of the reactive gas from a gas jetting part of a vacuum process room in which the sample is placed by a pressure in a range in which the mixed gas is not liquefied, in a predetermined direction, while adiabatically-expanding the mixed gas, thereby generating a reactive cluster and jetting the reactive cluster against the sample in the vacuum process room.

摘要翻译： 提供了使用电中性反应簇处理样品的方法。 通过从其中放置样品的真空处理室的气体喷射部分喷射由反应性气体和沸点低于反应气体的气体的混合气体喷射样品的表面 通过在混合气体未液化的范围内的压力沿预定方向，同时绝热膨胀混合气体，由此产生反应性簇并将反应性簇相对于真空处理室中的样品喷射。

公开(公告)号：US20120247670A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13429720

申请日：2012-03-26

申请人： Kazuya DOBASHI ,  Kensuke INAI ,  Akitaka SHIMIZU ,  Kenta YASUDA ,  Yu YOSHINO ,  Toshihiro AIDA ,  Takehiko SENOO

发明人： Kazuya DOBASHI ,  Kensuke INAI ,  Akitaka SHIMIZU ,  Kenta YASUDA ,  Yu YOSHINO ,  Toshihiro AIDA ,  Takehiko SENOO

IPC分类号： C23F1/08 ,  A47L9/08 ,  A47L5/00

CPC分类号： H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

摘要： A substrate cleaning apparatus includes a supporting unit, provided in a processing chamber having a gas exhaust port, for supporting a substrate; one or more nozzle units, each for ejecting gas clusters to a peripheral portion of the substrate supported by the supporting unit to remove unnecessary substances from the peripheral portion; and a moving mechanism for changing relative positions of the supporting unit and the nozzle unit during ejecting the gas clusters. Each nozzle unit discharges a cleaning gas having a pressure higher than that in the processing chamber so that the cleaning gas is adiabatically expanded to form aggregates of atoms and/or molecules.

摘要翻译： 基板清洗装置包括支撑单元，设置在具有气体排出口的处理室中，用于支撑基板; 一个或多个喷嘴单元，每个喷嘴单元用于将气体簇喷射到由支撑单元支撑的基板的周边部分，以从周边部分去除不需要的物质; 以及用于在喷射气体簇期间改变支撑单元和喷嘴单元的相对位置的移动机构。 每个喷嘴单元排出具有高于处理室中的压力的​​清洁气体，使得清洁气体被绝热膨胀以形成原子和/或分子的聚集体。

公开(公告)号：US09214364B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US13429720

申请日：2012-03-26

申请人： Kazuya Dobashi ,  Kensuke Inai ,  Akitaka Shimizu ,  Kenta Yasuda ,  Yu Yoshino ,  Toshihiro Aida ,  Takehiko Senoo

发明人： Kazuya Dobashi ,  Kensuke Inai ,  Akitaka Shimizu ,  Kenta Yasuda ,  Yu Yoshino ,  Toshihiro Aida ,  Takehiko Senoo

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67028 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67069

摘要： A substrate cleaning apparatus includes a supporting unit, provided in a processing chamber having a gas exhaust port, for supporting a substrate; one or more nozzle units, each for ejecting gas clusters to a peripheral portion of the substrate supported by the supporting unit to remove unnecessary substances from the peripheral portion; and a moving mechanism for changing relative positions of the supporting unit and the nozzle unit during ejecting the gas clusters. Each nozzle unit discharges a cleaning gas having a pressure higher than that in the processing chamber so that the cleaning gas is adiabatically expanded to form aggregates of atoms and/or molecules.

摘要翻译： 基板清洗装置包括支撑单元，设置在具有气体排出口的处理室中，用于支撑基板; 一个或多个喷嘴单元，每个喷嘴单元用于将气体簇喷射到由支撑单元支撑的基板的周边部分，以从周边部分去除不需要的物质; 以及用于在喷射气体簇期间改变支撑单元和喷嘴单元的相对位置的移动机构。 每个喷嘴单元排出具有高于处理室中的压力的​​清洁气体，使得清洁气体被绝热膨胀以形成原子和/或分子的聚集体。

公开(公告)号：US20120071003A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13233150

申请日：2011-09-15

申请人： Kazuya Dobashi ,  Takashi Fuse ,  Satohiko Hoshino ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino

发明人： Kazuya Dobashi ,  Takashi Fuse ,  Satohiko Hoshino ,  Takehiko Senoo ,  Yu Yoshino

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C14/16 ,  C23F1/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

摘要： Disclosed is a technology in which a nozzle part is mounted in a vacuum chamber and a silicon substrate is held to face a discharge hole of the nozzle part. For example, ClF3 gas and Ar gas are supplied from the nozzle part and the mixed gas is discharged from the nozzle part under a vacuum atmosphere. By doing this, the mixed gas is adiabatically expanded and the Ar atoms or ClF3 molecules are combined, which become a gas cluster. The gas cluster is irradiated to the surface of the silicon substrate without being ionized and, as a result, the surface of the silicon surface becomes a porous state. Then, lithium is grown on the surface of the silicon substrate in a separate vacuum chamber 41 by sputtering without breaking the vacuum.

摘要翻译： 公开了一种技术，其中喷嘴部分安装在真空室中，并且硅衬底被保持以面对喷嘴部分的排放孔。 例如，从喷嘴部供给ClF 3气体和Ar气体，在真空气氛下从喷嘴部排出混合气体。 通过这样做，混合气体绝热膨胀，Ar原子或ClF3分子结合成为气体簇。 将气体簇照射到硅衬底的表面而不被电离，结果，硅表面变成多孔状态。 然后，通过溅射在单独的真空室41中在硅衬底的表面上生长锂，而不破坏真空。

公开(公告)号：US5759334A

公开(公告)日：1998-06-02

申请号：US512092

申请日：1995-08-07

申请人： Kenichi Kojima ,  Tokihiro Ayabe ,  Takehiko Senoo ,  Kishichi Haga ,  Yukio Soejima

发明人： Kenichi Kojima ,  Tokihiro Ayabe ,  Takehiko Senoo ,  Kishichi Haga ,  Yukio Soejima

IPC分类号： B01J19/08 ,  B29C37/00 ,  B29C59/14 ,  C23C16/54 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677 ,  H05K3/08 ,  H05K3/26 ,  H01L21/68

CPC分类号： C23C16/54 ,  B29C37/0089 ,  H01L21/67201 ,  B29C59/14

摘要： The plasma processing apparatus of the present invention increases the throughput of plasma processing. This objective is achieved by a composition which comprises a processing chamber (10) for performing surface processing of substrates (W) by means of a plasma discharge, load-lock chambers (20R) and (20L) whereto passage from the processing chamber (10) is possible through slots (11R) and (11L) formed in a wall portion (10a) of the processing chamber (10), a gate element (30) which opens and closes the slots (11R) and (11L) from within the processing chamber 10, and transport element(s) for transporting substrates (W) between the processing chamber (10) and the load-lock chambers (20R) and (20L).

摘要翻译： 本发明的等离子体处理装置增加等离子体处理的生产量。 该目的是通过一种组合物来实现的，该组合物包括用于通过等离子体放电进行基板（W）的表面处理的处理室（10），从处理室（10）通过的装载锁定室（20R）和（20L） ）可以通过形成在处理室（10）的壁部（10a）中的槽（11R）和（11L），门元件（30）从槽内（11R）和（11L） 处理室10和用于传送处理室（10）和加载锁定室（20R）和（20L）之间的基板（W）的输送元件。