公开(公告)号：US20110222571A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13063101

申请日：2009-09-11

申请人： John Haig Marsh ,  Stewart Duncan McDougall ,  Gianluca Bacchin ,  Bocang Qiu

发明人： John Haig Marsh ,  Stewart Duncan McDougall ,  Gianluca Bacchin ,  Bocang Qiu

IPC分类号： H01S5/40 ,  F21V5/00 ,  B41J2/45

CPC分类号： B41J2/451 ,  B41J2/473

摘要： An imaging device comprising a linear array of laser diodes that are adapted to provide an optical output comprising a plurality of spaced-apart optical beams. Focusing optics are configured to form a plurality of image points from said spaced-apart optical beams, the image points being spaced apart along a first axis. The image points have a non-uniform spacing along the first axis. By scanning the linear array along a photosensitive plate, and timing the firing of lasers accordingly, every pixel point on the photosensitive plate can be imaged by one of the image points from the laser array. Non-uniform spacing of the image points can provide advantages in heat dissipation from the laser elements, and reduction of some printing artifacts on the photosensitive plate.

摘要翻译： 一种成像装置，包括激光二极管的线性阵列，其适于提供包括多个间隔开的光束的光输出。 聚焦光学器件被配置成从所述间隔开的光束形成多个图像点，图像点沿着第一轴线间隔开。 图像点沿着第一轴具有不均匀的间距。 通过沿着感光板扫描线性阵列，并相应地激发激光的定时，感光板上的每个像素点可以通过激光阵列中的一个图像点成像。 图像点的不均匀间隔可以提供来自激光元件的散热的优点，以及减少感光板上的一些印刷伪影。

公开(公告)号：US06989286B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10466972

申请日：2002-01-23

申请人： Craig James Hamilton ,  Olek Peter Kowalski ,  John Haig Marsh ,  Stewart Duncan McDougall

发明人： Craig James Hamilton ,  Olek Peter Kowalski ,  John Haig Marsh ,  Stewart Duncan McDougall

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/3414

摘要： There is disclosed a method of manufacturing of optical devices, for example, semiconductor optoelectronic devices such as laser diodes, optical modulators, optical amplifiers, optical switches, and the like. There is further disclosed Optoelectronic Integrated Circuits (OEICs) and Photonic Integrated Circuits (PICs) including such devices. According to the present invention there is provided a method of manufacturing an optical device (40), a device body portion (15) from which the device (40) is to be made including a Quantum Well Intermixing (QWI) structure (30), the method including the step of plasma etching at least part of a surface of the device body portion (5) prior to depositing a dielectric layer (51) thereon so as to introduce structural defects at least into a portion (53) of the device body portion (5) adjacent the dielectric layer (51). The structural defects substanially comprise “point” defects.

摘要翻译： 公开了一种制造光学器件的方法，例如半导体光电器件，例如激光二极管，光调制器，光放大器，光开关等。 还公开了包括这种装置的光电集成电路（OEIC）和光子集成电路（PIC）。 根据本发明，提供了一种制造光学装置（40）的方法，装置本体部分（15），其中将要制造装置（40）包括量子阱混合（QWI）结构（30）， 该方法包括在其上沉积介电层（51）之前等离子体蚀刻器件主体部分（5）的表面的至少一部分的步骤，以至少将结构缺陷引入到器件本体的部分（53）中 邻近电介质层（51）的部分（5）。 结构缺陷本质上包含“点”缺陷。

公开(公告)号：US07288794B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10203241

申请日：2001-01-31

申请人： John Haig Marsh ,  Simon Eric Hicks ,  James Stewart Aitchison ,  Stewart Duncan McDougall ,  Bo Cang Qiu

发明人： John Haig Marsh ,  Simon Eric Hicks ,  James Stewart Aitchison ,  Stewart Duncan McDougall ,  Bo Cang Qiu

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B2006/12119 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12123 ,  G02B2006/12128 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/3414

摘要： An improved integrated optical device (5a-5g) is disclosed containing first and second devices (10a-10g; 15a, 15e), optically coupled to each other and formed in first and second different material systems. One of the first or second devices (10a-10g, 15a, 15e) has a Quantum Well Intermixed (QWI) region (20a, 20g) at or adjacent a coupling region between the first and second devices (10a-10g; 15a, 15e). The first material system may be a III-V semiconductor based on Gallium Arsenide (GaAs) or Indium Phosphide (InP), while the second material may be Silica (SiO2), Silicon (Si), Lithium Niobate (LiNbO3), a polymer, or glass.

摘要翻译： 公开了一种改进的集成光学器件（5A-5g），其包含彼此光学耦合并形成在第一和第二不同材料系统中的第一和第二器件（10a-10g; 15a，15e）。 第一或第二装置（10a-10g，15a，15e）中的一个在第一和第二装置（10）之间的耦合区域处或相邻处具有量子阱混合（QWI）区域（20a，20g） a-10g; 15a，15e）。 第一材料系统可以是基于砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）的III-V半导体，而第二材料可以是二氧化硅（SiO 2），硅（Si），锂 铌酸盐（LiNbO 3 N），聚合物或玻璃。

公开(公告)号：US07138285B2

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：US10515198

申请日：2003-05-21

申请人： Stephen Najda ,  Stewart Duncan McDougall ,  Xuefeng Liu

发明人： Stephen Najda ,  Stewart Duncan McDougall ,  Xuefeng Liu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L21/182 ,  H01L33/005 ,  H01S5/3414 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313

摘要： A method of performing quantum well intermixing in a semiconductor device structure uses a sacrificial part of a cap layer, that is removed after QWI processing, to restore the cap surface to a condition in which high performance contacts are still possible. The method includes: a) forming a layered quantum well structure including a doped cap layer; b) forming an etch stop layer over said cap layer; c) forming a sacrificial layer over said etch stop layer, said etch stop layer having a substantially lower etch rate than said sacrificial layer when exposed to predetermined etch conditions; d) carrying out a quantum well intermixing process on the device structure, which process induces significant damage to at least a portion of the sacrificial layer; e) removing the sacrificial layer in at least a contact region of the device using an etch procedure selective against the etch stop layer to expose said etch stop layer in the contact region; and f) forming a contact over the layered quantum well structure in at least said contact region.

摘要翻译： 在半导体器件结构中进行量子阱混合的方法使用在QWI处理之后去除的覆盖层的牺牲部分，以将盖表面恢复到仍然可能存在高性能接触的状态。 该方法包括：a）形成包括掺杂帽层的层状量子阱结构; b）在所述盖层上形成蚀刻停止层; c）在所述蚀刻停止层上形成牺牲层，当暴露于预定的蚀刻条件时，所述蚀刻停止层具有比所述牺牲层显着更低的蚀刻速率; d）对器件结构进行量子阱混合过程，该过程对牺牲层的至少一部分引起显着的损伤; e）使用对所述蚀刻停止层选择性的蚀刻程序在所述器件的至少接触区域中去除所述牺牲层，以暴露所述接触区域中的所述蚀刻停止层; 以及f）在至少所述接触区域中在层状量子阱结构上形成接触。