公开(公告)号：US08866161B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13314186

申请日：2011-12-08

申请人： Shih-Cheng Huang ,  Po-Min Tu ,  Ying-Chao Yeh ,  Wen-Yu Lin ,  Peng-Yi Wu ,  Shih-Hsiung Chan

发明人： Shih-Cheng Huang ,  Po-Min Tu ,  Ying-Chao Yeh ,  Wen-Yu Lin ,  Peng-Yi Wu ,  Shih-Hsiung Chan

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/15 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A structure of semiconductor device includes a first semiconductor layer; an intermediate layer on a surface of said first semiconductor layer; a second semiconductor layer on said intermediate layer, wherein said intermediate layer and said second semiconductor layer are integrated to a set of sub-structures; and a semiconductor light emitting device on said second semiconductor layer.

摘要翻译： 半导体器件的结构包括第一半导体层; 在所述第一半导体层的表面上的中间层; 在所述中间层上的第二半导体层，其中所述中间层和所述第二半导体层被集成到一组子结构中; 以及在所述第二半导体层上的半导体发光器件。

公开(公告)号：US08093082B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12396750

申请日：2009-03-03

申请人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A method of fabricating a photoelectric device of Group III nitride semiconductor, where the method comprises the steps of: forming a first Group III nitride semiconductor layer on a surface of a temporary substrate; patterning the first Group III nitride semiconductor layer using photolithography and etching processes; forming a second Group III nitride semiconductor layer on the patterned first Group III nitride semiconductor layer; forming a conductive layer on the second Group III nitride semiconductor layer; and releasing the temporary substrate by removing the first Group III nitride semiconductor layer to obtain a composite of the second Group III nitride semiconductor layer and the conductive layer.

摘要翻译： 一种制造III族氮化物半导体的光电器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：在临时衬底的表面上形成第一III族氮化物半导体层; 使用光刻和蚀刻工艺图案化第一III族氮化物半导体层; 在所述图案化的第一III族氮化物半导体层上形成第二III族氮化物半导体层; 在所述第二III族氮化物半导体层上形成导电层; 并且通过去除第一III族氮化物半导体层来释放临时衬底，以获得第二III族氮化物半导体层和导电层的复合物。

公开(公告)号：US07824942B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12426010

申请日：2009-04-17

申请人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Wen Yu Lin ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Wen Yu Lin ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007

摘要： A method of fabricating a photoelectric device of Group III nitride semiconductor comprises the steps of: forming a first Group III nitride semiconductor layer on a surface of an original substrate; forming a patterned epitaxial-blocking layer on the first Group III nitride semiconductor layer; forming a second Group III nitride semiconductor layer on the epitaxial-blocking layer and the first Group III nitride semiconductor layer not covered by the epitaxial-blocking layer and then removing the epitaxial-blocking layer; forming a third Group III nitride semiconductor layer on the second Group III nitride semiconductor layer; depositing or adhering a conductive layer on the third Group III nitride semiconductor layer; and releasing a combination of the third Group III nitride semiconductor layer and the conductive layer apart from the second Group III nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 制造III族氮化物半导体的光电器件的方法包括以下步骤：在原始衬底的表面上形成第一III族氮化物半导体层; 在所述第一III族氮化物半导体层上形成图案化的外延阻挡层; 在所述外延阻挡层上形成第二III族氮化物半导体层，在所述第二III族氮化物半导体层上未被所述外延阻挡层覆盖，然后除去所述外延阻挡层; 在所述第二III族氮化物半导体层上形成第三III族氮化物半导体层; 在第三III族氮化物半导体层上沉积或粘附导电层; 以及释放所述第三III族氮化物半导体层和与所述第二III族氮化物半导体层分离的所述导电层的组合。

公开(公告)号：US20100230711A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12722231

申请日：2010-03-11

申请人： CHESTER KUO ,  LUNG HSIN CHEN ,  WEN LIANG TSENG ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： CHESTER KUO ,  LUNG HSIN CHEN ,  WEN LIANG TSENG ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for fabricating flip-chip semiconductor optoelectronic devices initially flip-chip bonds a semiconductor optoelectronic chip attached to an epitaxial substrate to a packaging substrate. The epitaxial substrate is then separated using lift-off technology.

摘要翻译： 用于制造倒装芯片半导体光电器件的方法首先将连接到外延衬底的半导体光电芯片倒装芯片结合到封装衬底。 然后使用剥离技术分离外延衬底。

公开(公告)号：US20100224897A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12716040

申请日：2010-03-02

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  CHIH PANG MA ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/08

摘要： A semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency includes at least one protrusion structure, which can be formed around a light-emitting region of the device. The at least one protrusion structure can include a plurality of protrusion structures in one embodiment. In addition, a fabricating method for forming a semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency is provided in the present invention.

摘要翻译： 具有增强的光提取效率的半导体光电子器件包括可以围绕器件的发光区域形成的至少一个突起结构。 在一个实施例中，至少一个突起结构可以包括多个突起结构。 此外，在本发明中提供了一种用于形成具有增强的光提取效率的半导体光电子器件的制造方法。

公开(公告)号：US20100009476A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12501333

申请日：2009-07-10

申请人： Po Min TU ,  Shih Cheng HUANG ,  Shih Hsiung CHAN

发明人： Po Min TU ,  Shih Cheng HUANG ,  Shih Hsiung CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02653 ,  H01L33/0079

摘要： A method of removing a substrate structure is described. A plurality of pillars is formed on a substrate by using a photolithography etching process. A group III nitride semiconductor layer is grown on the plurality of pillars. The plurality of pillars is etched to separate the group III nitride semiconductor layer from the substrate by using a chemical etching process.

摘要翻译： 描述了去除衬底结构的方法。 通过使用光刻蚀刻工艺在基板上形成多个柱。 在所述多个支柱上生长III族氮化物半导体层。 通过使用化学蚀刻工艺蚀刻多个柱以将III族氮化物半导体层与衬底分离。

公开(公告)号：US20090321780A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12491806

申请日：2009-06-25

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/14

摘要： A gallium nitride-based light emitting device with a roughened surface is described. The light emitting device comprises a substrate, a buffer layer grown on the substrate, an n-type III-nitride semiconductor layer grown on the buffer layer, a III-nitride semiconductor active layer grown on the n-type III-nitride semiconductor layer, a first p-type III-nitride semiconductor layer grown on the III-nitride semiconductor active layer, a heavily doped p-type III semiconductor layer grown on the first p-type III-nitride semiconductor, and a roughened second p-type III-nitride semiconductor layer grown on the heavily doped p-type III semiconductor layer.

摘要翻译： 描述了具有粗糙表面的氮化镓基发光器件。 发光器件包括衬底，在衬底上生长的缓冲层，在缓冲层上生长的n型III族氮化物半导体层，在n型III族氮化物半导体层上生长的III族氮化物半导体有源层， 在III族氮化物半导体有源层上生长的第一p型III族氮化物半导体层，在第一p型III族氮化物半导体上生长的重掺杂p型III半导体层和粗糙化的第二p型III- 在重掺杂的p型III半导体层上生长的氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20090267097A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12426010

申请日：2009-04-17

申请人： PO MIN TU ,  SHIH CHENG HUANG ,  WEN YU LIN ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： PO MIN TU ,  SHIH CHENG HUANG ,  WEN YU LIN ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007

摘要： A method of fabricating a photoelectric device of Group III nitride semiconductor comprises the steps of: forming a first Group III nitride semiconductor layer on a surface of an original substrate; forming a patterned epitaxial-blocking layer on the first Group III nitride semiconductor layer; forming a second Group III nitride semiconductor layer on the epitaxial-blocking layer and the first Group III nitride semiconductor layer not covered by the epitaxial-blocking layer and then removing the epitaxial-blocking layer; forming a third Group III nitride semiconductor layer on the second Group III nitride semiconductor layer; depositing or adhering a conductive layer on the third Group III nitride semiconductor layer; and releasing a combination of the third Group III nitride semiconductor layer and the conductive layer apart from the second Group III nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 制造III族氮化物半导体的光电器件的方法包括以下步骤：在原始衬底的表面上形成第一III族氮化物半导体层; 在所述第一III族氮化物半导体层上形成图案化的外延阻挡层; 在所述外延阻挡层上形成第二III族氮化物半导体层，在所述第二III族氮化物半导体层上未被所述外延阻挡层覆盖，然后除去所述外延阻挡层; 在所述第二III族氮化物半导体层上形成第三III族氮化物半导体层; 在第三III族氮化物半导体层上沉积或粘附导电层; 以及释放所述第三III族氮化物半导体层和与所述第二III族氮化物半导体层分离的所述导电层的组合。

公开(公告)号：US06110809A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US102675

申请日：1998-06-23

申请人： Simon M. Sze ,  Shih-Hsiung Chan ,  Jian-Shihn Tsang ,  Jan-Dar Guo ,  Wei-Chi Lai

发明人： Simon M. Sze ,  Shih-Hsiung Chan ,  Jian-Shihn Tsang ,  Jan-Dar Guo ,  Wei-Chi Lai

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A new method for manufacturing a Group III metal nitride epitaxial wafer comprises providing a first nitrogen-contained gas source, providing a second Group III metal trichloride--containing gas source, and causing said first gas to react with second gas in a heating region, thereby forming a Group III metal nitride epitaxial layer on a substrate. The formed epitaxial wafer can serve as a substrate of a laser diode.

摘要翻译： 一种用于制造III族金属氮化物外延晶片的新方法包括提供第一含氮气体源，提供第二III族金属三氯化物气体源，并使所述第一气体与加热区域中的第二气体反应，由此 在基板上形成III族金属氮化物外延层。 所形成的外延晶片可以用作激光二极管的基板。

公开(公告)号：US08217400B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12577350

申请日：2009-10-12

申请人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079

摘要： A wavelength conversion layer is formed on a surface of a light emitting device for transforming a portion of light emitted from the light emitting device into light of a different wavelength. The transformed light is mixed with the untransformed light, and thus the light emitting device can emit light having preferred CIE coordinates.

摘要翻译： 在发光器件的表面上形成波长转换层，用于将从发光器件发射的光的一部分变换为不同波长的光。 变换的光与未变换的光混合，因此发光器件可以发射具有优选CIE坐标的光。