公开(公告)号：US08580590B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13434860

申请日：2012-03-30

申请人： Shih-Cheng Huang ,  Po-Min Tu ,  Ying-Chao Yeh ,  Wen-Yu Lin ,  Peng-Yi Wu ,  Shih-Hsiung Chan

发明人： Shih-Cheng Huang ,  Po-Min Tu ,  Ying-Chao Yeh ,  Wen-Yu Lin ,  Peng-Yi Wu ,  Shih-Hsiung Chan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079

摘要： A method for manufacturing a polychromatic light emitting diode device, comprising steps of providing an epitaxial substrate and forming a multiple semiconductor layer on the epitaxial substrate, wherein the multiple semiconductor layer comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer and an active layer. The active layer emits light of a first wavelength. Thereafter a first wavelength conversion layer is formed on the multiple semiconductor layer. The first wavelength conversion layer is made of semiconductor and absorbs a portion of the light of a first wavelength and emits light of a second wavelength, wherein the second wavelength is longer than the first wavelength.

摘要翻译： 一种制造多色发光二极管器件的方法，包括以下步骤：在外延衬底上提供外延衬底和形成多重半导体层，其中所述多重半导体层包括n型半导体层，p型半导体层和 活动层 有源层发射第一波长的光。 此后，在多个半导体层上形成第一波长转换层。 第一波长转换层由半导体制成，并吸收一部分第一波长的光并发射第二波长的光，其中第二波长比第一波长长。

公开(公告)号：US20110210312A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13106872

申请日：2011-05-13

申请人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a conformational active layer and a p-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer. The second surface includes a plurality of recesses, and a conformational active layer formed on the second surface and within the plurality of recesses. Widths of upper portions of the recesses are larger than widths of lower portions of the recesses. Therefore, the stress between the n-type semiconductor layer and the conformational active layer can be released with the recesses.

摘要翻译： 半导体发光器件包括衬底，缓冲层，n型半导体层，构象活性层和p型半导体层。 n型半导体层包括第一表面和第二表面，并且第一表面直接接触缓冲层。 第二表面包括多个凹部，以及形成在第二表面上和多个凹部内的构象活性层。 凹部的上部的宽度大于凹部的下部的宽度。 因此，可以用凹部来释放n型半导体层与构象活性层之间的应力。

公开(公告)号：US20110163295A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13048905

申请日：2011-03-16

申请人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： PENG YI WU ,  SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/02521 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A semiconductor includes a semiconductor layer, a plurality of recesses and a blocking layer. The recesses are formed on a surface of the semiconductor layer by etching fragile locations of the semiconductor layer where dislocation occurs. The blocking layer is filled in each recess. The semiconductor further includes a re-epitaxial semiconductor layer grown from a surface of the semiconductor layer without the covering of blocking layer, and the re-epitaxial semiconductor layer laterally overgrows toward areas of the recesses for overlaying the blocking layer.

摘要翻译： 半导体包括半导体层，多个凹部和阻挡层。 通过蚀刻发生位错的半导体层的脆弱位置，在半导体层的表面上形成凹部。 阻挡层填充在每个凹部中。 半导体还包括从半导体层的表面生长而不覆盖阻挡层的再外延半导体层，并且再外延半导体层横向过度地朝向用于覆盖阻挡层的凹部的区域。

公开(公告)号：US20100090232A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12577350

申请日：2009-10-12

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079

摘要： A wavelength conversion layer is formed on a surface of a light emitting device for transforming a portion of light emitted from the light emitting device into light of a different wavelength. The transformed light is mixed with the untransformed light, and thus the light emitting device can emit light having preferred CIE coordinates.

摘要翻译： 在发光器件的表面上形成波长转换层，用于将从发光器件发射的光的一部分变换为不同波长的光。 变换的光与未变换的光混合，因此发光器件可以发射具有优选CIE坐标的光。

公开(公告)号：US20090315067A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12488875

申请日：2009-06-22

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor device fabrication method is disclosed. A buffer layer is provided and a first semiconductor layer is formed on the buffer layer. Next, a first intermediate layer is formed on the first semiconductor layer by dopant with high concentration during an epitaxial process. A second semiconductor layer is overlaid on the first intermediate layer. A semiconductor light emitting device is grown on the second semiconductor layer. The formation of the intermediate layer and the second semiconductor layer is a set of steps.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件制造方法。 提供缓冲层，在缓冲层上形成第一半导体层。 接下来，在外延工艺期间，通过掺杂剂以高浓度在第一半导体层上形成第一中间层。 第二半导体层覆盖在第一中间层上。 在第二半导体层上生长半导体发光器件。 中间层和第二半导体层的形成是一组步骤。

公开(公告)号：US20090166650A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12343984

申请日：2008-12-24

申请人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

发明人： SHIH CHENG HUANG ,  PO MIN TU ,  YING CHAO YEH ,  WEN YU LIN ,  PENG YI WU ,  CHIH PENG HSU ,  SHIH HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L33/007

摘要： A light-emitting device of Group III nitride-based semiconductor comprises a substrate, a first Group III nitride layer and a second Group III nitride layer. The substrate comprises a first surface and a plurality of convex portions protruding from the first surface. Each convex portion is surrounded by a part of the first surface. The first Group III nitride layer is jointly formed by lateral growth starting at top surfaces of the convex portions. The second Group III nitride layer is formed on the first surface, wherein a thickness of the second Group III nitride layer is less than a height of the convex portion. Moreover, the first Group III nitride layer and the second Group III nitride layer are made of a same material.

摘要翻译： III族氮化物基半导体的发光器件包括衬底，第一III族氮化物层和第二III族氮化物层。 基板包括从第一表面突出的第一表面和多个凸部。 每个凸部被第一表面的一部分包围。 第一III族氮化物层通过从凸部的顶表面开始的横向生长共同形成。 第二III族氮化物层形成在第一表面上，其中第二III族氮化物层的厚度小于凸部的高度。 此外，第一III族氮化物层和第二III族氮化物层由相同的材料制成。

公开(公告)号：US08513696B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12717788

申请日：2010-03-04

申请人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Po Min Tu ,  Shih Cheng Huang ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L33/00 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： A lateral thermal dissipation LED and a fabrication method thereof are provided. The lateral thermal dissipation LED utilizes a patterned metal layer and a lateral heat spreading layer to transfer heat out of the LED. The thermal dissipation efficiency of the LED is increased, and the lighting emitting efficiency is accordingly improved.

摘要翻译： 提供横向散热LED及其制造方法。 横向散热LED利用图案化金属层和横向散热层将热量传出LED。 提高了LED的散热效率，相应地提高了发光效率。

公开(公告)号：US08470621B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12722231

申请日：2010-03-11

申请人： Chester Kuo ,  Lung Hsin Chen ,  Wen Liang Tseng ,  Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Chester Kuo ,  Lung Hsin Chen ,  Wen Liang Tseng ,  Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for fabricating flip-chip semiconductor optoelectronic devices initially flip-chip bonds a semiconductor optoelectronic chip attached to an epitaxial substrate to a packaging substrate. The epitaxial substrate is then separated using lift-off technology.

摘要翻译： 用于制造倒装芯片半导体光电器件的方法首先将连接到外延衬底的半导体光电芯片倒装芯片结合到封装衬底。 然后使用剥离技术分离外延衬底。

公开(公告)号：US20120190141A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13434860

申请日：2012-03-30

申请人： SHIH-CHENG HUANG ,  PO-MIN TU ,  YING-CHAO YEH ,  WEN-YU LIN ,  PENG-YI WU ,  SHIH-HSIUNG CHAN

发明人： SHIH-CHENG HUANG ,  PO-MIN TU ,  YING-CHAO YEH ,  WEN-YU LIN ,  PENG-YI WU ,  SHIH-HSIUNG CHAN

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079

摘要： A method for manufacturing a polychromatic light emitting diode device, comprising steps of providing an epitaxial substrate and forming a multiple semiconductor layer on the epitaxial substrate, wherein the multiple semiconductor layer comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer and an active layer. The active layer emits light of a first wavelength. Thereafter a first wavelength conversion layer is formed on the multiple semiconductor layer. The first wavelength conversion layer is made of semiconductor and absorbs a portion of the light of a first wavelength and emits light of a second wavelength, wherein the second wavelength is longer than the first wavelength.

摘要翻译： 一种制造多色发光二极管器件的方法，包括以下步骤：在外延衬底上提供外延衬底和形成多重半导体层，其中所述多重半导体层包括n型半导体层，p型半导体层和 活动层 有源层发射第一波长的光。 此后，在多个半导体层上形成第一波长转换层。 第一波长转换层由半导体制成，并吸收一部分第一波长的光并发射第二波长的光，其中第二波长比第一波长长。

公开(公告)号：US08202752B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12488875

申请日：2009-06-22

申请人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Ying Chao Yeh ,  Wen Yu Lin ,  Peng Yi Wu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor device fabrication method is disclosed. A buffer layer is provided and a first semiconductor layer is formed on the buffer layer. Next, a first intermediate layer is formed on the first semiconductor layer by dopant with high concentration during an epitaxial process. A second semiconductor layer is overlaid on the first intermediate layer. A semiconductor light emitting device is grown on the second semiconductor layer. The formation of the intermediate layer and the second semiconductor layer is a set of steps.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件制造方法。 提供缓冲层，在缓冲层上形成第一半导体层。 接下来，在外延工艺期间，通过掺杂剂以高浓度在第一半导体层上形成第一中间层。 第二半导体层覆盖在第一中间层上。 在第二半导体层上生长半导体发光器件。 中间层和第二半导体层的形成是一组步骤。