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    Barrier structure for a silver based RRAM and method
    3.
    发明授权
    Barrier structure for a silver based RRAM and method 有权
    基于银的RRAM和方法的阻挡结构

    公开(公告)号：US08946667B1

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13447036

    申请日：2012-04-13

    申请人： Mark Harold Clark ,  Steven Maxwell ,  Harry Gee ,  Natividad Vasquez

    发明人： Mark Harold Clark ,  Steven Maxwell ,  Harry Gee ,  Natividad Vasquez

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L47/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L47/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616

    摘要： A method for forming a resistive switching device. The method includes providing a substrate having a surface region and forming a first dielectric material overlying the surface region of the substrate. A first wiring structure overlies the first dielectric material. The method forms a first electrode material overlying the first wiring structure and a resistive switching material comprising overlying the first electrode material. An active metal material is formed overlying the resistive switching material. The active metal material is configured to form an active metal region in the resistive switching material upon application of a thermal energy characterized by a temperature no less than about 100 Degree Celsius. In a specific embodiment, the method forms a blocking material interposing the active metal material and the resistive switching material to inhibit formation of the active metal region in the resistive switching material during the subsequent processing steps.

    摘要翻译： 一种形成电阻式开关装置的方法。 该方法包括提供具有表面区域并形成覆盖在基板的表面区域上的第一介电材料的基板。 第一布线结构覆盖第一电介质材料。 该方法形成覆盖第一布线结构的第一电极材料和包括覆盖第一电极材料的电阻开关材料。 形成覆盖电阻式开关材料的活性金属材料。 活性金属材料被配置为在施加以不低于约100摄氏度的温度为特征的热能时在电阻开关材料中形成活性金属区域。 在具体实施例中，该方法形成插入有源金属材料和电阻开关材料的阻挡材料，以在随后的处理步骤期间阻止电阻开关材料中的活性金属区域的形成。

    Combination Local Delivery Using a Stent
    5.
    发明申请
    Combination Local Delivery Using a Stent 审中-公开
    组合使用支架本地交付

    公开(公告)号：US20100092534A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12249576

    申请日：2008-10-10

    申请人： Ayala Hezi-Yamit ,  Iskender Matt Bilge ,  Jennifer Wong ,  Carol Sullivan ,  Natividad Vasquez

    发明人： Ayala Hezi-Yamit ,  Iskender Matt Bilge ,  Jennifer Wong ,  Carol Sullivan ,  Natividad Vasquez

    IPC分类号： A61F2/04 ,  A61K31/58 ,  A61K31/4355

    CPC分类号： A61L31/10 ,  A61L31/16 ,  A61L2300/222 ,  A61L2300/416 ,  A61L2300/45

    摘要： Described herein are implantable medical devices useful in treating vascular conditions such as restenosis. In one embodiment, stents are described in which a combination of bioactive agents is described for local delivery in the vasculature. The combination of bioactive agents comprises at least one compound capable of inhibiting smooth muscle cell proliferation and at least one compound capable of mitigating MCP- and/or TF induction. For example, a compound capable of inhibiting smooth muscle cell proliferation is a mTOR inhibitor and a compound capable of mitigating MCP-1 and/or TF induction is a corticosteroid.

    摘要翻译： 本文描述了可用于治疗诸如再狭窄的血管病变的可植入医疗装置。 在一个实施方案中，描述了支架，其中描述了生物活性剂的组合用于脉管系统中的局部递送。 生物活性剂的组合包含至少一种能够抑制平滑肌细胞增殖的化合物和至少一种能够减轻MCP-和/或TF诱导的化合物。 例如，能够抑制平滑肌细胞增殖的化合物是mTOR抑制剂，能够缓解MCP-1和/或TF诱导的化合物是皮质类固醇。

    Selective removal method and structure of silver in resistive switching device for a non-volatile memory device
    6.
    发明授权
    Selective removal method and structure of silver in resistive switching device for a non-volatile memory device 有权
    用于非易失性存储器件的电阻式开关器件中银的选择性去除方法和结构

    公开(公告)号：US08716098B1

    公开(公告)日：2014-05-06

    申请号：US13417135

    申请日：2012-03-09

    申请人： Scott Brad Herner ,  Natividad Vasquez

    发明人： Scott Brad Herner ,  Natividad Vasquez

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/148 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616

    摘要： A method for forming a non-volatile memory device includes providing a substrate having a surface region, forming a first wiring structure overlying the surface region, depositing a first dielectric material overlying the first wiring structure, forming a via opening in the first dielectric material to expose a portion of the first wiring structure, while maintaining a portion of the first dielectric material, forming a layer of resistive switching material comprising silicon, within the via opening, forming a silver material overlying the layer of resistive switching material and the portion of the first dielectric material, forming a diffusion barrier layer overlying the silver material, and selectively removing a portion of the silver material and a portion of the diffusion barrier layer overlying the portion of the first dielectric material while maintaining a portion of the silver material and a portion of the diffusion barrier material overlying the layer of silicon material.

    摘要翻译： 一种用于形成非易失性存储器件的方法包括提供具有表面区域的衬底，形成覆盖在所述表面区域上的第一布线结构，沉积覆盖所述第一布线结构的第一电介质材料，在所述第一电介质材料中形成通孔， 暴露第一布线结构的一部分，同时保持第一电介质材料的一部分，在通孔开口内形成包含硅的电阻开关材料层，形成覆盖电阻开关材料层的银材料 第一电介质材料，形成覆盖在银材料上的扩散阻挡层，以及选择性地去除银材料的一部分和扩散阻挡层的覆盖第一电介质材料部分的部分，同时保持银材料的一部分， 的覆盖硅材料层的扩散阻挡材料。

    Multiple Bioactive Agent Eluting Stents
    7.
    发明申请
    Multiple Bioactive Agent Eluting Stents 审中-公开
    多种生物活性剂洗脱支架

    公开(公告)号：US20100094407A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12249594

    申请日：2008-10-10

    申请人： Natividad Vasquez ,  Iskender Matt Bilge ,  Susan Rea Peterson

    发明人： Natividad Vasquez ,  Iskender Matt Bilge ,  Susan Rea Peterson

    IPC分类号： A61L27/54 ,  A61F2/82

    CPC分类号： A61L31/16 ,  A61L31/10 ,  A61L2300/45 ,  A61L2300/61

    摘要： The apparatus and methods of the present invention in a broad aspect provide novel multiple bioactive agent eluting stents for treating vascular diseases and conditions. Controlled elution of bioactive agents is achieved by the presence of the bioactive agents themselves. One or more characteristics of the bioactive agents cause variations in elution rates or profiles or the other bioactive agents.

    摘要翻译： 本发明的装置和方法在广泛的方面提供了用于治疗血管疾病和病症的新型多重生物活性剂洗脱支架。 通过存在生物活性剂本身来实现生物活性剂的控制洗脱。 生物活性剂的一个或多个特征导致洗脱速率或轮廓或其他生物活性剂的变化。