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    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same
    2.
    发明申请
    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same 有权
    相变半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070012906A1

    公开(公告)日：2007-01-18

    申请号：US11482760

    申请日：2006-07-10

    申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

    摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

    摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

    Method of fabricating integrated circuit semiconductor device having gate metal silicide layer
    3.
    发明申请
    Method of fabricating integrated circuit semiconductor device having gate metal silicide layer 审中-公开
    制造具有栅极金属硅化物层的集成电路半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20100093165A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12453866

    申请日：2009-05-26

    申请人： Ki-ho Bae ,  Kwang-bok Kim ,  Choong-kee Seong ,  In-seak Hwang ,  Ki-jong Park ,  Kyung-hyun Kim

    发明人： Ki-ho Bae ,  Kwang-bok Kim ,  Choong-kee Seong ,  In-seak Hwang ,  Ki-jong Park ,  Kyung-hyun Kim

    IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L21/0334 ,  H01L27/11521

    摘要： Provided is a method of fabricating an integrated circuit semiconductor device. The method may include forming a plurality of gate patterns spaced apart from each other on a semiconductor substrate, the plurality of gate patterns including gate electrodes and gate capping patterns. After an interlayer insulating layer is formed to insulate the gate patterns, the interlayer insulating layer and the gate capping patterns may be planarized by etching until top surfaces of the gate electrodes are exposed. Gate metal silicide layers may be selectively formed on the gate electrodes.

    摘要翻译： 提供一种制造集成电路半导体器件的方法。 所述方法可以包括在半导体衬底上形成彼此间隔开的多个栅极图案，所述多个栅极图案包括栅电极和栅极封盖图案。 在形成层间绝缘层以使栅极图案绝缘之后，可以通过蚀刻来平坦化层间绝缘层和栅极封盖图案，直到栅电极的顶表面露出。 可以在栅电极上选择性地形成栅极金属硅化物层。

    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same
    5.
    发明授权
    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same 有权
    相变半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08053751B2

    公开(公告)日：2011-11-08

    申请号：US12591531

    申请日：2009-11-23

    申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

    摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

    摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same
    6.
    发明申请
    Phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same 有权
    相变半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20100072446A1

    公开(公告)日：2010-03-25

    申请号：US12591531

    申请日：2009-11-23

    申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

    摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

    摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

    Method of cleaning semiconductor substrate
    7.
    发明授权
    Method of cleaning semiconductor substrate 失效
    半导体衬底的清洗方法

    公开(公告)号：US07318870B2

    公开(公告)日：2008-01-15

    申请号：US10421740

    申请日：2003-04-24

    申请人： Dong-Gyun Han ,  Hyung-Ho Ko ,  Young-Jun Kim ,  Ki-Jong Park

    发明人： Dong-Gyun Han ,  Hyung-Ho Ko ,  Young-Jun Kim ,  Ki-Jong Park

    IPC分类号： B08B7/00

    CPC分类号： H01L21/02065 ,  B08B7/00

    摘要： A cleaning method for a semiconductor substrate including placing the semiconductor substrate into a cleaning chamber and injecting ozone gas (O3) into the cleaning chamber. This process operates to cleanse the semiconductor substrate without corrosion or etching of the semiconductor substrate; even when the substrate has metal layer made of tungsten.

    摘要翻译： 一种用于半导体衬底的清洁方法，包括将半导体衬底放置在清洁室中并将臭氧气体（O 3 3）注入到清洁室中。 该过程用于清洁半导体衬底而不会腐蚀或蚀刻半导体衬底; 即使当基板具有由钨制成的金属层时。

    Method for forming a planarized layer of a semiconductor device
    8.
    发明授权
    Method for forming a planarized layer of a semiconductor device 有权
    用于形成半导体器件的平坦化层的方法

    公开(公告)号：US07008755B2

    公开(公告)日：2006-03-07

    申请号：US10464645

    申请日：2003-06-19

    申请人： Ki-Jong Park ,  In-Seak Hwang ,  Tae-Won Kim

    发明人： Ki-Jong Park ,  In-Seak Hwang ,  Tae-Won Kim

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/36

    CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10894

    摘要： In a method for forming a planarized layer on a semiconductor device having concave and convex structures, a dielectric film is formed on a semiconductor substrate; a photoresist pattern is formed to have a thickness on a portion of the dielectric film other than a convex portion greater than h/n (h and n are real numbers of one or more) to remove the convex portion of the dielectric film by a depth of approximately h. The photoresist pattern is re-flowed to have a thickness below h/n at a portion from an edge of the convex portion to a slant portion of the dielectric film. The dielectric film is etched using an etchant having a selectivity of 1:n between the photoresist pattern and the dielectric film. An edge of the photoresist pattern is made thin by re-flowing thereby minimizing a pillar, hence allowing simple, fast, planarization of the dielectric film.

    摘要翻译： 在具有凹凸结构的半导体器件上形成平坦化层的方法中，在半导体衬底上形成电介质膜; 光致抗蚀剂图案形成为具有除了大于h / n（h和n为一个或多个的实数）的凸部以外的电介质膜的一部分上的厚度，以将电介质膜的凸部去除深度 大约h。 在从凸部的边缘到电介质膜的倾斜部分的部分，光致抗蚀剂图案被重新流动以具有低于h / n的厚度。 使用在光致抗蚀剂图案和电介质膜之间具有1：n选择性的蚀刻剂来蚀刻电介质膜。 通过再流动使光致抗蚀剂图案的边缘变薄，从而使柱最小化，从而允许简单，快速地平坦化介电膜。