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    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FIN-SHAPED PATTERNS
    1.
    发明申请
    METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING FIN-SHAPED PATTERNS 有权
    用于制造具有精细形状图案的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20160218180A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：US14968999

    申请日：2015-12-15

    申请人： Jung-Gun You ,  Se-Wan PARK ,  Seung-Woo DO ,  In-Won PARK ,  Sug-Hyun SUNG

    发明人： Jung-Gun You ,  Se-Wan PARK ,  Seung-Woo DO ,  In-Won PARK ,  Sug-Hyun SUNG

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a first fin-shaped pattern including an upper part and a lower part on a substrate, forming a second fin-shaped pattern by removing a part of the upper part of the first fin-shaped pattern, forming a dummy gate electrode intersecting with the second fin-shaped pattern on the second fin-shaped pattern, and forming a third fin-shaped pattern by removing a part of an upper part of the second fin-shaped pattern after forming the dummy gate electrode, wherein a width of the upper part of the second fin-shaped pattern is smaller than a width of the upper part of the first fin-shaped pattern and is greater than a width of an upper portion of the third fin-shaped pattern.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍状图案，通过去除第一鳍状图案的上部的一部分形成第二鳍状图案，形成虚拟栅电极 与第二鳍状图案上的第二鳍状图案相交，并且在形成虚拟栅电极之后，通过去除第二鳍状图案的上部的一部分来形成第三鳍​​状图案，其中宽度 第二鳍状图案的上部小于第一鳍状图案的上部的宽度，并且大于第三鳍状图案的上部的宽度。