公开(公告)号：US20120223347A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13366665

申请日：2012-02-06

申请人： Ho Sang YOON ,  Sang Kyun SHIM

发明人： Ho Sang YOON ,  Sang Kyun SHIM

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

摘要： Provided are a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting apparatus. The light emitting device includes: an n-type semiconductor layer including a first area and a second area in a plane; an active layer disposed on the n-type semiconductor layer in the first area; an electron barrier layer disposed on the active layer in the first area; and a p-type semiconductor layer disposed on the electron barrier layer in the first area.

摘要翻译： 提供了一种发光器件，发光器件封装和照明装置。 发光器件包括：n型半导体层，包括平面中的第一区域和第二区域; 设置在所述第一区域中的所述n型半导体层上的有源层; 设置在所述第一区域中的有源层上的电子势垒层; 以及设置在第一区域中的电子势垒层上的p型半导体层。

公开(公告)号：US20110133230A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US13028920

申请日：2011-02-16

申请人： Ho Sang YOON

发明人： Ho Sang YOON

IPC分类号： H01L33/26

CPC分类号： H01L33/20

摘要： Disclosed are a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same. The semiconductor light emitting device comprises a substrate, in which concave-convex patterns are in at least a portion of a backside of the substrate, and a light emitting structure on the substrate and comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括其中凹凸图案位于衬底的背面的至少一部分中的衬底和在衬底上的发光结构，并且包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层 导电半导体层。

公开(公告)号：US07829881B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11896877

申请日：2007-09-06

申请人： Ho Sang Yoon

发明人： Ho Sang Yoon

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L29/22 ,  H01L33/00 ,  H01L29/24 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor light emitting device including a first electrode contact layer, an active layer formed on the first electrode contact layer, a second electrode contact layer formed on the active layer, and a first roughness layer formed on at least one of the first and second electrode contact layers.

摘要翻译： 一种半导体发光器件，包括第一电极接触层，形成在第一电极接触层上的有源层，形成在有源层上的第二电极接触层，以及形成在第一和第二电极中的至少一个上的第一粗糙层 接触层。

公开(公告)号：US20100187495A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12669026

申请日：2008-07-25

申请人： Ho Sang Yoon ,  Sang Kyun Shim

发明人： Ho Sang Yoon ,  Sang Kyun Shim

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

摘要： A semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same are provided. The semiconductor light emitting device comprises a first semiconductor layer emitting electrons, a second semiconductor layer emitting holes, and an active layer emitting light by combination of the electrons and holes. At least one of the layers comprises an photo enhanced minority carriers.

摘要翻译： 提供一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括发射电子的第一半导体层，发射孔的第二半导体层和通过电子和空穴的组合发光的有源层。 层中的至少一层包括光增强的少数载体。

公开(公告)号：US20100052010A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12552648

申请日：2009-09-02

申请人： Ho Sang YOON

发明人： Ho Sang YOON

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/025

摘要： Provided is a semiconductor light emitting device.The semiconductor light emitting device according to embodiments comprises a first conductive type semiconductor layer; an un-doped semiconductor layer under the first conductive type semiconductor layer; and a plurality of semiconductor structure in the un-doped semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了一种半导体发光器件。 根据实施例的半导体发光器件包括第一导电类型半导体层; 在第一导电类型半导体层下方的未掺杂半导体层; 以及在未掺杂半导体层中的多个半导体结构。

公开(公告)号：US20090078954A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US12234326

申请日：2008-09-19

申请人： Sang Kyun Shim ,  Ho Sang Yoon

发明人： Sang Kyun Shim ,  Ho Sang Yoon

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： Disclosed is a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same. The semiconductor light emitting device comprises a first conductive semiconductor layer comprising a first concave-convex pattern, a second concave-convex pattern on at least one pattern of the first concave-convex pattern, an active layer on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括第一导电半导体层，其包括第一凹凸图案，第一凹凸图案的至少一个图案上的第二凹凸图案，第一导电半导体层上的有源层和 第二导电半导体层在有源层上。

公开(公告)号：US20080061308A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11896877

申请日：2007-09-06

申请人： Ho Sang Yoon

发明人： Ho Sang Yoon

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor light emitting device comprises a first electrode contact layer, an active layer on the first electrode contact layer, a second electrode contact layer on the active layer, and a first roughness layer on/under at least one of the first and second electrode contact layers.

摘要翻译： 半导体发光器件包括第一电极接触层，第一电极接触层上的有源层，有源层上的第二电极接触层和第一和第二电极接触中的至少一个上/之上的第一粗糙层 层。

公开(公告)号：US20120126242A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13365078

申请日：2012-02-02

申请人： Ho Sang YOON ,  Sung Hoon Jung

发明人： Ho Sang YOON ,  Sung Hoon Jung

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： Provided are a light emitting device, a light emitting device package, and a lighting apparatus. The light emitting device includes: an n-type semiconductor layer including a first area and a second area in a plane; an n-type contact layer disposed on the n-type semiconductor layer and has a first thickness in the first area and a second thickness in the second area; an undoped semiconductor layer disposed on the n-type contact layer having the first thickness in the first area; an active layer disposed on the undoped semiconductor layer in the first area; a p-type semiconductor layer disposed on the active layer in the first area; a first electrode disposed on the n-type contact layer having the second thickness in the second area; and a second electrode disposed on the p-type semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了一种发光器件，发光器件封装和照明装置。 发光器件包括：n型半导体层，包括平面中的第一区域和第二区域; n型接触层，其设置在所述n型半导体层上，并且在所述第一区域具有第一厚度，在所述第二区域中具有第二厚度; 设置在第一区域中具有第一厚度的n型接触层上的未掺杂半导体层; 设置在所述第一区域中的未掺杂半导体层上的有源层; 设置在所述第一区域中的有源层上的p型半导体层; 设置在所述第二区域中具有第二厚度的所述n型接触层上的第一电极; 以及设置在p型半导体层上的第二电极。

公开(公告)号：US20110175120A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12948857

申请日：2010-11-18

申请人： Ho Sang Yoon ,  Sang Kyun Shim

发明人： Ho Sang Yoon ,  Sang Kyun Shim

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/0025 ,  F21K9/23 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting device is provided. The light emitting device includes a first semiconductor layer, an uneven part on the first semiconductor layer, a first nonconductive layer including a plurality of clusters on the uneven part, a first substrate layer on the nonconductive layer, and a light emitting structure layer. The light emitting structure layer includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer and a second conductive type semiconductor layer on the first substrate layer.

摘要翻译： 提供了一种发光器件。 发光器件包括第一半导体层，第一半导体层上的不平坦部分，在不平坦部分上包括多个簇的第一非导电层，非导电层上的第一衬底层和发光结构层。 发光结构层在第一衬底层上包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：US07977695B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12234326

申请日：2008-09-19

申请人： Sang Kyun Shim ,  Ho Sang Yoon

发明人： Sang Kyun Shim ,  Ho Sang Yoon

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： Disclosed is a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same. The semiconductor light emitting device comprises a first conductive semiconductor layer comprising a first concave-convex pattern, a second concave-convex pattern on at least one pattern of the first concave-convex pattern, an active layer on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。 半导体发光器件包括第一导电半导体层，其包括第一凹凸图案，第一凹凸图案的至少一个图案上的第二凹凸图案，第一导电半导体层上的有源层和 第二导电半导体层在有源层上。