公开(公告)号：US20110113568A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12944251

申请日：2010-11-11

申请人： Jeong Su HAN ,  Ivanov Gennady ,  Jin Ha Jeong ,  Hea Yun Lee ,  Hyen Young Choi ,  Seung Back Shin ,  Sang Jun Lee ,  Ji Hoon Ha

发明人： Jeong Su HAN ,  Ivanov Gennady ,  Jin Ha Jeong ,  Hea Yun Lee ,  Hyen Young Choi ,  Seung Back Shin ,  Sang Jun Lee ,  Ji Hoon Ha

IPC分类号： D06F33/00

CPC分类号： D06F39/003 ,  D06F33/02 ,  D06F37/22

摘要： Disclosed herein are a washing machine and a control method of the same wherein image change or light amount change based on displacement of an object, which is changed depending upon the weight of laundry, is sensed to detect the weight of the laundry, thereby improving reliability in detecting the weight of the laundry.

摘要翻译： 这里公开了一种洗衣机及其控制方法，其中检测到基于衣物重量而改变的物体的位移的图像变化或光量变化以检测衣物的重量，从而提高可靠性 在检测衣物的重量时。

公开(公告)号：US20130052569A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13564196

申请日：2012-08-01

申请人： Jin CHOI ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin CHOI ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G03B27/42

CPC分类号： H01J37/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  Y10S430/143

摘要： A method including loading a blank reticle; projecting an electron beam; moving a second aperture plate having a first and second pattern aperture so the first pattern aperture is overlapped by a first aperture of a first aperture plate, the electron beam passing through the first pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam that passes the first pattern aperture to form a first exposure pattern; moving the second aperture plate so the second pattern aperture is overlapped by the first aperture of the first aperture plate, the electron beam passing through the second pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam after passing the second pattern aperture, to form a second exposure pattern; and developing the blank reticle having the first and second exposure patterns to form the reticle having first and second patterns.

摘要翻译： 一种包括加载空白掩模版的方法; 投射电子束; 移动具有第一和第二图案孔的第二孔板，使得第一图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第一图案孔; 用通过第一图案孔的电子束曝光空白掩模版以形成第一曝光图案; 移动第二孔板，使得第二图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第二图案孔; 在通过第二图案孔之后，用电子束曝光空白掩模版，形成第二曝光图案; 并且显影具有第一和第二曝光图案的空白掩模版，以形成具有第一和第二图案的掩模版。

公开(公告)号：US08609305B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13443440

申请日：2012-04-10

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/80

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776

摘要： In a method of forming a reticle and electron beam exposure system, first electron beams are irradiated onto a first region of a blank reticle having a light shielding layer and a photosensitive layer, to form first shot patterns. Second electron beams having a cross-sectional area larger than the first electron beams are irradiated onto a second region of the blank reticle. The photosensitive layer is developed to form first and second mask patterns at the first and second regions, respectively. The light shielding layer is etched off using the first and second mask patterns as an etching mask, thereby forming the mother pattern including a first pattern in the first region and a second pattern in the second region. Accordingly, the enlargement of the second electron beams reduces the scan time for the blank reticle, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 在形成掩模版和电子束曝光系统的方法中，将第一电子束照射到具有遮光层和感光层的坯料掩模版的第一区域上，以形成第一射出图案。 具有大于第一电子束的横截面面积的第二电子束被照射到坯料掩模版的第二区域上。 感光层被显影以分别在第一和第二区域形成第一和第二掩模图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻掉遮光层，从而形成包括第一区域中的第一图案和第二区域中的第二图案的母体图案。 因此，第二电子束的放大减少了空白掩模版的扫描时间，从而缩短了处理时间。

公开(公告)号：US08563951B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13419761

申请日：2012-03-14

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Vladimir Urazaev ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Vladimir Urazaev ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G21K5/04

CPC分类号： G03F1/78 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31776

摘要： Exposure systems include a beam generator, which is configured to irradiate source beams in a direction of an object to be exposed by the source beams, along with first and second beam shapers. The first beam shaper, which is disposed proximate the beam generator, has a first aperture therein positioned to pass through the source beams received from the beam generator. The second beam shaper is disposed proximate the first beam shaper. The second beam shaper includes a plate having a second aperture therein, which is positioned to receive the source beams that are passed through the first aperture of the first beam shaper. The second beam shaper further includes a first actuator and a first shift screen mechanically coupled to the first actuator.

摘要翻译： 曝光系统包括光束发生器，其被配置成沿着第一和第二光束整形器照射源光束的待曝光物体的方向上的光源射束。 设置在光束发生器附近的第一光束整形器具有其中定位成穿过从光束发生器接收的源光束的第一孔。 第二光束整形器靠近第一光束整形器设置。 第二光束整形器包括其中具有第二孔的板，其被定位成接收穿过第一光束整形器的第一孔的源光束。 第二光束整形器还包括机械耦合到第一致动器的第一致动器和第一移位屏幕。

公开(公告)号：US08697317B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13564196

申请日：2012-08-01

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： H01J37/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  Y10S430/143

摘要： A method including loading a blank reticle; projecting an electron beam; moving a second aperture plate having a first and second pattern aperture so the first pattern aperture is overlapped by a first aperture of a first aperture plate, the electron beam passing through the first pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam that passes the first pattern aperture to form a first exposure pattern; moving the second aperture plate so the second pattern aperture is overlapped by the first aperture of the first aperture plate, the electron beam passing through the second pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam after passing the second pattern aperture, to form a second exposure pattern; and developing the blank reticle having the first and second exposure patterns to form the reticle having first and second patterns.

摘要翻译： 一种包括加载空白掩模版的方法; 投射电子束; 移动具有第一和第二图案孔的第二孔板，使得第一图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第一图案孔; 用通过第一图案孔的电子束曝光空白掩模版以形成第一曝光图案; 移动第二孔板，使得第二图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第二图案孔; 在通过第二图案孔之后，用电子束曝光空白掩模版，形成第二曝光图案; 并且显影具有第一和第二曝光图案的空白掩模版，以形成具有第一和第二图案的掩模版。

公开(公告)号：US20120292535A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13419761

申请日：2012-03-14

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Vladimir Urazaev ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Vladimir Urazaev ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G21K5/04

CPC分类号： G03F1/78 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31776

摘要： Exposure systems include a beam generator, which is configured to irradiate source beams in a direction of an object to be exposed by the source beams, along with first and second beam shapers. The first beam shaper, which is disposed proximate the beam generator, has a first aperture therein positioned to pass through the source beams received from the beam generator. The second beam shaper is disposed proximate the first beam shaper. The second beam shaper includes a plate having a second aperture therein, which is positioned to receive the source beams that are passed through the first aperture of the first beam shaper. The second beam shaper further includes a first actuator and a first shift screen mechanically coupled to the first actuator.

摘要翻译： 曝光系统包括光束发生器，其被配置成沿着第一和第二光束整形器照射源光束的待曝光物体的方向上的光源射束。 设置在光束发生器附近的第一光束整形器具有其中定位成穿过从光束发生器接收的源光束的第一孔。 第二光束整形器靠近第一光束整形器设置。 第二光束整形器包括其中具有第二孔的板，其被定位成接收穿过第一光束整形器的第一孔的源光束。 第二光束整形器还包括机械耦合到第一致动器的第一致动器和第一移位屏幕。

公开(公告)号：US20110214457A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13034351

申请日：2011-02-24

申请人： Jeong Su HAN ,  Jin Ha JEONG ,  Ivanov GENNADY ,  Hea Yun LEE ,  Jun hoe CHOI ,  Ji Hoon HA ,  Tae Gyoon NOH

发明人： Jeong Su HAN ,  Jin Ha JEONG ,  Ivanov GENNADY ,  Hea Yun LEE ,  Jun hoe CHOI ,  Ji Hoon HA ,  Tae Gyoon NOH

IPC分类号： D06F39/00

CPC分类号： D06F39/003

摘要： Disclosed herein are a washing machine that amplifies the displacement of a tub according to input of laundry such that the displacement of the tub is accurately sensed by a sensor module and a laundry amount detection apparatus thereof. The washing machine includes a housing forming an external appearance thereof, a tub provided in the housing to contain water, an amplification unit to amplify displacement of the tub, and a sensor module to sense weight of laundry using the amplified displacement of the tub.

摘要翻译： 这里公开了一种洗衣机，其根据衣物的输入放大桶的位移，使得通过传感器模块及其衣物量检测装置精确地感测桶的位移。 洗衣机包括形成其外观的壳体，设置在壳体中以容纳水的桶，用于放大桶的位移的放大单元，以及用于使用桶的放大位移来感测衣物的重量的传感器模块。

公开(公告)号：US20120288787A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13443440

申请日：2012-04-10

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G21K5/04

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776

摘要： In a method of forming a reticle and electron beam exposure system, first electron beams are irradiated onto a first region of a blank reticle having a light shielding layer and a photosensitive layer, to form first shot patterns. Second electron beams having a cross-sectional area larger than the first electron beams are irradiated onto a second region of the blank reticle. The photosensitive layer is developed to form first and second mask patterns at the first and second regions, respectively. The light shielding layer is etched off using the first and second mask patterns as an etching mask, thereby forming the mother pattern including a first pattern in the first region and a second pattern in the second region. Accordingly, the enlargement of the second electron beams reduces the scan time for the blank reticle, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 在形成掩模版和电子束曝光系统的方法中，将第一电子束照射到具有遮光层和感光层的坯料掩模版的第一区域上，以形成第一射出图案。 具有大于第一电子束的横截面面积的第二电子束被照射到坯料掩模版的第二区域上。 感光层被显影以分别在第一和第二区域形成第一和第二掩模图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻掉遮光层，从而形成包括第一区域中的第一图案和第二区域中的第二图案的母体图案。 因此，第二电子束的放大减少了空白掩模版的扫描时间，从而缩短了处理时间。