公开(公告)号：US20070044873A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11216498

申请日：2005-08-31

申请人： Paul Aimone

发明人： Paul Aimone

IPC分类号： C22F1/18

CPC分类号： C22B34/24 ,  B22F2998/10 ,  C22B9/20 ,  C22C27/02 ,  C22F1/18 ,  C23C14/3414 ,  H05H7/20 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24

摘要： A method of making an alloy of niobium that includes: A) forming a blend comprising niobium powder and a powder of a metal selected from the group consisting of yttrium, aluminum, hafnium, titanium, zirconium, thorium, lanthanum and cerium and pressing the blend to form pressed blend; B) attaching the pressed blend to an electrode comprising niobium; C) melting the electrode and pressed blend under vacuum arc remelting conditions, such that the blend mixes with the melted electrode; D) cooling the melted electrode to form an alloy ingot; and E) applying thermo-mechanical processing steps to the alloy ingot to form a wrought product. The method provides a fully recrystallized niobium wrought product with a grain size finer that ASTM 5, that can be used to make deep drawn cups and sputtering targets.

摘要翻译： 一种制造铌合金的方法，其包括：A）形成包含铌粉末和选自钇，铝，铪，钛，锆，钍，镧和铈的金属粉末的混合物并压制所述共混物 形成压制混合物; B）将压制的共混物连接到包含铌的电极; C）在真空电弧重熔条件下熔化电极和压制共混物，使得共混物与熔融电极混合; D）冷却熔融的电极以形成合金锭; 和E）将热机械加工步骤应用于合金锭以形成锻造产品。 该方法提供了完全再结晶的铌锻造产品，其具有比ASTM 5更精细的粒度，可用于制造深拉杯和溅射靶。

公开(公告)号：US06849104B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US09849717

申请日：2001-05-04

申请人： Leonid N. Shekhter ,  Terrance B. Tripp ,  Leonid L. Lanin ,  Anastasia M. Conlon ,  Howard V. Goldberg

发明人： Leonid N. Shekhter ,  Terrance B. Tripp ,  Leonid L. Lanin ,  Anastasia M. Conlon ,  Howard V. Goldberg

IPC分类号： B22F9/20 ,  C01G23/04 ,  C01G31/02 ,  C01G33/00 ,  C01G37/02 ,  C01G39/02 ,  C01G41/02 ,  H01G9/052

CPC分类号： H01G9/0525 ,  B22F1/0014 ,  B22F9/20 ,  B22F2998/00 ,  C01G23/043 ,  C01G31/02 ,  C01G33/00 ,  C01G37/02 ,  C01G39/02 ,  C01G41/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/11 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/17 ,  C01P2006/34 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01G9/04 ,  H01G9/052 ,  B22F1/0096 ,  B22F2201/40 ,  B22F2201/11

摘要： High purity refractory metals, valve metals, refractory metal oxides, valve metal oxides, or alloys thereof suitable for a variety of electrical, optical and mill product/fabricated parts usages are produced from their respective oxides by metalothermic reduction of a solid or liquid form of such oxide using a reducing agent that establishes (after ignition) a highly exothermic reaction, the reaction preferably taking place in a continuously or step-wise moving oxide such as gravity fall with metal retrievable at the bottom and an oxide of the reducing agent being removable as a gas or in other convenient form and unreacted reducing agent derivatives being removable by leaching or like process.

摘要翻译： 适用于各种电气，光学和制造产品/制造部件的高纯度难熔金属，阀金属，难熔金属氧化物，阀金属氧化物或其合金用途是通过其各自的氧化物通过固体或液体形式的金属热还原 这种氧化物使用建立（点燃后）高度放热反应的还原剂，反应优选在连续或逐步移动的氧化物如重力中发生，金属在底部可回收，还原剂的氧化物是可去除的 作为气体或以其他方便的形式，并且未反应的还原剂衍生物可通过浸出或类似方法除去。

公开(公告)号：US5442978A

公开(公告)日：1995-08-22

申请号：US245895

申请日：1994-05-19

申请人： Richard Hildreth ,  Malcolm Shaw ,  Terrance B. Tripp ,  Leo G. Gibbons

发明人： Richard Hildreth ,  Malcolm Shaw ,  Terrance B. Tripp ,  Leo G. Gibbons

IPC分类号： B22F9/20 ,  B22F9/24 ,  C22B34/24 ,  B22F9/00

CPC分类号： C22B34/24 ,  B22F9/24

摘要： Fine tantalum powder of high surface area, high capacitance, low leakage and high breakdown voltage is produced by sodium reduction of highly dilute fluotantalate salt charges at high reaction temperatures and stepwise additions of the sodium reducing agent in a time-series of substantially even weight slugs added over the whole course of the reduction reaction to a melt of the charge and using the small exotherm of reduction provided by each slug as a temperature control factor.

摘要翻译： 具有高表面积，高电容，低泄漏和高击穿电压的细钽粉末是通过在高反应温度下高度稀释的氟草酸盐电荷进行钠还原，并且以基本均匀重量的lug a的时间序列逐步加入钠还原剂 在还原反应的整个过程中加入到电荷的熔体中，并且使用由每个焊料提供的小的减少的放热作为温度控制因子。

公开(公告)号：US20120291592A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13529148

申请日：2012-06-21

申请人： Leonid N. Shekhter ,  Steven a. Miller ,  Leah F. Haywiser ,  Rong-Chein R. Wu

发明人： Leonid N. Shekhter ,  Steven a. Miller ,  Leah F. Haywiser ,  Rong-Chein R. Wu

IPC分类号： B22F1/00

CPC分类号： B22F1/0088 ,  B05D1/12 ,  B05D2401/32 ,  B22F1/0085 ,  B22F2999/00 ,  C23C24/04 ,  B22F2201/10 ,  B22F2202/13 ,  B22F9/20

摘要： In various embodiments, low-oxygen metal powder is produced by heating a metal powder to a temperature at which an oxide of the metal powder becomes thermodynamically unstable and applying a pressure to volatilize the oxygen.

摘要翻译： 在各种实施方案中，通过将金属粉末加热到金属粉末的氧化物变得热力学不稳定并施加压力以使氧气挥发的温度来制备低氧金属粉末。

公开(公告)号：US20110097236A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12917668

申请日：2010-11-02

申请人： Mark E. Gaydos ,  Prabhat Kumar ,  Steve Miller ,  Norman C. Mills ,  Gary Rozak ,  Rong-Chein Richard Wu

发明人： Mark E. Gaydos ,  Prabhat Kumar ,  Steve Miller ,  Norman C. Mills ,  Gary Rozak ,  Rong-Chein Richard Wu

IPC分类号： C22C14/00 ,  B22F1/00 ,  B32B37/02 ,  C22C27/04 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/15 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  B22F5/006 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/04

摘要： Molybdenum titanium sputter targets are provided. In one aspect, the targets are substantially free of the β(Ti, Mo) alloy phase. In another aspect, the targets are substantially comprised of single phase β(Ti, Mo) alloy. In both aspects, particulate emission during sputtering is reduced. Methods of preparing the targets, methods of bonding targets together to produce large area sputter targets, and films produced by the targets, are also provided.

摘要翻译： 提供钼钛溅射靶。 在一个方面，目标基本上不含（Ti，Mo）合金相。 另一方面，靶基本上由单相（Ti，Mo）合金构成。 在这两个方面，溅射中的颗粒发射减少。 还提供了制备目标的方法，将靶标结合在一起以产生大面积溅射靶的方法，以及由靶产生的膜。

公开(公告)号：US07056470B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10498174

申请日：2003-01-21

申请人： Richard Malen ,  Prabhat Kumar

发明人： Richard Malen ,  Prabhat Kumar

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F3/20

CPC分类号： H01G9/042 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  H01G9/0525 ,  B22F3/18 ,  B22F3/20 ,  B22F5/12 ,  B22F9/023 ,  B22F3/04 ,  B22F3/16

摘要： A capacitor-grade wire made from powder metallurgy containing at least niobium and silicon, wherein the niobium is the highest weight percent metal present in the niobium wire. The wire having a controlled tensile strength at finish diameter exceeds the strength of capacitor-grade wire formed by ingot metallurgy. Also, the powder metallurgy wire hardness exceeds capacitor-grade wire formed from ingot metallurgy with electrical leakage meeting the specifications normally applied to capacitor grade tantalum, niobium or niobium-zirconium lead wire at sinter temperatures of about 1150° C. and above.

公开(公告)号：US20080193798A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11574469

申请日：2005-08-29

申请人： Brad Lemon ,  Joseph Hirt ,  Timothy Welling ,  James G. Daily ,  David Meendering ,  Gary Rozak ,  Jerome O'Grady ,  Peter R. Jepson ,  Prabhat Kumar ,  Steven A. Miller ,  Richard Wu ,  Davd G. Schwarz

发明人： Brad Lemon ,  Joseph Hirt ,  Timothy Welling ,  James G. Daily ,  David Meendering ,  Gary Rozak ,  Jerome O'Grady ,  Peter R. Jepson ,  Prabhat Kumar ,  Steven A. Miller ,  Richard Wu ,  Davd G. Schwarz

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C27/04

CPC分类号： C22C1/045 ,  B22F3/162 ,  B22F2003/248 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C27/04 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10 ,  B22F3/16 ,  B22F3/24

摘要： Molybdenum sputtering targets and sintering characterized as having no or minimal texture banding or through thickness gradient. The molybdenum sputtering targets having a fine, uniform grain size as well as uniform texture, are high purity and can be micro-alloyed to improved performance. The sputtering targets can be round discs, square, rectangular or tubular and can be sputtered to form thin films on substrates. By using a segment-forming method, the size of the sputtering target can be up to 6 m×5.5 m. The thin films can be used in electronic components such as Thin Film Transistor—Liquid Crystal Displays, Plasma Display Panels, Organic Light Emitting Diodes, Inorganic Light Emitting Diode Displays, Field Emitting Displays, solar cells, sensors, semiconductor devices, and gate device for CMOS (complementary metal oxide semiconductor) with tunable work functions.

摘要翻译： 钼溅射靶和烧结表征为没有或最小纹理条带或通过厚度梯度。 具有精细，均匀的晶粒尺寸以及均匀织构的钼溅射靶是高纯度的，并且可以微合金化以改善性能。 溅射靶可以是圆盘，正方形，矩形或管状，并且可以溅射以在基底上形成薄膜。 通过使用段形成方法，溅射靶的尺寸可以达到6m×5.5μm。 薄膜可以用于薄膜晶体管 - 液晶显示器，等离子体显示面板，有机发光二极管，无机发光二极管显示器，场发射显示器，太阳能电池，传感器，半导体器件和门装置等电子部件中 CMOS（互补金属氧化物半导体）具有可调功能。

公开(公告)号：US5470525A

公开(公告)日：1995-11-28

申请号：US269580

申请日：1994-07-01

申请人： Terrance B. Tripp ,  Malcolm Shaw

发明人： Terrance B. Tripp ,  Malcolm Shaw

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  H01G9/00 ,  H01G9/15

CPC分类号： H01G9/15 ,  B22F1/0088 ,  B22F3/1025

摘要： Tantalum anode pellets or tantalum powders are treated to remove carbon content (mostly attributable to binders used in pressing the powders to pellet form and/or sintering of the pellets) by an aqueous leach at 50.degree.-200.degree. F. in lieu of the conventional complex distillation/decomposition methods.

摘要翻译： 处理钽阳极丸或钽粉以除去碳含量（主要归因于用于将粉末压制成颗粒形式和/或烧结颗粒的粘合剂）通过在-50°-200°F的水性浸出代替常规 复合蒸馏/分解方法。

公开(公告)号：US08449818B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12827562

申请日：2010-06-30

申请人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

发明人： Gary Alan Rozak ,  Mark E. Gaydos ,  Patrick Alan Hogan ,  Shuwei Sun

IPC分类号： C22C27/04 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F2998/10 ,  C03C17/40 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5873 ,  C23G1/106 ,  C23G1/205 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/31678 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/18

摘要： The invention is directed at sputter targets including 50 atomic % or more molybdenum, a second metal element of titanium, and a third metal element of chromium or tantalum, and deposited films prepared by the sputter targets. In a preferred aspect of the invention, the sputter target includes a phase that is rich in molybdenum, a phase that is rich in titanium, and a phase that is rich in the third metal element.

摘要翻译： 本发明涉及包括50原子％或更多的钼，钛的第二金属元素和铬​​或钽的第三金属元素以及由溅射靶制备的沉积膜的溅射靶。 在本发明的优选方面，溅射靶包括富含钼的相，富含钛的相和富含第三金属元素的相。

公开(公告)号：US06927967B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10321861

申请日：2002-12-17

申请人： Terrance B. Tripp

发明人： Terrance B. Tripp

IPC分类号： C04B35/58 ,  C01B21/06 ,  H01G4/12 ,  H01G9/04 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  H01G9/145

CPC分类号： H01G9/042 ,  C01B21/0617 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/58007 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1254 ,  H01G9/0525 ,  Y10T29/417

摘要： Electrolytic capacitor powder substrates are provided of refractory metal nitrides to reduce instability at a substrate-oxide (as formed) interface whereby the resultant capacitor sensitivity to hear, bias and frequency is reduced.

摘要翻译： 提供难熔金属氮化物的电解电容器粉末基底，以减少基底氧化物（形成）界面处的不稳定性，从而降低所得到的电容器的听觉，偏压和频率灵敏度。