公开(公告)号：US08106470B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12751633

申请日：2010-03-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

IPC分类号： H01L21/32

CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/86

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate having a top surface; a first conductive layer over and contacting the top surface of the substrate; a dielectric layer over and contacting the first conductive layer, wherein the dielectric layer includes an opening exposing a portion of the first conductive layer; and a proof-mass in the opening and including a second conductive layer at a bottom of the proof-mass. The second conductive layer is spaced apart from the portion of the first conductive layer by an air space. Springs anchor the proof-mass to portions of the dielectric layer encircling the opening. The springs are configured to allow the proof-mass to make three-dimensional movements.

摘要翻译： 集成电路结构包括具有顶表面的基板; 在衬底的顶表面上方并接触第一导电层; 电介质层，其与所述第一导电层接触并接触，其中所述电介质层包括露出所述第一导电层的一部分的开口; 并且在开口中具有证明质量，并且包括在质量块的底部的第二导电层。 第二导电层通过空气间隔与第一导电层的部分间隔开。 弹簧将证明质量锚定到围绕开口的介电层的部分。 弹簧被配置为允许证明物质进行三维运动。

公开(公告)号：US08053377B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12892190

申请日：2010-09-28

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Ting-Hau Wu

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Ting-Hau Wu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： B41J2/16 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1639 ,  B81B2201/052 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/053

摘要： System and method for forming a structure including a MEMS device structure. In order to prevent warpage of a substrate arising from curing process for a sacrificial material (such as a photoresist), and from subsequent high temperature process steps, an improved sacrificial material comprises (i) a polymer and (ii) a foaming agent or special function group. The structure can be formed by forming a trench in a substrate and filling the trench with a sacrificial material. The sacrificial material includes (i) a polymer and (ii) a foaming agent or special function group. After further process steps are completed, the sacrificial material is removed from the trench.

摘要翻译： 用于形成包括MEMS器件结构的结构的系统和方法。 为了防止由牺牲材料（例如光致抗蚀剂）的固化过程引起的基板翘曲，以及随后的高温工艺步骤，改进的牺牲材料包括（i）聚​​合物和（ii）发泡剂或特殊的 功能组。 可以通过在衬底中形成沟槽并用牺牲材料填充沟槽来形成结构。 牺牲材料包括（i）聚​​合物和（ii）发泡剂或特殊功能组。 在完成进一步的工艺步骤之后，将牺牲材料从沟槽中移除。

公开(公告)号：US20100258883A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12692118

申请日：2010-01-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L23/52

CPC分类号： B81C1/00095 ,  B81B2203/0384

摘要： A metal-ceramic multilayer structure is provided. The underlying layers of the metal/ceramic multilayer structure have sloped sidewalls such that cracking of the metal-ceramic multilayer structure may be reduced or eliminated. In an embodiment, a layer immediately underlying the metal-ceramic multilayer has sidewalls sloped less than 75 degrees. Subsequent layers underlying the layer immediately underlying the metal/ceramic layer have sidewalls sloped greater than 75 degrees. In this manner, less stress is applied to the overlying metal/ceramic layer, particularly in the corners, thereby reducing the cracking of the metal-ceramic multilayer. The metal/ceramic multilayer structure includes one or more alternating layers of a metal seed layer and a ceramic layer.

摘要翻译： 提供了一种金属陶瓷多层结构。 金属/陶瓷多层结构的下层具有倾斜的侧壁，从而可以减少或消除金属 - 陶瓷多层结构的开裂。 在一个实施例中，紧邻金属陶瓷多层的底层的侧壁倾斜小于75度。 紧邻金属/陶瓷层下面的层下面的后续层具有倾斜大于75度的侧壁。 以这种方式，对上覆的金属/陶瓷层，特别是在角部施加较小的应力，从而减少金属 - 陶瓷多层的开裂。 金属/陶瓷多层结构包括金属种子层和陶瓷层的一个或多个交替层。

公开(公告)号：US20100203664A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12619542

申请日：2009-11-16

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/28

CPC分类号： B81C1/00595

摘要： When a native oxide grows on a polysilicon member of, e.g., a MEMS device, delamination between the polysilicon member and subsequently formed layers may occur because the native oxide is undercut during removal of sacrificial oxide layers. Nitriding the native oxide increases the etch selectivity relative the sacrificial oxide layers. Undercutting and delamination is hence reduced or eliminated altogether.

摘要翻译： 当天然氧化物在例如MEMS器件的多晶硅构件上生长时，可能会发生多晶硅构件和随后形成的层之间的分层，因为在去除牺牲氧化物层期间天然氧化物被切削。 氮化自然氧化物相对于牺牲氧化物层增加蚀刻选择性。 因此，底切和分层完全减少或消除。

公开(公告)号：US20090294766A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12138057

申请日：2008-06-12

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Sean Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Benior Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Sean Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Benior Chen

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a substrate; a first amorphous silicon layer over the substrate; a first glue layer over and adjoining the first amorphous silicon layer; and a second amorphous silicon layer over and adjoining the first glue layer.

摘要翻译： 电路结构包括基板; 衬底上的第一非晶硅层; 在第一非晶硅层上并邻接第一非晶硅层的第一胶合层; 以及在所述第一胶合层上并与其邻接的第二非晶硅层。

公开(公告)号：US09138994B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US12683550

申请日：2010-01-07

申请人： Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu

发明人： Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu

IPC分类号： B41J2/05 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC分类号： B41J2/14088 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646

摘要： MEMS devices and methods of fabrication thereof are described. In one embodiment, the MEMS device includes a bottom alloy layer disposed over a substrate. An inner material layer is disposed on the bottom alloy layer, and a top alloy layer is disposed on the inner material layer, the top and bottom alloy layers including an alloy of at least two metals, wherein the inner material layer includes the alloy and nitrogen. The top alloy layer, the inner material layer, and the bottom alloy layer form a MEMS feature.

摘要翻译： 描述了MEMS器件及其制造方法。 在一个实施例中，MEMS器件包括设置在衬底上的底部合金层。 内层材料层设置在底层合金层上，顶层合金层设置在内层材料层上，顶层合金层和底层合金层均含有至少两种金属的合金，其中内层含有合金和氮 。 顶部合金层，内部材料层和底部合金层形成MEMS特征。

公开(公告)号：US08905293B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12964347

申请日：2010-12-09

申请人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： B23K1/20 ,  B32B15/04 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

摘要： A bond free of an anti-stiction layer and bonding method is disclosed. An exemplary method includes forming a first bonding layer; forming an interlayer over the first bonding layer; forming an anti-stiction layer over the interlayer; and forming a liquid from the first bonding layer and interlayer, such that the anti-stiction layer floats over the first bonding layer. A second bonding layer can be bonded to the first bonding layer while the anti-stiction layer floats over the first bonding layer, such that a bond between the first and second bonding layers is free of the anti-stiction layer.

摘要翻译： 公开了没有抗静电层和粘合方法的键。 一种示例性方法包括形成第一粘合层; 在所述第一接合层上形成中间层; 在中间层上形成抗静电层; 以及从所述第一接合层和中间层形成液体，使得所述抗静电层浮在所述第一接合层上。 第二接合层可以结合到第一接合层，同时抗静电层漂浮在第一接合层上，使得第一和第二接合层之间的接合没有抗静电层。

公开(公告)号：US08853801B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13450728

申请日：2012-04-19

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Lung Yuan Pan ,  Hung-Hua Lin

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Lung Yuan Pan ,  Hung-Hua Lin

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： B81B7/0006 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00341 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0871 ,  H01G5/18 ,  H01L28/60

摘要： A device includes a substrate, a routing conductive line over the substrate, a dielectric layer over the routing conductive line, and an etch stop layer over the dielectric layer. A Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) device has a portion over the etch stop layer. A contact plug penetrates through the etch stop layer and the dielectric layer. The contact plug connects the portion of the MEMS device to the routing conductive line. An escort ring is disposed over the etch stop layer and under the MEMS device, wherein the escort ring encircles the contact plug.

摘要翻译： 器件包括衬底，衬底上的布线导线，路由导线上的电介质层以及介电层上的蚀刻停止层。 微机电系统（MEMS）器件具有超过蚀刻停止层的部分。 接触插塞穿过蚀刻停止层和电介质层。 接触插头将MEMS器件的部分连接到布线导线。 保护环设置在蚀刻停止层上方和MEMS器件下方，其中护送环环绕接触插塞。

公开(公告)号：US20140042625A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13571260

申请日：2012-08-09

申请人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

发明人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/48 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： A structure comprises a first semiconductor substrate, a first bonding layer deposited on a bonding side the first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate stacked on top of the first semiconductor substrate and a second bonding layer deposited on a bonding side of the second semiconductor substrate, wherein the first bonding layer is of a horizontal length greater than a horizontal length of the second semiconductor substrate, and wherein there is a gap between an edge of the second bonding layer and a corresponding edge of the second semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种结构包括第一半导体衬底，沉积在第一半导体衬底的接合侧上的第一接合层，堆叠在第一半导体衬底的顶部上的第二半导体衬底和沉积在第二半导体衬底的接合侧上的第二接合层， 其中所述第一接合层的水平长度大于所述第二半导体衬底的水平长度，并且其中在所述第二接合层的边缘和所述第二半导体衬底的对应边缘之间存在间隙。

公开(公告)号：US08455999B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13240540

申请日：2011-09-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。