公开(公告)号：US07629260B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11608451

申请日：2006-12-08

申请人： Dong Seon Uh ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Chang Il Oh ,  Jong Seob Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang Hak Lim

发明人： Dong Seon Uh ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Chang Il Oh ,  Jong Seob Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang Hak Lim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

摘要： Provided herein are hardmask compositions that include an organosilane polymer prepared by the reaction of one or more compounds of Formula (I) Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 wherein R1, R2 and R3 may each independently be alkyl acetoxy or oxime; and R4 may be hydrogen, alkyl, aryl or arylalkyl; and wherein the organosilane polymer has a polydispersity in a range of about 1.1 to about 2.

摘要翻译： 本文提供了包含通过一种或多种式（I）Si（OR 1）（OR 2）（OR 3）（OR 3）R 4）的化合物反应制备的有机硅烷聚合物的硬掩模组合物，其中R 1，R 2和R 3可各自独立地为烷基乙酰氧基或肟; 并且R 4可以是氢，烷基，芳基或芳基烷基; 并且其中所述有机硅烷聚合物的多分散性在约1.1至约2的范围内。

公开(公告)号：US20090226824A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12320874

申请日：2009-02-06

申请人： Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Mi Young Kim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

发明人： Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Mi Young Kim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

摘要： A hardmask composition for processing a resist underlayer film includes a solvent and an organosilane polymer, wherein the organosilane polymer is represented by Formula 6: In Formula 6, R is methyl or ethyl, R′ is substituted or unsubstituted cyclic or acyclic alkyl, Ar is an aromatic ring-containing functional group, x, y and z satisfy the relations x+y=4, 0.4≦x≦4, 0≦y≦3.6, and 4×10−4≦z≦1, and n is from about 3 to about 500.

摘要翻译： 用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，其中有机硅烷聚合物由式6表示：在式6中，R是甲基或乙基，R'是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是 含芳环的官能团x，y和z满足x + y = 4,0.4 <= x <= 4,0 <= y <= 3.6和4×10-4 <= z <1的关系，以及 n为约3至约500。

公开(公告)号：US20070148974A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11508074

申请日：2006-08-22

申请人： Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Do Hyeon Kim ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Irina Nam ,  Jong Seob Kim

发明人： Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Do Hyeon Kim ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Irina Nam ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/11

摘要： Provided herein are hardmask compositions for resist underlayer films, wherein according to some embodiments of the invention, hardmask compositions include a polymer prepared by the reaction of a compound of Formula 1 with a compound of Formula 2 (R)m—Si—(OCH3)4-m   (2) in the presence of a catalyst, wherein R is a monovalent organic group, n is an integer from 3 to 20, and m is 1 or 2; and an organic solvent.Also provided herein are methods for producing a semiconductor integrated circuit device using a hardmask composition according to an embodiment of the invention. Further provided are semiconductor integrated circuit devices produced by a method embodiment of the invention.

摘要翻译： 本文提供了用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，其中根据本发明的一些实施方案，硬掩模组合物包括通过式1的化合物与式2化合物的反应制备的聚合物， （2）（2）式（2）所示的化合物，其中R 1，R 2，R 3， 在存在催化剂的情况下，<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>，其中R为一价有机基团，n为3至20的整数，m为1 或2; 和有机溶剂。 本文还提供了使用根据本发明实施例的硬掩模组合物制造半导体集成电路器件的方法。 还提供了通过本发明的方法实施例生产的半导体集成电路器件。

公开(公告)号：US20070148586A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11507701

申请日：2006-08-22

申请人： Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Do Hyeon Kim ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Irina Nam ,  Jong Seob Kim

发明人： Dong Seon Uh ,  Chang Il Oh ,  Do Hyeon Kim ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Irina Nam ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： Provided herein are hardmask compositions for resist underlayer films, wherein in some embodiments, the hardmask compositions include(a) a first polymer prepared by the reaction of a compound of Formula 1 wherein n is a number of 3 to 20, with a compound of Formula 2 (R)m—Si—(OCH3)4-m   (2) wherein R is a monovalent organic group and m is 0, 1 or 2;(b) a second polymer that includes at least one of the structures represented by Formulae 3-6;(c) an acid or base catalyst; and(d) an organic solvent.Further provided herein are methods for producing a semiconductor integrated circuit device using a hardmask composition according to an embodiment of the present invention.In addition, provided herein are semiconductor integrated circiut devices produced by a method embodiment of the invention.

摘要翻译： 本文提供了用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，其中在一些实施方案中，硬掩模组合物包括（a）通过其中n为3至20数的式1化合物与式1化合物的反应制备的第一聚合物 2 <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？（R） -Si-（OCH 3 3）_{其中R是一价有机基团，m是0,1或2; （b）第二聚合物，其包含由式3-6表示的至少一种结构; （c）酸或碱催化剂; 和（d）有机溶剂。 本文还提供了使用根据本发明实施例的硬掩模组合物制造半导体集成电路器件的方法。 此外，本发明提供了通过本发明的方法实施例制造的半导体集成循环装置。}

公开(公告)号：US08916329B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US12320874

申请日：2009-02-06

申请人： Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Mi Young Kim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

发明人： Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Mi Young Kim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

摘要： A hardmask composition for processing a resist underlayer film includes a solvent and an organosilane polymer, wherein the organosilane polymer is represented by Formula 6: In Formula 6, R is methyl or ethyl, R′ is substituted or unsubstituted cyclic or acyclic alkyl, Ar is an aromatic ring-containing functional group, x, y and z satisfy the relations x+y=4, 0.4≦x≦4, 0≦y≦3.6, and 4×10−4≦z≦1, and n is from about 3 to about 500.

摘要翻译： 用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，其中有机硅烷聚合物由式6表示：在式6中，R是甲基或乙基，R'是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是 含芳环的官能团x，y和z满足关系x + y = 4,0.4＆nlE; x＆nlE; 4,0＆nlE; y＆nlE; 3.6和4×10-4＆nlE; z＆nlE; 1，n为 约3至约500。

公开(公告)号：US20130017662A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13548519

申请日：2012-07-13

申请人： Eun-Su PARK ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Eun-Su PARK ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： C09D5/34 ,  H01L21/02

CPC分类号： C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

摘要： A filler for filling a gap includes a compound represented by the following Chemical Formula 1.[Chemical Formula 1]SiaNbOcHd.In Chemical Formula 1, a, b, c, and d represent relative amounts of Si, N, O, and H, respectively, in the compound, 1.96

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括由以下化学式1表示的化合物。[化学式1] SiaNbOcHd。 在化学式1中，a，b，c和d分别表示化合物中的Si，N，O和H的相对量，1.96

公开(公告)号：US08273519B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US11984741

申请日：2007-11-21

申请人： Mi Young Kim ,  Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

发明人： Mi Young Kim ,  Sang Kyun Kim ,  Sang Hak Lim ,  Sang Ran Koh ,  Hui Chan Yun ,  Do Hyeon Kim ,  Dong Seon Uh ,  Jong Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

CPC分类号： C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

摘要： A hardmask composition includes a solvent and an organosilicon copolymer. The organosilicon copolymer may be represented by Formula A: (SiO1.5—Y—SiO1.5)x(R3SiO1.5)y  (A) wherein x and y may satisfy the following relations: x is about 0.05 to about 0.9, y is about 0.05 to about 0.9, and x+y=1, R3 may be a C1-C12 alkyl group, and Y may be a linking group including a substituted or unsubstituted, linear or branched C1-C20 alkyl group, a C1-C20 group containing a chain that includes an aromatic ring, a heterocyclic ring, a urea group or an isocyanurate group, or a C2-C20 group containing one or more multiple bonds.

摘要翻译： 硬掩模组合物包括溶剂和有机硅共聚物。 有机硅共聚物可以由式A表示：（SiO 1.5-Y-SiO 1.5）x（R 3 SiO 1.5）y（A）其中x和y可以满足以下关系：x为约0.05至约0.9，y 为约0.05至约0.9，x + y = 1，R 3可以是C 1 -C 12烷基，Y可以是包含取代或未取代的直链或支链C 1 -C 20烷基，C 1 -C 20 含有芳香环，杂环，脲基或异氰脲酸酯基的链或含有一个以上多重键的C2-C20基的基团。

公开(公告)号：US08058711B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak Lim ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/469 ,  H01L21/20 ,  G11B5/706

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane.

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下相应的化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15〜 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量。

公开(公告)号：US20110129981A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12956549

申请日：2010-11-30

申请人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

发明人： Sang-Hak LIM ,  Hui-Chan Yun ,  Dong-Il Han ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Jung-Kang Oh ,  Sang-Kyun Kim ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  Y10S525/94

摘要： A filler for filling a gap includes a hydrogenated polysiloxazane having an oxygen content of about 0.2 to about 3 wt %. A chemical structure of the hydrogenated polysiloxazane includes first, second, and third moieties represented by the following respective Chemical Formulas 1-3: The third moiety is on a terminal end of the hydrogenated polysiloxazane, and an amount of the third moiety is about 15 to about 35% based on a total amount of Si—H bonds in the hydrogenated polysiloxazane

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括氧含量为约0.2至约3重量％的氢化聚硅氧氮烷。 氢化聚硅氧氮烷的化学结构包括由以下各化学式1-3表示的第一，第二和第三部分：第三部分在氢化聚硅氧氮烷的末端，第三部分的量为约15至 约35％，基于氢化聚硅氧氮烷中Si-H键的总量

公开(公告)号：US20100167203A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。