公开(公告)号：US07613037B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11529323

申请日：2006-09-29

Applicant: Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Byung-gil Choi

Inventor： Du-eung Kim ,  Chang-soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Byung-gil Choi

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  Y10S977/754

Abstract: A phase-change memory device includes a semiconductor substrate, a bit line and a word line arranged on the semiconductor substrate to intersect each other, and a phase-change material strip interposed between the bit line and the word line and extending lengthwise in a direction that is substantially parallel to at least a portion of the word line.

Abstract translation: 相变存储器件包括半导体衬底，布置在半导体衬底上的位线和字线彼此相交的相变存储器件，以及插入位线和字线之间的相变材料带，并且沿相对方向 其基本上平行于字线的至少一部分。

公开(公告)号：USD601530S1

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US29321075

申请日：2008-07-10

Applicant: Jei-Sung Park ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

Designer： Jei-Sung Park ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD600673S1

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US29271345

申请日：2007-01-17

Applicant: Min-Soo Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

Designer： Min-Soo Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD597994S1

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US29324755

申请日：2008-09-19

Applicant: Min-Ah Koh ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Min-Ah Koh ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD597051S1

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US29320789

申请日：2008-07-03

Applicant: Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

Designer： Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD597050S1

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US29320787

申请日：2008-07-03

Applicant: Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

Designer： Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD597044S1

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US29300103

申请日：2008-02-20

Applicant: Chang-Hoon Suk ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

Designer： Chang-Hoon Suk ,  Beom-Ku Han ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD596607S1

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US29323739

申请日：2008-08-29

Applicant: Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

Designer： Kang-Moon Kim ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：USD596176S1

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US29301638

申请日：2008-03-11

Applicant: Young-Se Kim ,  Ji-Eun Lee ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

Designer： Young-Se Kim ,  Ji-Eun Lee ,  Young-Ju Yeo ,  Chang-Soo Lee

公开(公告)号：US20090175027A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12265682

申请日：2008-11-05

Applicant: Kyu-Won Jung ,  Hun-Soo Kim ,  Sang-Jin Lee ,  Il-Hwan Kim ,  Chang-Soo Lee ,  Myung-Ick Hwang ,  Hyeong-Rae Seon

Inventor： Kyu-Won Jung ,  Hun-Soo Kim ,  Sang-Jin Lee ,  Il-Hwan Kim ,  Chang-Soo Lee ,  Myung-Ick Hwang ,  Hyeong-Rae Seon

IPC: G02F1/13357 ,  H01J63/04 ,  G09F13/08

CPC classification number: H01J63/06 ,  G02F1/133602 ,  G02F2001/133625 ,  H01J63/02

Abstract: A light emission device for simplifying a structure of an electron emission unit and a manufacturing process thereof is provided. A display device using the light emission device as a light source is also provided. The light emission device includes a vacuum panel having a first substrate and a second substrate facing each other. A sealing member is between the first and second substrates. Recesss portions each have a depth into a side of the first substrate facing the second substrate. Cathode electrodes are in corresponding recesses. Electron emission regions are on corresponding cathode electrodes. A gate electrode is fixed at one side of the first substrate at a distance from the electron emission regions. A light emission unit is at one side of the second substrate. The gate electrode includes a mesh unit having openings for passing through an electron beam and a supporting member surrounding the mesh unit.

Abstract translation: 提供一种用于简化电子发射单元的结构的发光装置及其制造方法。 还提供了使用发光装置作为光源的显示装置。 发光装置包括具有彼此面对的第一基板和第二基板的真空面板。 密封构件位于第一和第二基板之间。 凹陷部分各自具有朝向第二基板的第一基板侧的深度。 阴极电极在相应的凹槽中。 电子发射区在相应的阴极上。 栅电极固定在离电子发射区一定距离的第一衬底的一侧。 发光单元位于第二基板的一侧。 栅电极包括具有用于穿过电子束的开口和围绕网孔单元的支撑构件的网孔单元。