公开(公告)号：US20150200267A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：US14461502

申请日：2014-08-18

Applicant: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

Inventor： Kuo-Cheng Ching ,  Guan-Lin Chen

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: A semiconductor device and method of formation are provided herein. A semiconductor device includes a fin having a doped region, in some embodiments. The semiconductor device includes a gate over a channel portion of the fin. The gate including a gate electrode over a gate dielectric between a first sidewall spacer and a second sidewall spacer. The first sidewall spacer includes an initial first sidewall spacer over a first portion of a dielectric material. The second sidewall spacer includes an initial second sidewall spacer over a second portion of the dielectric material.

Abstract translation: 本文提供半导体器件和形成方法。 在一些实施例中，半导体器件包括具有掺杂区域的鳍。 半导体器件包括在鳍的通道部分上的栅极。 栅极包括在第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物之间​​的栅电介质上的栅电极。 第一侧壁间隔物包括介电材料的第一部分上的初始第一侧壁间隔物。 第二侧壁间隔物包括在电介质材料的第二部分上的初始第二侧壁间隔物。