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公开(公告)号：CN118919432A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410938975.2
申请日：2024-07-12
申请人： 常州承芯半导体有限公司
摘要： 一种封装方法和封装结构，所述封装方法包括：提供基板，所述基板包括相对的第一侧和第二侧；提供多个芯片，将多个芯片设置于基板的第一侧，多个芯片至少包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的厚度小于第二芯片的厚度；在基板第一侧形成初始第一封装层，初始第一封装层覆盖多个芯片侧壁表面和顶部表面、以及基板第一侧表面，位于第二芯片表面的初始第一封装层的顶部表面高于位于第一芯片表面的初始第一封装层的顶部表面；对初始第一封装层进行平坦化处理，形成第一封装层；在第一封装层表面形成第二封装层，第二封装层的顶部表面包括与第一芯片对应的第一表面和与第二芯片对应的第二表面，第一表面和第二表面的高度差在预设范围内。所述封装方法形成的封装结构整体厚度一致性较好，整体厚度的可调性较高，尤其适用于薄型封装。
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公开(公告)号：CN118868845A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487670.X
申请日：2023-04-28
申请人： 锐石创芯(重庆)科技有限公司
摘要： 本发明属于射频芯片封装技术领域，涉及一种滤波器芯片的封装结构及其制作方法、射频模组。该滤波器芯片的封装结构包括滤波器芯片、封装基板、注塑层以及隔离层，所述滤波器芯片安装在所述封装基板上，所述滤波器芯片包括基底、设置在所述基底上的滤波器元件及支撑结构，所述支撑结构与所述滤波器元件之间形成有空腔，所述支撑结构位于所述滤波器元件朝向所述封装基板的一侧；所述隔离层设置在所述封装基板朝向所述支撑结构的一侧，所述注塑层由注塑材料注塑成型在所述封装基板上并包覆所述滤波器芯片及所述隔离层；所述隔离层与所述支撑结构之间的间距在0‑10um范围内。该滤波器芯片的封装结构可提高稳定性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN118368964B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410792377.9
申请日：2024-06-19
申请人： 泉州市三安集成电路有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种复合基板及其制备方法、电子器件和模块，复合基板包括：支撑层，所述支撑层包括多晶化合物；压电层，所述压电层包括压电材料且具有键合主面；所述压电层以所述键合主面与所述支撑层接合的方式设置在所述支撑层上；所述压电层内具有自所述键合主面朝逐渐远离所述支撑层的方向延伸的扩散区；所述多晶化合物的构成元素包括不同于所述压电材料的构成元素的特征元素，所述扩散区内包括至少一种所述特征元素。本发明实施例提供的复合基板兼具TC‑SAW与TF‑SAW的优点，通用性高、可降低生产难度，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN118843376A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410827052.X
申请日：2024-06-25
申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司
IPC分类号： H10N30/00 , H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/56 , H03H9/64 , H03H3/08 , H03H3/02 , H10N30/853 , H10N30/08 , H10N30/072
摘要： 本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：单晶压电层、氧化层和支撑衬底层；氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层为旋转Y切压电晶体，单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～+90°，n为正整数。本申请通过将旋转Y切压电晶体作为单晶压电衬底结构的中的单晶压电层，利用旋转Y切压电晶体的材料特性，以及单晶压电层通过氧化层与支撑衬底层的结合，能够有效实现声波或光波能量的局域化，不仅提高了器件的性能，还有助于实现器件的小型化和集成化，满足了现代通信系统对高性能、低功耗和高集成度的需求。
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公开(公告)号：CN118826679A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310434292.9
申请日：2023-04-20
申请人： 江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种声表面波谐振器及其制造方法，声表面波谐振器包括压电层和电极单元，压电层的第一表面上具有中心区域，中心区域上设有声波漫反射区，声波漫反射区向压电层的内部凹陷，电极单元设置在压电层的第一表面上，电极单元包括第一汇流条、平行于第一汇流条的第二汇流条、从第一汇流条向第二汇流条延伸的多条第一电极指，从第二汇流条向第一汇流条延伸的多条第二电极指，第一电极指的端面与中心区域的端面间具有第一距离，第二电极指的端面与中心区域的端面间具有第二距离；本申请的声表面波谐振器，通过在压电层的中心区域上制备声波漫反射区，使声波漫反射区可有效阻断声表面波在孔径方向上的泄露路径，从而达到横模抑制的目的。
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公开(公告)号：CN118748545A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410759355.2
申请日：2019-04-16
申请人： RF360新加坡私人有限公司
发明人： M·席贝尔
摘要： 本公开的实施例涉及晶片级封装件和制造方法。一种晶片级封装件包括具有第一表面的功能晶片、连接到第一表面上布置的器件焊盘的器件结构。具有内表面和外表面的盖晶片利用内表面被键合到功能晶片的第一表面。围绕器件结构的框架结构被布置在功能晶片与盖晶片之间。连接柱将第一表面上的器件焊盘连接到内表面上的内部盖焊盘。导电过孔被引导穿过盖晶片，连接盖晶片的内表面上的内部盖焊盘和外表面上的封装焊盘。
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公开(公告)号：CN118473365B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410911237.9
申请日：2024-07-09
申请人： 象朵创芯微电子(苏州)有限公司
发明人： 袁园
摘要： 本公开实施例提供一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法。该结构包括：衬底、介质层和压电层，其中介质层和压电层垂直堆叠并位于衬底的表面；介质层、压电层和第一金属层共同组成多个声表面波谐振器；第二金属层，包括第二金属层谐振器间隔部和第二金属层谐振器电气连接部，其中第二金属层谐振器间隔部的两端部分和第一金属层相接而其中心部分和衬底表面相接，第二金属层谐振器电气连接部的一端和第一金属层相接而其另一端和衬底表面相接。
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公开(公告)号：CN113541629B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110833827.0
申请日：2016-12-01
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 龟冈义宣
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02 , H03H9/10 , H03H9/145 , H03H9/205 , H03H9/25 , H03H9/64 , H03H9/70 , H03H9/72 , H03H3/02 , H03H9/56
摘要： 本发明提供一种难以产生IDT电极彼此相邻的部分处的汇流条的形成不良并且能够促进小型化的弹性波装置。该弹性波装置具备：压电基板；和多个弹性波谐振器，构成于压电基板，且包含第1、第2弹性波谐振器，第1弹性波谐振器具有第1IDT电极，该第1IDT电极包含对置的第1、第2汇流条以及与第2汇流条连接的电极指，第2弹性波谐振器具有第2IDT电极，该第2IDT电极包含对置的第3、第4汇流条以及与第3汇流条连接的电极指，第2、第3汇流条分别具有长度方向，并且在与长度方向垂直的方向上隔开间隙而被配置，第2汇流条具有断开部。
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公开(公告)号：CN118677395A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410271891.8
申请日：2024-03-11
申请人： 三安日本科技株式会社
发明人： 小田康之
摘要： 本申请涉及一种弹性波装置及其制造方法，其中，该弹性波装置包括封装基板、装置芯片、功能元件、凸块、第一密封部以及第二密封部，功能元件形成于所述装置芯片的一面，封装基板与装置芯片通过凸块连接，第一密封部在装置芯片的一面与装置芯片的沿厚度方向的侧面相接的角部，第一密封部的外侧部分与装置芯片的侧面形成第一环绕槽；第二密封部覆盖装置芯片的一面的相对面、装置芯片的侧面中，被第一密封部覆盖的外侧部分以外的部分、以及第一密封部的外侧部分的整个表面，通过本申请，在确保了装置芯片与封装基板之间的密封性和较高的机械一体性的同时，也提高了弹性波装置的散热性能。
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公开(公告)号：CN112640303B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980057046.8
申请日：2019-09-06
申请人： 京瓷株式会社
摘要： 本公开的复合基板是压电基板与蓝宝石基板被直接接合的复合基板，在所述蓝宝石基板的接合面具有台阶群构造。本公开的压电元件具备所述复合基板。本公开的复合基板的制造方法具备：准备工序，准备压电基板、以及具备相对于特定的结晶面而具有规定的偏离角的表面的蓝宝石基板；热处理工序，在氧化环境中对所述蓝宝石基板进行热处理，从而在该蓝宝石基板的所述表面形成台阶群；以及接合工序，将所述压电基板与所述蓝宝石基板的所述表面直接接合。
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