公开(公告)号：CN119518426A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411634112.2

申请日：2024-11-15

Applicant: 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司

Inventor： 唐瑞来 ,  郭成成 ,  卢源 ,  王文娟 ,  闫大鹏

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/02253

Abstract: 本申请公开了一种半导体激光器，半导体激光器包括芯片底座、第一发光组件、第二发光组件、第一合束组件、聚焦组件以及插芯；第一合束组件用于将第一发光组件和第二发光组件发出的激光合束，聚焦组件用于将第一合束组件合束后的激光聚焦并进入插芯；其中，第一发光组件包括在第二方向上依次设置的第一发光芯片、第一准直透镜，第一慢轴准直负透镜以及第一慢轴准直正透镜，第一发光芯片发出的激光经过第一准直透镜在快轴和慢轴方向准直，然后经过第一慢轴准直负透镜和第一慢轴准直正透镜在慢轴方向上再次准直进入第一合束组件。本申请可以提高半导体激光器的光束质量。

公开(公告)号：CN119297721A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411363605.7

申请日：2024-09-27

Applicant: 港理大(晋江)技术创新研究院有限公司

Inventor： 董波 ,  余长源

IPC: H01S5/0225 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及超表面元件、激光器及制备方法。所述超表面元件，包括：第一柱体和第二柱体，所述第一柱体和所述第二柱体依次由下至上设置；所述第一柱体为椭圆柱，所述第二柱体为圆形柱；并且，所述第一柱体与所述第二柱体具有双轴各向异性，即通过各向异性进行光的偏振状态进行调控。实施例利用超表面元件上下两层不同结构设计，即所述超表面元件可以用于双轴各向异性，对光的偏振状态进行调控，从而有效抑制激光器的输出光的径向和角向高阶模式，从而减少高阶横模，实现提高信躁比，最终提高输出光的质量。

公开(公告)号：CN111668694B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202010556730.5

申请日：2020-06-17

Applicant: 珠海光库科技股份有限公司

Inventor： 许克畇 ,  陆龙钊 ,  张大鹏 ,  贾楠 ,  卢建南

IPC: H01S5/0225 ,  H01S5/10 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种可调谐激光器，包括放大装置和FP光滤波装置，放大装置设置有放大输出端、信号输出端和信号输入端，FP光滤波装置设置有滤波输入端和滤波输出端，滤波输入端与放大输出端通过第一光纤连接，滤波输出端与信号输入端通过第二光纤连接，放大装置还设置有第一放大光路、输出光路、透反件和第一半导体光放大器，信号输入端、第一半导体光放大器和放大输出端沿第一放大光路布置，透反件设置在第一放大光路上，透反件位于第一半导体光放大器的前级或后级，透反件和信号输出端沿输出光路布置。放大装置、第一光纤、FP光滤波装置和第二光纤构成封闭的环形腔，将必要器件集成化布置，既可以缩短环形腔的长度，也可以保证整个环形腔的稳定性。

公开(公告)号：CN119134028A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411274278.8

申请日：2024-09-11

Applicant: 甬江实验室

Inventor： 施跃春 ,  徐淼 ,  谢升宏

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/20 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/02355 ,  H01S3/16 ,  H01S3/10 ,  H01S3/042 ,  H01S3/04

Abstract: 本发明公开了一种金刚石片上集成激光器及其制备方法，涉及集成光学技术领域，其中片上集成激光器，包括，大功率半导体激光器、金刚石基板和波导；其中，同一片金刚石基板上划分有激光器集成区域和波导集成区域；大功率半导体激光器通过薄膜电路集成在金刚石基板的激光器集成区域；波导集成在波导集成区域，包括波导材料层，波导材料层的上、下以及与大功率半导体激光器非激光耦合的两侧表面均匀镀有金刚石薄膜，波导材料层未镀有金刚石薄膜的一端与大功率半导体激光器的出光口对齐。本发明，提高了集成光学芯片的发光效率，并解决了芯片的热串扰问题，保证了激光器整体的稳定输出。

公开(公告)号：CN113728522B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202080029437.1

申请日：2020-02-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 阿部岳志 ,  大盐祥三 ,  新田充

IPC: H01S5/0225 ,  H01S5/06 ,  A61B1/00 ,  A61B1/06 ,  A61B1/07 ,  G02B21/06 ,  G02B23/26 ,  H01L33/50

Abstract: 本申请的发光装置(1)具备第一波长转换体(4)和第二波长转换体(7)，上述第一波长转换体(4)包含吸收初级光(3)并转换成波长比初级光(3)长的第一波长转换光(10)的第一荧光体(5)，上述第二波长转换体(7)包含吸收初级光(3)并转换成波长比初级光(3)长的第二波长转换光(11)的第二荧光体(8)。第一波长转换光(10)是在700nm～800nm的整个波长范围具有光成分并且在700nm以上的波长区域具有荧光强度显示出最大值的峰的荧光。第二波长转换光(11)是在380nm以上且小于700nm的波长范围内具有荧光强度显示出最大值的峰的荧光。发光装置(1)在时间上交替地放出包含第一波长转换光(10)的第一输出光(12)以及包含第二波长转换光(11)的第二输出光(13)。

公开(公告)号：CN114068610B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202111543441.2

申请日：2021-12-16

Applicant: 宁波升谱光电股份有限公司

Inventor： 杜元宝 ,  张耀华 ,  王国君 ,  朱小清 ,  张庆豪

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/58 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06

Abstract: 本申请公开了一种功率开关器件，包括基板框架；固定于所述基板框架底部的氮化镓基晶体管，所述氮化镓基晶体管包括由下至上层叠的衬底、氮化镓晶体层、势垒层和电极，所述电极包括源极、栅极和漏极；固定于所述漏极上表面并与所述漏极电连接的发光芯片；固定于所述基板框架开口处的匀光板。本申请中的功率开关器件包括基板框架、氮化镓基晶体管、发光芯片、匀光板，氮化镓基晶体管中源极、栅极和漏极均位于势垒层的上表面，氮化镓基晶体管具有高频、耐高压特性，从而使得功率开关器件具有高响应速度、耐高压的特点，并且，本申请中匀光板可以对发光芯片发出的光转换为更加均匀的面光源。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。

公开(公告)号：CN118943888A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411426017.3

申请日：2024-10-14

Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 ,  苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

Inventor： 孙方圆 ,  俞浩 ,  王俊

IPC: H01S5/40 ,  G02B27/30 ,  G02B27/28 ,  G02B17/04 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/02255

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器合束装置，包括：半导体激光器芯片组、快轴准直镜组、特征慢轴准直镜组和斜角反射棱镜组；半导体激光器芯片组包括在快轴方向上的高度一致的多个半导体激光器芯片；快轴准直镜组包括多个快轴准直镜；特征慢轴准直镜组包括多个特征慢轴准直镜；斜角反射棱镜组包括多个斜角反射棱镜。所述半导体激光器合束装置能实现可靠性高和体积小。

公开(公告)号：CN118763494A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411054272.X

申请日：2024-08-02

Applicant: 欧润光电科技(苏州)有限公司

Inventor： 王中和

IPC: H01S5/0225 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明公开了一种同向双输出的半导体激光器芯片，包括一U型激光波导；所述U型激光波导的输出端是两个平行光波导；所述两个平行光波导在另一端即非出光端通过第三光波导连接；所述U形激光波导由同一个电极驱动；所述两个平行光波导的输出端镀有减反膜；所述U型激光波导至少包含从上到下的P型半导体材料、有源层、N型半导体材料；所述U形激光波导生长于半导体衬底之上。本发明通过引入U形或V形光波导实现了单一激光器芯片具有同向的双输出端口，一颗激光器可以同时提供两个光源给外部光元件，为需要多光源的光学引擎提供了一个简单和低成本的技术方案。

公开(公告)号：CN118645877A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410798034.3

申请日：2024-06-20

Applicant: 潍坊华光光电子有限公司

Inventor： 晏骁哲 ,  梁盼

IPC: H01S5/0232 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/0237

Abstract: 本发明涉及一种模块化贴片式激光器及其封装方法，属于半导体激光器技术领域。激光器包括底座、激光器芯片、过渡热沉和金线，底座上侧通过过渡热沉设置有激光器芯片，激光器芯片和过渡热沉分别通过金线连接有底座；底座包括支架和注塑构件，支架一侧设置有反射面，另一侧设置有2根引线，注塑构件包裹有支架，支架上侧设置有激光器芯片，激光器芯片出光侧朝向反射面，激光线芯片和过渡热沉分别通过金线连接有2根引线。本发明利用引线框架结构及工艺实现45°反射面制备，取代传统独立反射镜结构，高效地完成光束反射，简化调光等传统步骤，以较低成本实现贴片封装，且可以以模块化的方式进行组合，实现多芯片产品制备。

公开(公告)号：CN110620332B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910500496.1

申请日：2019-06-11

Applicant: 富士胶片商业创新有限公司

Inventor： 早川纯一朗 ,  村上朱实

IPC: H01S5/187 ,  H01S5/183 ,  H01S5/0225 ,  G01S17/08

Abstract: 本发明提供一种半导体光放大器、光输出装置以及距离测量装置。在使用分布式布拉格反射镜波导的半导体光放大器中，与不具有反射部的情况相比，增大预先规定的方向的光输出。半导体光放大器包含：光源部，所述光源部形成在基板上；以及光放大部，所述光放大部包括从光源部沿着基板的基板面朝向预先规定的方向延伸而形成的导电区域以及形成在导电区域的周围的非导电区域，所述光放大部对从光源部向预先规定的方向传播的传播光进行放大，并将放大后的传播光向与基板面交叉的射出方向射出，导电区域具有在从与所述基板面垂直的方向观察时将传播光向与预先规定的方向交叉的方向反射的反射部。