公开(公告)号：CN116686094B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202180083276.9

申请日：2021-12-09

申请人： 寻找未来有限公司

发明人： 大卫·萨默兰 ,  罗杰·莱特 ,  卢克·奈特

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L27/098 ,  H01L29/735 ,  H01L29/73 ,  H01L29/66

摘要： 一种晶体管装置，其为具有半导体结构的双极晶体管，所述结构包括与集极区及射极区相同的半导体类型的通道。所述通道比与之相交界的基极区更为浅薄。本发明结构能够改善电流增益，其亦能使晶体管装置在开启时，有选择地通过控制贯穿射极端子与集极端子间的电压，来实现单极传导或实现双极传导的工作模式。

公开(公告)号：CN118553772B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411009631.X

申请日：2024-07-25

申请人： 上海合谱微电子技术有限公司

发明人： 杨琳

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/16 ,  H01L21/331

摘要： 本申请实施例提供一种射频器件及其制造方法，其中，射频器件包括：碳化硅衬底及依次形成在碳化硅衬底之上的碳化硅缓冲层、碳化硅埋层、碳化硅外延层；碳化硅基区注入区和碳化硅集电极注入区形成在碳化硅外延层内，且通过氧化物隔离区隔离；碳化硅基极接触注入区和碳化硅发射极注入区形成在碳化硅基区注入区内，且与碳化硅基极接触注入区间隔设置；基极金属形成在碳化硅基极接触注入区之上；发射极金属形成在碳化硅发射极注入区之上；集电极金属形成在碳化硅集电极注入区之上。本申请实施例提供的射频器件及其制造方法利用碳化硅材料制成射频器件，具有较高的线性增益及较高的效率，并且制造成本大幅降低。

公开(公告)号：CN118782640A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410394079.4

申请日：2024-04-02

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 黄致凡 ,  约翰内斯·J·T·M·唐克斯

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L25/07 ,  H01L27/082

摘要： 公开了一种制造Si BJT装置的方法，所述方法包括：先前加工步骤；在所述Si BJT装置的有源区域上方形成保护性氧化物层；在所述保护性氧化物上沉积介电层和包括SiGe的层堆叠；蚀刻所述介电层和所述包括SiGe的层堆叠，借此将它们从所述Si BJT的所述有源区域移除；跨所述装置沉积多晶硅层和另外的介电层；蚀刻所述多晶硅基极和所述另外的介电层，借此将其从所述有源区域移除；通过所述保护性氧化物层将p型掺杂剂植入到所述有源区域中；蚀刻所述保护性氧化物层，借此将其移除，并在所述介电层下方留下空隙；对所述Si BJT装置进行热处理，借此填充所述多晶硅基极下方的空隙；以及后续加工步骤。还公开了对应的装置。

公开(公告)号：CN118231250A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202211644181.2

申请日：2022-12-20

申请人： 无锡华润华晶微电子有限公司

发明人： 巴建锋 ,  姜裕

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30

摘要： 本发明提供一种三极管及其制作方法，包括以下步骤：提供一双面研磨晶圆，形成第一掺杂层于双面研磨晶圆的上表层，形成第二掺杂层于双面研磨晶圆的下表层；去除第一掺杂层；形成电场调节环于双面研磨晶圆的上表层；形成基区于双面研磨晶圆的上表层；形成发射区于基区的上表层，并形成等位环于双面研磨晶圆的上表层；形成电阻层于双面研磨晶圆上方；形成基极、发射极、集电极及终端电极。本发明中，衬底材料使用双磨片，能大幅降低制作成本，同时在三极管的集电极与基极之间集成电阻，可以将电阻阻值提升至3M‑30M的范围，晶体管的CB法向击穿电压可达200V‑1200V的范围，可以满足绝大部分的电源应用，拓展器件的应用范围。

公开(公告)号：CN113594240B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110821720.4

申请日：2021-07-21

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾祥斌 ,  王君豪 ,  胡一说 ,  王文照 ,  陆晶晶 ,  王曦雅 ,  周宇飞 ,  王士博 ,  肖永红 ,  陈铎 ,  张茂发

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/73 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种基于二维过渡金属硫族化合物的BJT及其制备方法，属于半导体微器件领域，包括：带有介质层的单晶硅衬底及其介质层表面同种二维过渡金属硫族化合物依次横向连接的P型薄膜、N型薄膜、P型薄膜，以及位于各薄膜上表面的电极；制备方法包括：在带介质层的单晶硅衬底上表面制备遮挡层，旋涂包含硫元素和过渡金属元素的第一前驱体溶液；在所得样品的上表面旋涂光刻胶后去除遮挡层，在其上表面旋涂金属盐溶解于第一前驱体溶液形成的第二前驱体溶液，去除光刻胶；将所得样品在真空中进行激光辐照；在样品上表面制备金属电极，得到BJT。本发明使薄膜制备掺杂一步完成，解决现有二维材料BJT的制备工艺中薄膜易受损伤，影响器件性能的问题。

公开(公告)号：CN114005876B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202111215828.5

申请日：2021-10-19

申请人： 北京纳米能源与系统研究所

发明人： 孙其君 ,  李永海

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/735 ,  B81B7/02

摘要： 本发明公开了一种双极性晶体管及逻辑器件，通过引入摩擦纳米发电机，将摩擦纳米发电机与双极性晶体管组件相结合，可以通过摩擦纳米发电机向栅极传输电信号，以调节沟道层中载流子的种类，实现双极性晶体管和逻辑器件的功能；如此，可以替代目前技术中通过外加电源向栅极施加电压，易于制作与集成，同时还可以实现外部环境与电子器件的结合和交互。

公开(公告)号：CN117673134A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211062521.0

申请日：2022-08-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 段宝兴 ,  唐春萍 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及双极结型晶体管结构，具体涉及一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管及制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管包括栅介质层，以及分别设置在栅介质层两侧的高阻硅衬底和双极结型晶体管结构；本发明通过将常规结构的漂移区面积减小，形成具有积累作用的类似双极结型晶体管的P1N1N+P2结构，并将其通过栅介质层与IGBT结构集成。同时，本发明公开一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN117410323A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210796978.8

申请日：2022-07-06

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 潘贞维 ,  卓昇

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括一基板、一鳍状结构、一栅极结构以及一第一阱。鳍状结构设置于基板之上。栅极结构设置于基板之上。鳍状结构的一延伸方向交叉于栅极结构的一延伸方向。第一阱设置于栅极结构之下，对应于半导体装置的一射极区，且第一阱具有一第一导电型，其中第一阱邻近于一阱阻挡层，阱阻挡层设置于射极区中的栅极结构之下。其中阱阻挡层具有一阱掺杂质的一第一掺杂浓度，第一阱具有阱掺杂质的一第二掺杂浓度，且第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN114203866B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202111217000.3

申请日：2021-10-19

申请人： 闽都创新实验室

发明人： 周雄图 ,  郝绍坤 ,  郭太良 ,  张永爱 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L29/73 ,  H01L29/20 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提出一种预埋金属电极的垂直型发光三极管器件及其制备方法，其在衬底表面依次沉积缓冲层、发射区N型氮化镓层、基区P型氮化镓层；在基区P型氮化镓层上沉积基区金属接触埋层，并在基区金属接触埋层上沉积绝缘层将其隔离；依次沉积集电区N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层；在P型氮化镓层上沉积P型氮化镓金属接触层；在集电区N型氮化镓层上沉积集电区金属接触层；在发射区N型氮化镓层上沉积发射区金属接触层。本发明利用预埋金属层和绝缘层，防止在器件制备过程中较薄的基区被刻穿，降低了发光三极管器件制备过程中引出基区电极时对刻蚀工艺精度的要求。

公开(公告)号：CN111211166B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202010116242.2

申请日：2020-02-25

申请人： 上海华力集成电路制造有限公司

发明人： 周晓君 ,  王海涛

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08

摘要： 本发明提供一种BJT器件结构，N阱；位于N阱上的P+区；位于P+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为覆盖于P+区上的外围框型结构以及位于该外围框型结构内与外围框型结构连接的相互间隔排布的条形结构；位于P+区上非阻挡层结构区域的金属硅化物，该金属硅化物覆盖于P+区上形成BJT器件的发射极的欧姆接触；位于N阱两侧的基极；位于基极两侧的集电极。本发明的BJT器件结构由于发射极金属硅化物为不连续结构，可以显著降低流入基区的电流，从而有效的改善BJT器件的放大系数，将放大系数提高60％。